【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，簡稱led)為半導(dǎo)體發(fā)光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半導(dǎo)體制成，其核心是具有發(fā)光特性的pn結(jié)。led具有發(fā)光強(qiáng)度大、效率高、體積小、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是當(dāng)前最具有潛力的光源之一。led已經(jīng)廣泛應(yīng)用于照明、監(jiān)控指揮、高清演播、高端影院、辦公顯示、會(huì)議交互、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域。
2、紫外發(fā)光二極管(uvlightemittingdiode，uv-led)是一種能夠直接將電能轉(zhuǎn)化為紫外光線的固態(tài)的半導(dǎo)體器件。近年來，紫外光led特別是深紫外光led的巨大的應(yīng)用價(jià)值引起了人們的高度關(guān)注，成為了新的研究熱點(diǎn)。目前，傳統(tǒng)的深紫外led存在著電流擁堵、發(fā)光均勻性差的問題。因此，如何解決這一問題已然成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)難題之一。
3、需要說明的是，公開于該
技術(shù)介紹
部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本專利技術(shù)的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供一種發(fā)光二極管，其包括半導(dǎo)體疊層、第一連接電極、第二連接電極、第一電極、第二電極、絕緣層、第一焊盤和第二焊盤。半導(dǎo)體疊層包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層。第一連接電極設(shè)置在半導(dǎo)體疊層上，并電連接第一半導(dǎo)體層。第二連接電極設(shè)置在半導(dǎo)體疊層上，并電連接第二半導(dǎo)體層。第一
2、本專利技術(shù)還提供一種發(fā)光二極管，其包括半導(dǎo)體疊層、第一連接電極、第二連接電極、第一電極、第二電極、絕緣層、第一焊盤和第二焊盤。半導(dǎo)體疊層包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層。第一連接電極設(shè)置在半導(dǎo)體疊層上，并電連接第一半導(dǎo)體層。第二連接電極設(shè)置在半導(dǎo)體疊層上，并電連接第二半導(dǎo)體層。第一電極連接第一連接電極。第二電極連接第二連接電極。絕緣層覆蓋半導(dǎo)體疊層、第一電極和第二電極，絕緣層具有第一開口和第二開口。第一焊盤設(shè)置在絕緣層上，并通過第一開口電連接第一電極。第二焊盤設(shè)置在絕緣層上，并通過第二開口電連接第二電極。其中，從發(fā)光二極管的上方朝向半導(dǎo)體疊層俯視，第二電極包括多個(gè)延伸電極，延伸電極具有第一端和第二端，延伸電極沿第一端至第二端延伸，多個(gè)延伸電極的第一端相互連接，多個(gè)延伸電極的第二端之間具有第四間距，第二開口與第一端不重合。
3、本專利技術(shù)還提供一種發(fā)光裝置，發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管，發(fā)光二極管采用上述任一提供的發(fā)光二極管。
4、本專利技術(shù)一實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置，通過將第二開口設(shè)置在靠近延伸電極的末端的方式，從而避免電流在起始電極和延伸電極的連接處發(fā)生電流擁堵，使得發(fā)光二極管發(fā)光更均勻，提高發(fā)光二極管的發(fā)光特性。
5、本專利技術(shù)的其它特征和有益效果將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的技術(shù)特征和有益效果可以從說明書中顯而易見地得出，或者是通過實(shí)施本專利技術(shù)而了解。
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1.一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，相鄰的二個(gè)所述延伸電極的末端之間具有第一間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極末端下方的所述第二連接電極之間具有第二間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極末端下方的所述第二半導(dǎo)體層之間具有第三間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極末端下方的所述第二半導(dǎo)體層相互連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述延伸電極的末端具有凸起區(qū)域，所述凸起區(qū)域朝向與該凸起區(qū)域所在的延伸電極相鄰的延伸電極的方向凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第一電極包括環(huán)形電極與條狀電極，所述環(huán)形電極環(huán)繞于所述第二電極設(shè)置，所述條狀電極位于相鄰二個(gè)所述延伸電極之間，所述條狀電極與所述環(huán)形電極間隔設(shè)置，至少部分所述第一開口設(shè)置在所述條狀電極靠近所述起始電極的一端。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：至少部分所述第一開口設(shè)置在所述環(huán)形電極上。
10.一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二開口設(shè)置在所述延伸電極的所述第二端。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極第二端下方的所述第二連接電極之間具有第二間距。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極第二端下方的所述第二半導(dǎo)體層之間具有第三間距。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第一電極包括環(huán)形電極與條狀電極，所述環(huán)形電極環(huán)繞于所述第二電極設(shè)置，所述條狀電極連接所述環(huán)形電極，并朝向所述延伸電極的所述第一端的方向延伸，所述條狀電極位于相鄰二個(gè)所述延伸電極之間，至少部分所述第一開口與所述條狀電極的末端重合。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第一電極包括環(huán)形電極與條狀電極，所述環(huán)形電極環(huán)繞于所述第二電極設(shè)置，所述條狀電極位于相鄰二個(gè)所述延伸電極之間，所述條狀電極與所述環(huán)形電極間隔設(shè)置，至少部分所述第一開口設(shè)置在所述條狀電極靠近所述延伸電極的所述第一端的位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述第二半導(dǎo)體層的厚度范圍為1~100nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第二連接電極與所述第二半導(dǎo)體層的接觸面積至少占所述發(fā)光二極管的面積的40%。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第二半導(dǎo)體層的面積至少占所述發(fā)光二極管的面積的50%。
19.根據(jù)權(quán)利要求1或10所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管為紫外發(fā)光二極管。
20.一種發(fā)光裝置，其特征在于：所述發(fā)光裝置包括發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管采用如權(quán)利要求1~19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，相鄰的二個(gè)所述延伸電極的末端之間具有第一間距。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極末端下方的所述第二連接電極之間具有第二間距。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極末端下方的所述第二半導(dǎo)體層之間具有第三間距。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，位于相鄰的二個(gè)所述延伸電極末端下方的所述第二半導(dǎo)體層相互連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述延伸電極的末端具有凸起區(qū)域，所述凸起區(qū)域朝向與該凸起區(qū)域所在的延伸電極相鄰的延伸電極的方向凸起。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第一電極包括環(huán)形電極與條狀電極，所述環(huán)形電極環(huán)繞于所述第二電極設(shè)置，所述條狀電極連接所述環(huán)形電極，并朝向所述起始電極的方向延伸，所述條狀電極位于相鄰二個(gè)所述延伸電極之間，至少部分所述第一開口設(shè)置在所述條狀電極的末端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：從所述發(fā)光二極管的上方朝向所述半導(dǎo)體疊層俯視，所述第一電極包括環(huán)形電極與條狀電極，所述環(huán)形電極環(huán)繞于所述第二電極設(shè)置，所述條狀電極位于相鄰二個(gè)所述延伸電極之間，所述條狀電極與所述環(huán)形電極間隔設(shè)置，至少部分所述第一開口設(shè)置在所述條狀電極靠近所述起始電極的一端。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：至少部分所述第一開口設(shè)置在所述環(huán)形電極上。
10.一種發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：曾煒竣，陳功，陳思河，張?zhí)煲?/a>，黃訓(xùn)芳，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：泉州三安半導(dǎo)體科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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