【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及換能器件領(lǐng)域，特別是指一種微電磁元件、電磁換能器及電子裝置。
技術(shù)介紹
1、電磁換能器是利用通電導(dǎo)體產(chǎn)生的磁場(chǎng)與磁性元件產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互作用，以驅(qū)動(dòng)通電導(dǎo)體動(dòng)作的器件。電磁換能器應(yīng)用廣泛，例如電磁換能器可以應(yīng)用到揚(yáng)聲器中驅(qū)動(dòng)振膜振動(dòng)以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)聲，電磁換能器還可以應(yīng)用到電磁閥中驅(qū)動(dòng)閥芯動(dòng)作以驅(qū)動(dòng)電磁閥啟閉。
2、在現(xiàn)有的電磁換能器中，通電導(dǎo)體一般采用的線圈元件，線圈元件由金屬絲纏繞而成，線圈元件呈環(huán)狀，而磁性元件（如磁鐵）則是穿過線圈元件或者套置線圈元件，線圈元件與磁性元件之間的磁力線呈放射狀；由于線圈元件呈環(huán)狀，那么就需要考慮磁性元件與線圈元件之間360°方向上的間隙設(shè)置以避免磁性元件與線圈元件發(fā)生碰撞；因此磁性元件與線圈元件之間的間隙會(huì)設(shè)置的較大（如耳機(jī)中的磁性元件與線圈元件之間的間隙需要至少為1.2mm），而磁性元件與線圈元件之間的間隙越大，則會(huì)使得線圈元件與磁性元件之間的磁阻大，使得線圈元件與磁性元件之間的相互作用力減小；另外磁性元件和線圈元件相互套置，這樣磁性元件和線圈元件的尺寸相互制約，導(dǎo)致磁性元件和線圈元件的其中之一的尺寸不能做的很大，這也影響了線圈元件與磁性元件之間的相互作用力。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種微電磁元件、電磁換能器及電子裝置，該微電磁元件與磁性元件之間的相互作用力大。
2、為了達(dá)成上述目的，本專利技術(shù)的解決方案是：
3、一種微電磁元件，其包括至少一層元件層；所述元件層包括一基片以及設(shè)
4、所述元件層還包括設(shè)置于基片正面上的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端，元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與元件層的正導(dǎo)電端連接，元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與元件層的負(fù)導(dǎo)電端連接。
5、所述元件層的導(dǎo)電段劃分為至少兩個(gè)微線段區(qū)域，每個(gè)微線段區(qū)域具有多個(gè)導(dǎo)電段，且相鄰微線段區(qū)域之間形成間隔；所述元件層還包括數(shù)量與微線段區(qū)域相同的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端，元件層的各個(gè)正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端設(shè)置于該元件層的基片正面，元件層的每個(gè)微線段區(qū)域與元件層的一個(gè)正導(dǎo)電端和一個(gè)負(fù)導(dǎo)電端對(duì)應(yīng)設(shè)置；每個(gè)微線段區(qū)域的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與該微線段區(qū)域?qū)?yīng)的正導(dǎo)電端連接，每個(gè)微線段區(qū)域的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與該微線段區(qū)域?qū)?yīng)的負(fù)導(dǎo)電端連接。
6、當(dāng)所述元件層的數(shù)量為至少兩層以上時(shí)，某個(gè)元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與該元件層相鄰的元件層的基片上設(shè)置的正導(dǎo)電端連接，且該元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與該元件層相鄰的元件層的基片上設(shè)置的負(fù)導(dǎo)電端連接。
7、所述正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端分別設(shè)有正導(dǎo)電孔和負(fù)導(dǎo)電孔。
8、當(dāng)所述元件層的數(shù)量為至少兩層以上時(shí)，相鄰元件層的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端相互連接而使得相鄰元件層實(shí)現(xiàn)串聯(lián)或并聯(lián)。
9、至少一層元件層的基片設(shè)置有導(dǎo)磁體。
10、所述元件層的基片的材質(zhì)為硅、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石、lds塑料、鍺、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、bt、abf、電木板、玻璃纖維、塑膠或硒化鋅中的一種。
11、所述元件層的各個(gè)導(dǎo)電段呈直線段結(jié)構(gòu)，且元件層的各個(gè)導(dǎo)電段相互平行。
12、一種電磁換能器，其包括至少一個(gè)用于產(chǎn)生一個(gè)驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)的磁性元件以及如上所述的微電磁元件；所述微電磁元件活動(dòng)設(shè)置于驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)中；當(dāng)微電磁元件的各導(dǎo)電段通入電流時(shí)，微電磁元件會(huì)與磁性元件產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)相互作用而使得微電磁元件運(yùn)動(dòng)。
13、所述磁性元件的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)磁性元件分為第一磁性元件和第二磁性元件；第一磁性元件和第二磁性元件相對(duì)設(shè)置，使得第一磁性元件和第二磁性元件之間產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)為平行磁場(chǎng)。
14、所述微電磁元件的部分或全部導(dǎo)電段的通電電流方向與驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向相交設(shè)置。
15、所述微電磁元件的各導(dǎo)電段的通電電流方向相同，且所述微電磁元件的各導(dǎo)電段的通電電流方向與驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向垂直設(shè)置。
16、所述的電磁換能器還包括殼體；所述磁性元件設(shè)置于殼體內(nèi)側(cè)；所述微電磁元件活動(dòng)設(shè)置于殼體中。
17、所述殼體的材質(zhì)為導(dǎo)磁材質(zhì)。
18、一種電子裝置，其包括如上所述的電磁換能器。
19、采用上述方案后，本專利技術(shù)的微電磁元件可以代替現(xiàn)有的線圈元件使用，而本專利技術(shù)的微電磁元件呈片狀結(jié)構(gòu)，這樣本專利技術(shù)的微電磁元件與磁性元件相互配合時(shí)，磁性元件是處于微電磁元件側(cè)方，這樣在微電磁元件和磁性元件相互作用時(shí)只需考慮在一個(gè)方向的間隙設(shè)置，從而有助于將微電磁元件和磁性元件之間的間隙做小，進(jìn)而有助于使得微電磁元件與磁性元件之間的相互作用力大，同時(shí)也有助于將微電磁元件的體積做小；另外本專利技術(shù)的微電磁元件與磁性元件相互配合時(shí)磁性元件是處于微電磁元件側(cè)方，這樣微電磁元件和磁性元件之間的安裝制約小，使得微電磁元件和磁性元件各自的尺寸都可獨(dú)立做大，進(jìn)而有助于使得微電磁元件與磁性元件之間的相互作用力大。
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1.一種微電磁元件，其特征在于：包括至少一層元件層；
2.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層還包括設(shè)置于基片正面上的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端，元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與元件層的正導(dǎo)電端連接，元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與元件層的負(fù)導(dǎo)電端連接。
3.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層的導(dǎo)電段劃分為至少兩個(gè)微線段區(qū)域，每個(gè)微線段區(qū)域具有多個(gè)導(dǎo)電段，且相鄰微線段區(qū)域之間形成間隔；
4.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：當(dāng)所述元件層的數(shù)量為至少兩層以上時(shí)，某個(gè)元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與該元件層相鄰的元件層的基片上設(shè)置的正導(dǎo)電端連接，且該元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與該元件層相鄰的元件層的基片上設(shè)置的負(fù)導(dǎo)電端連接。
5.如權(quán)利要求2或3或4所述的微電磁元件，其特征在于：所述正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端分別設(shè)有正導(dǎo)電孔和負(fù)導(dǎo)電孔。
6.如權(quán)利要求2或3或4所述的微電磁元件，其特征在于：當(dāng)所述元件層的數(shù)量為至少兩層以上時(shí)，相鄰元件層的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端相互連接而使得相鄰元件層
7.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：至少一層元件層的基片設(shè)置有導(dǎo)磁體。
8.如權(quán)利要求1或7所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層的基片的材質(zhì)為硅、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石、LDS塑料、鍺、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、BT、ABF、電木板、玻璃纖維、塑膠或硒化鋅中的一種。
9.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層的各個(gè)導(dǎo)電段呈直線段結(jié)構(gòu)，且元件層的各個(gè)導(dǎo)電段相互平行。
10.一種電磁換能器，其特征在于：包括至少一個(gè)用于產(chǎn)生一個(gè)驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)的磁性元件以及如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的微電磁元件；
11.如權(quán)利要求10所述的電磁換能器，其特征在于：所述磁性元件的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)磁性元件分為第一磁性元件和第二磁性元件；第一磁性元件和第二磁性元件相對(duì)設(shè)置，使得第一磁性元件和第二磁性元件之間產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)為平行磁場(chǎng)。
12.如權(quán)利要求10或11所述的電磁換能器，其特征在于：所述微電磁元件的部分或全部導(dǎo)電段的通電電流方向與驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向相交設(shè)置。
13.如權(quán)利要求12所述的電磁換能器，其特征在于：所述微電磁元件的各導(dǎo)電段的通電電流方向相同，且所述微電磁元件的各導(dǎo)電段的通電電流方向與驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)的磁場(chǎng)方向垂直設(shè)置。
14.如權(quán)利要求10所述的電磁換能器，其特征在于：還包括殼體；所述磁性元件設(shè)置于殼體內(nèi)側(cè)；所述微電磁元件活動(dòng)設(shè)置于殼體中。
15.如權(quán)利要求14所述的電磁換能器，其特征在于：所述殼體的材質(zhì)為導(dǎo)磁材質(zhì)。
16.一種電子裝置，其特征在于：包括如權(quán)利要求10至15任意一項(xiàng)所述的電磁換能器。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種微電磁元件，其特征在于：包括至少一層元件層；
2.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層還包括設(shè)置于基片正面上的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端，元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與元件層的正導(dǎo)電端連接，元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與元件層的負(fù)導(dǎo)電端連接。
3.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層的導(dǎo)電段劃分為至少兩個(gè)微線段區(qū)域，每個(gè)微線段區(qū)域具有多個(gè)導(dǎo)電段，且相鄰微線段區(qū)域之間形成間隔；
4.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：當(dāng)所述元件層的數(shù)量為至少兩層以上時(shí)，某個(gè)元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第一端與該元件層相鄰的元件層的基片上設(shè)置的正導(dǎo)電端連接，且該元件層的部分或全部的導(dǎo)電段的第二端與該元件層相鄰的元件層的基片上設(shè)置的負(fù)導(dǎo)電端連接。
5.如權(quán)利要求2或3或4所述的微電磁元件，其特征在于：所述正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端分別設(shè)有正導(dǎo)電孔和負(fù)導(dǎo)電孔。
6.如權(quán)利要求2或3或4所述的微電磁元件，其特征在于：當(dāng)所述元件層的數(shù)量為至少兩層以上時(shí)，相鄰元件層的正導(dǎo)電端和負(fù)導(dǎo)電端相互連接而使得相鄰元件層實(shí)現(xiàn)串聯(lián)或并聯(lián)。
7.如權(quán)利要求1所述的微電磁元件，其特征在于：至少一層元件層的基片設(shè)置有導(dǎo)磁體。
8.如權(quán)利要求1或7所述的微電磁元件，其特征在于：所述元件層的基片的材質(zhì)為硅、陶瓷、玻璃、藍(lán)寶石、lds塑料、...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：周宏達(dá)，王成川，王冠智，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：廈門圣德斯貴電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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