本發明專利技術的一方面目的在于提供一個包含連接柱、具有優越連接可靠性的新型結構的半導體封裝。根據本發明專利技術的半導體封裝，它具有包括半導體芯片；第一連接體，在第一面安裝有所述半導體芯片，在所述第一面上配備有第一連接面；第二連接體，配備有第二連接面；連接柱，縱橫比(長度/直徑)為1至10，第一端部以及第二端部分別與所述第一連接面及所述第二連接面接合并借此進行電性連接；以及，焊錫接合點，配備于所述第一連接面與所述第一端部之間的特征。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術關于連接柱用的焊錫膏，更具體地說，是關于為了將具有電氣導電性的、用于電氣連接的金屬柱電連接到電極或基板上的焊錫膏。本專利技術關于連接柱，更具體地說，是關于具有電氣導電性的、用于電氣連接的金屬柱或者在金屬柱上具有焊錫層的焊錫柱。本專利技術關于半導體封裝，更具體地說，是關于包含有高長寬比的連接柱的半導體封裝。
技術介紹
1、隨著電極的間距不斷縮小，半導體裝配中的連接材料需要開發新的概念。因此，正在研究使用金屬形狀的連接材料，如金屬柱或在電氣連接用金屬柱上電鍍的焊錫層的導電焊錫柱來實現穩定的連接。
2、使用金屬柱或焊錫柱時，即使間距縮小，也可以無橋接風險地使用，而且由于金屬柱或焊錫柱由高熱導率的金屬制成，因此它們還具有將半導體產生的熱量散發到基板的散熱效果。
3、另一方面，某些封裝上封裝(package?on?package,pop)結構的堆疊封裝結構中已知用于形成下芯片(bottom?die)和上芯片(top?die)的垂直連接的銅柱(copper?pillar)的方法，但該銅柱的形成方法是通過電鍍從內部堆疊，而從外部制造的金屬柱及其制造方法，金屬柱上涂有焊錫層的導電焊錫柱及其制造方法，連接柱的傳輸方法，連接柱的連接方法等沒有進行詳細的研究，因此急需開發這方面的技術。
4、此外，為了在半導體連接中使用具有高長寬比的連接柱，還需要開發具有高連接穩定性的特定膏體組合。
5、【先行技術文獻】
6、(專利文獻1)韓國公開號碼第10-2007-0101157號。
r/>技術實現思路
1、本專利技術的一方面目的在于提供在連接用針與半導體及其他部件連接時，連接可靠性優越的連接柱用焊錫膏。
2、本專利技術的另一方面目的在于提供電導率和熱導率均優越，即使在高長寬比下也具有優越的連接可靠性的連接柱。
3、本專利技術的又一方面目的在于提供一個包含連接柱、具有優越連接可靠性的新型結構的半導體封裝。
4、根據本專利技術的半導體封裝，它具有包括半導體芯片；第一連接體，在第一面安裝有所述半導體芯片，在所述第一面上配備有第一連接面；第二連接體，配備有第二連接面；連接柱，縱橫比(長度/直徑)為1至10，第一端部以及第二端部分別與所述第一連接面及所述第二連接面接合并借此進行電性連接；以及，焊錫接合點，配備于所述第一連接面與所述第一端部之間的特征。
5、根據本專利技術的半導體封裝，它具有連接柱與所述第一連接面形成的傾斜角度為4°以內的特征。
6、根據本專利技術的半導體封裝，它具有連接柱的表面粗糙度為rms?0.5至1μm的特征。
7、根據本專利技術的半導體封裝，它具有焊錫接合點由形成于連接柱的外側面上的焊料層熔融后固化而成的特征。
8、根據本專利技術的半導體封裝，它具有焊點由配備于第一連接面上的焊錫膏熔融后固化而成的特征。
9、根據本專利技術的半導體封裝，它具有焊錫膏的熔融率為99％以上的特征。
10、根據本專利技術的半導體封裝，它具有焊錫接合點中的空洞為10％以內的特征。
11、根據本專利技術的半導體封裝，它具有在半導體芯片的底面配備有用于電性接合的焊錫凸塊，從而與第一連接面連接的特征。
12、根據本專利技術的半導體封裝，它具有在半導體芯片與第一連接體之間配備有填充劑的特征。
13、根據本專利技術的半導體封裝，它具有在半導體芯片的上側面配備有焊錫凸塊，從而與第二連接面連接，而半導體芯片的下側面通過粘合劑與第一連接面粘合的特征。
14、根據本專利技術的半導體封裝，它具有配備于半導體芯片的底面的焊錫凸塊由寬高比(長度/直徑)為1至10的第二連接柱構成的特征。
15、根據本專利技術的半導體封裝，它具有半導體芯片層疊有至少兩個以上的特征。
16、根據本專利技術的半導體封裝，它具有包括半導體芯片；第一連接體，配備有可供半導體芯片的端子連接的第一連接面；連接柱，縱橫比(長度/直徑)為1至10，第一端部以及第二端部分別與第一連接面及端子接合并借此進行電性連接；以及，焊錫接合點，配備于第一連接面與第一端部之間的特征。
17、根據本專利技術的半導體封裝，它具有焊錫接合點包括由形成于連接柱的外側面上的焊料層熔融后固化而成的固化物的特征。
18、根據本專利技術的半導體封裝，它具有焊點包括由配備于第一連接面上的焊錫膏熔融后固化而成的固化物的特征。
19、根據本專利技術的半導體封裝，它具有配備于連接柱的外側面上的焊料層與配備于第一連接面上的焊錫膏的成分相同的特征。
20、根據本專利技術的半導體封裝制造方法，它具有以下步驟：提供配備有第一連接面的第一連接體的步驟；將配備有第一端部及第二端部且縱橫比為1至10的連接柱的第一端部與第一連接面接合的步驟；將半導體芯片粘合到第一連接體的步驟；為了對半導體芯片進行保護而利用樹脂填充半導體的周邊的步驟；提供與第一連接體相向的配備有第二連接面的第二連接體的步驟；以及將連接柱的第二端部與第二連接面接合的步驟。
21、根據本專利技術的半導體封裝制造方法，它具有第一連接體是從由半導體封裝的pcb、中介體、rdl及柔性基板構成的組中選擇的某一個，連接面是由配備于連接體上的電極、焊盤、端子、布線及凸塊構成的某一個的特征。
22、根據本專利技術的一方面，連接針用的焊錫膏可以改進在連接用針安裝過程中發生的腐蝕和焊錫膏的固化問題，并由于適當的組成提供優越的焊接質量。因此，這種專利技術可以大幅度減少半導體連接過程中的不良率，并提高產品的電性可靠性。此外，它可以提高半導體制造的生產率和節省成本，確保制造過程的穩定性和準確性。
23、此外，根據本專利技術的另一方面，連接柱具有優越的電導率和熱導率，在高長寬比下仍然具有優越的連接可靠性。并且與傳統連接部件相比，焊錫層的體積減少，因此連接柱的熱導率較高，從而產生的熱能散發到基板，具有散熱效果。
24、此外，根據本專利技術的半導體封裝，盡管連接材料設置在狹窄的區域內，但連接材料的傾斜(tilt)、缺失(missing)、剪切強度和未熔合的減少不會發生，缺陷率降低，產品的電性可靠性得到增強。
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【技術保護點】
1.一種半導體封裝，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，
3.根據權利要求1所述的半導體封裝，
4.根據權利要求1所述的半導體封裝，
5.根據權利要求4所述的半導體封裝，
6.根據權利要求4所述的半導體封裝，
7.根據權利要求4所述的半導體封裝，
8.根據權利要求1所述的半導體封裝，
9.根據權利要求8所述的半導體封裝，
10.根據權利要求9所述的半導體封裝，
11.根據權利要求1所述的半導體封裝，
12.根據權利要求1所述的半導體封裝，
13.一種半導體封裝，包括：
14.根據權利要求13所述的半導體封裝，
15.根據權利要求13所述的半導體封裝，
16.根據權利要求13所述的半導體封裝，
17.一種半導體封裝的制造方法，包括：
18.根據權利要求17所述的半導體封裝的制造方法，
【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，
3.根據權利要求1所述的半導體封裝，
4.根據權利要求1所述的半導體封裝，
5.根據權利要求4所述的半導體封裝，
6.根據權利要求4所述的半導體封裝，
7.根據權利要求4所述的半導體封裝，
8.根據權利要求1所述的半導體封裝，
9.根據權利要求8所述的半導體封裝，
10.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吳熙奉，樸淳皓，殷東珍，片旼旭，張鉉智，樸恩光，金振圭，李燦珪，
申請(專利權)人：德山金屬株式會社，
類型：發明
國別省市：
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