【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種靜電吸盤。
技術介紹
1、例如在蝕刻裝置等半導體制造裝置中，作為用于吸附并保持成為處理的對象的硅片等基板的裝置而設置靜電吸盤。靜電吸盤具備：設置有吸附電極的電介體基板；及支撐電介體基板的基座板，具有這些相互被接合的結構。通常吸附電極被內置于電介體基板，但是作為金屬的基座板有時還作為吸附電極而被使用。如果對吸附電極外加電壓，則產生靜電力，吸附并保持放置在電介體基板上的基板。
2、處理中，由于被暴露于等離子體，因此基板的溫度上升，電介體基板的溫度也上升。在近年來的半導體制造裝置中，處理中射入基板及電介體基板的能量有增大的傾向。因此，對基座板要求與以往相比更高的冷卻性能。另外，對接合電介體基板與基座板之間的接合層，要求與以往相比更高的傳熱性能。
3、作為用于提高接合層的傳熱性能(具體而言是熱導率)的方法，例如下述的專利文獻1所記載，通常在接合層的內部含有稱為“填料”的顆粒狀的填充材。例如，當接合層為發生固化的硅酮粘接劑時，作為填充材而使用熱導率高于其周圍硅酮的氧化鋁等的顆粒。
4、專利文獻
5、專利文獻1：國際公開第2009/107701號
技術實現思路
1、根據對接合層所要求的傳熱性能，適當調整接合層中含有的填充材的量。如上所述，由于近年來對接合層要求較高的傳熱性能，因此關于接合層中含有的填充材的量，認為今后也會進一步增加。
2、但是，根據本專利技術者進行的實驗等，得到了如下新的知識，即在接合層的部分被冷卻到
3、本專利技術是鑒于這樣的問題而進行的，所要解決的技術問題是提供一種靜電吸盤，其能夠抑制接合層發生剝離。
4、為了解決上述問題，本專利技術所涉及的靜電吸盤具備：電介體基板；基座板；及接合層，對電介體基板與基座板之間進行接合。接合層是在樹脂的內部含有多個顆粒狀的填充材的層，接合層中，填充材的含量為70重量％以下。
5、根據本專利技術者進行的實驗等，得到了如下新的知識，即在接合層被冷卻到-60℃或者其以下的低溫環境中，如果接合層中的填充材的含量超過70重量％，則接合層的柔軟性會急劇下降。從而，如果如上所述地使填充材的含量成為70重量％以下，則即使在低溫環境下，也能夠充分確保接合層的柔軟性，能夠將接合層發生剝離的可能性抑制成較低。
6、根據本專利技術，可提供一種靜電吸盤，其能夠抑制接合層發生剝離。
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1.一種靜電吸盤，其特征為，
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述樹脂為硅酮。
3.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述填充材作為主成分而含有氧化鋁。
4.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述接合層的厚度為0.3mm以下。
5.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，至少一部分的所述填充材的形狀為球形。
【技術特征摘要】
1.一種靜電吸盤，其特征為，
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述樹脂為硅酮。
3.根據權利要求1所述的靜電吸盤，其特征為，所述填充材作為主成分而含有氧化...
【專利技術屬性】
技術研發人員：池口雅文，小林幸太，籾山大，
申請(專利權)人：TOTO株式會社，
類型：發明
國別省市：
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