【技術實現步驟摘要】
本申請屬于光耦合器，尤其涉及一種光耦合器的制備方法、光耦合器及電子設備。
技術介紹
1、光耦合器為交直流并用的半導體耦合器，是一種發光器件和受光器件一體化的器件。光耦合器的輸入側和輸出側電氣性絕緣，但信號可以通過光信號傳輸。
2、現有市面上的光耦合器的光信號收發系統采用面對面框架結構，或者采用面對背框架結構。但是，無論是采用面對面框架結構還是采用面對背框架結構，光信號收發端之間會存在走線遮擋，造成光耦合器的有效面積減小，而且，光信號收發端之間的走線也會造成光信號收發端之間距離較大，造成光耦合器的整體體積偏大，同時也會影響光耦合器的反應時間，導致光耦合效率降低。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種光耦合器的制備方法，旨在解決現有的光耦合器體積大、成本高以及光耦合效率低的問題。
2、本申請實施例是這樣實現的，提供一種光耦合器的制備方法，包括：
3、提供發光器件，發光器件具有第一表面及與所述第一表面相背的第一電極端口；
4、提供受光器件，受光器件具有第二表面及與所述第二表面相背的第二電極端口；
5、將受光器件通過第二表面堆疊于發光器件的第一表面，第一電極端口和第二電極端口相背設置，以使發光器件發射的光線用于通過第一表面和第二表面到達受光器件。
6、進一步地，還包括：
7、在受光器件和發光器件之間設置隔離層，隔離層位于第一表面及第二表面之間。
8、進一步地，還包括：
9、在受光器
10、進一步地，還包括：
11、提供電連接層，并將受光器件或者發光器件堆疊于電連接層上，以使電連接層與第一電極端口電連接，或者使電連接層與第二電極端口電連接。
12、進一步地，還包括：
13、提供有源器件，將有源器件與發光器件的電極電連接，和/或將有源器件與受光器件的電極電連接。
14、進一步地，還包括：
15、制備焊盤，焊盤用于與第一電極端口電連接，和/或焊盤用于與第二電極端口電連接。
16、進一步地，發光器件和/或受光器件為倒裝芯片。
17、進一步地，發光器件所發射的光線的波長小于受光器件所接收的光線的波長，且發光器件所發射的光線的波長與受光器件所接收的光線的波長之間的差值大于20納米。
18、進一步地，隔離層在第一表面所在平面的投影面積覆蓋并大于第一表面的面積。
19、進一步地，還包括：
20、提供封裝件，封裝件用于將發光器件和受光器件封裝，封裝件設置有用于露出第一電極端口和第二電極端口的窗口。
21、進一步地，受光器件的有源層包括直接禁帶材料。
22、第二方面，本申請還提供一種光耦合器，光耦合器通過采用如上述的制備方法制得。
23、第三方面，本申請還提供一種光耦合器，包括：
24、發光器件，具有第一表面及與第一表面相背的第一電極端口；以及
25、受光器件，具有第二表面及與第二表面相背的第二電極端口；
26、受光器件通過第二表面堆疊于發光器件的第一表面，第一電極端口和第二電極端口相背設置，發光器件發射的光線通過第一表面和第二表面到達受光器件。
27、進一步地，還包括設置在第一表面和第二表面之間的隔離層，隔離層位于第一表面及第二表面之間。
28、進一步地，還包括設置在第一表面和第二表面之間的透明連接層。
29、進一步地，還包括電連接層，受光器件或者發光器件堆疊于電連接層上，以使電連接層與第一電極端口電連接，或者使電連接層與第二電極端口電連接。
30、進一步地，還包括有源器件，有源器件與發光器件的電極電連接，和/或有源器件與受光器件的電極電連接。
31、進一步地，焊盤，焊盤用于與第一電極端口電連接，和/或焊盤用于與第二電極端口電連接。
32、進一步地，發光器件和/或受光器件為倒裝芯片。
33、進一步地，發光器件所發射的光線的波長小于受光器件所接收的光線的波長，且發光器件所發射的光線的波長與受光器件所接收的光線的波長之間的差值大于20納米。
34、進一步地，隔離層在第一表面所在平面的投影面積覆蓋并大于第一表面的面積。
35、進一步地，還包括封裝件，封裝件用于將發光器件和受光器件封裝，封裝件設置有用于露出第一電極端口和第二電極端口的窗口。
36、進一步地，受光器件的有源層包括直接禁帶材料。
37、第四方面，本申請還提供一種電子設備，包括如上述的光耦合器。
38、本申請的有益效果：本申請提供的光耦合器制備方法包括提供發光器件和受光器件，發光器件具有相背的第一表面及第一電極端口，受光器件具有相背的第二表面及第二電極端口，將受光器件通過第二表面堆疊于發光器件的第一表面，使第一電極端口和第二電極端口相背設置，以使發光器件發射的光線通過第一表面和第二表面到達受光器件。通過將發光器件和受光器件堆疊設置，使得發光器件發射的光線用于通過第一表面和第二表面到達受光器件，實現發光器件和受光器件之間的光信號傳輸，輸入接口和輸出接口分別位于發光器件和受光器件相背朝外一側，因此在發光器件和受光器件之間不需要走線，實現光耦合器的有效面積的最大化，同時還能使發光器件和受光器件之間的光耦距離減小，同時縮短光信號的傳輸距離，減小光耦合器的反應時間，同一時間接收的光子更多，提高了光耦合效率。
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1.一種光耦合器的制備方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述發光器件和/或所述受光器件為倒裝芯片。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述發光器件所發射的光線的波長小于所述受光器件所接收的光線的波長，且所述發光器件所發射的光線的波長與所述受光器件所接收的光線的波長之間的差值大于20納米。
9.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述隔離層在所述第一表面所在平面的投影面積覆蓋并大于所述第一表面的面積。
10.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，還包括：
11.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述受光器件的有源層包括直接禁帶材料。
<...【技術特征摘要】
1.一種光耦合器的制備方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括：
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述發光器件和/或所述受光器件為倒裝芯片。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述發光器件所發射的光線的波長小于所述受光器件所接收的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蒲賢勇，黃衛東，
申請(專利權)人：玻芯成重慶半導體科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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