【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及多晶硅生產(chǎn)，尤其涉及一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法。
技術(shù)介紹
1、在生產(chǎn)制造多晶硅時(shí)，常用到冷氫化工藝技術(shù)，其反應(yīng)在高壓、低溫條件下進(jìn)行，相對(duì)其他合成三氯氫硅（tcs）的能耗較低、成本較低，因此適合大規(guī)模生產(chǎn)多晶硅；冷氫化工藝中主要以四氯化硅（stc）、工業(yè)硅粉和氫氣作為反應(yīng)原料，其中工業(yè)硅粉中常混合有各種金屬及非金屬雜質(zhì)，其中非金屬雜質(zhì)以硼（b）、磷（p）等雜質(zhì)元素為主，在經(jīng)過(guò)冷氫化反應(yīng)后主要以bcl3等硼化合物以及pcl3和pci5等磷化合物存在于反應(yīng)的產(chǎn)物中，此類雜質(zhì)與三氯氫硅、四氯化硅等產(chǎn)物的沸點(diǎn)接近，通過(guò)精餾工藝提純也難以去除，反應(yīng)產(chǎn)物中的b、p雜質(zhì)含量較高導(dǎo)致后續(xù)氣相沉積生產(chǎn)的硅棒中b、p雜質(zhì)含量升高，在產(chǎn)品硅棒中富集，影響多晶硅產(chǎn)品的品質(zhì)；多晶硅具有半導(dǎo)體的特點(diǎn)，是非常關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料，但是其中具有的少量雜質(zhì)對(duì)其導(dǎo)電性有著非常大的影響，因此對(duì)b、p雜質(zhì)的控制在多晶硅生產(chǎn)中極為關(guān)鍵。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題。
2、本專利技術(shù)由如下技術(shù)方案實(shí)施：一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，包括以下步驟：
3、s1：在冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物的精餾塔進(jìn)料中加入六氯二硅氧烷，將六氯二硅氧烷與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物一同進(jìn)行精餾；
4、s2：分別收集所述步驟s1中精餾塔塔頂產(chǎn)物和塔底的液相混合物；
5、s
6、s4：將所述步驟s3中回收的六氯二硅氧烷送入冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物的精餾塔，與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物混合后進(jìn)料。
7、進(jìn)一步的，所述步驟s1中六氯二硅氧烷與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物加入的體積比為1:20-1:1000。
8、進(jìn)一步的，所述步驟s2中精餾塔塔頂產(chǎn)物餾分的溫度為：30-60℃。
9、進(jìn)一步的，所述步驟s4中回收的六氯二硅氧烷與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物的加入體積比為1:20-1:1000。
10、進(jìn)一步的，所述步驟s3中粗粉塔回收六氯二硅氧烷的塔內(nèi)壓力為600-700kpa，塔溫為100-110℃。
11、本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)將六氯二硅氧烷加入到冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中混合，共同在精餾塔內(nèi)進(jìn)行分餾，對(duì)其中b/p含量降低效果明顯，并且六氯二硅氧烷可在精餾塔塔底進(jìn)行回收利用，六氯二硅氧烷本身是一種反應(yīng)副產(chǎn)物，使用成本較低，并且可以回收反復(fù)利用，可以大幅節(jié)約生產(chǎn)成本，提高多晶硅產(chǎn)品的純度。
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1.一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述步驟S1中六氯二硅氧烷與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物加入的體積比為1:20-1:1000。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述步驟S2中精餾塔塔頂產(chǎn)物餾分的溫度為：30-60℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述步驟S4中回收的六氯二硅氧烷與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物的加入體積比為1:20-1:1000。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述步驟S3中粗粉塔回收六氯二硅氧烷的塔內(nèi)壓力為600-700Kpa，塔溫為100-110℃。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述步驟s1中六氯二硅氧烷與冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物加入的體積比為1:20-1:1000。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去除多晶硅生產(chǎn)中冷氫化反應(yīng)產(chǎn)物中硼、磷雜質(zhì)的方法，其特征在于，所述步驟s2中精餾塔塔頂產(chǎn)物餾分的溫...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：趙星，王俊俊，王浩然，趙婷，劉晶，杜小鵬，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：內(nèi)蒙古大全新能源有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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