【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本公開的實施例總體上涉及發(fā)光二極管(led)器件陣列及其制造方法。更特別地，實施例針對單片集成的紅、綠、藍(rgb)發(fā)射器陣列，其具有減少數(shù)量的臺面蝕刻步驟和接觸端子。
技術(shù)介紹
1、諸如虛擬現(xiàn)實系統(tǒng)和增強現(xiàn)實系統(tǒng)的可視化系統(tǒng)在諸如娛樂、教育、醫(yī)學和商業(yè)之類的領(lǐng)域中正變得越來越普遍。存在持續(xù)的努力來改進可視化系統(tǒng)(諸如虛擬現(xiàn)實系統(tǒng)和增強現(xiàn)實系統(tǒng))。
2、微led(μled)可以是小尺寸的led(通常直徑為～50μm或更小)，當紅色、綠色和藍色波長的μled可以緊密排列時，它們可以用于產(chǎn)生非常高分辨率的彩色顯示器。μled顯示器的制造通常涉及從單獨的藍色、綠色和紅色wl晶片中挑選出已切單的μled，并將它們在顯示器上交替緊密排列。
3、對要求微觀像素間距的高分辨率彩色led顯示器存在興趣。當led的尺寸在幾十微米或更小的范圍內(nèi)時，組裝生長在單獨晶片上的紅色、綠色和藍色led變得困難。單片rgb集成是一種方法，它避免了將微觀led操縱到顯示器上正確位置中的問題，但也帶來了其自己的一系列挑戰(zhàn)。當前的單片rgb陣列需要至少三個偏置端子加上一個接地連接。在高分辨率顯示器中，可用于制造所有這些臺面蝕刻和端子的空間有限，從而使得實際實現(xiàn)設計是困難的。
4、單片rgb的其它方法使用包含三種顏色的量子阱的一個p-n結(jié)。取決于所施加的偏置，在特定的阱中產(chǎn)生相對更多或更少的光，從而允許對色點進行一些控制。在它們每個像素僅使用兩個端子工作的范圍內(nèi)，這種方法是吸引人的，但是跨有源區(qū)的過量電壓是不可避免的，并且需要濾波器
5、因此，需要改進的μled器件和改進的制造方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本公開的實施例針對發(fā)光二極管(led)陣列和用于制造led陣列的方法。在一個或多個實施例中，發(fā)光二極管(led)陣列包括：在第二發(fā)光堆疊上的第一發(fā)光堆疊、在第三發(fā)光堆疊上的第二發(fā)光堆疊、在結(jié)合到背板的反射p接觸電極上的第三發(fā)光堆疊，其中第一發(fā)光堆疊包括在第一顏色有源區(qū)上的第一n型層上的第一電接觸、在第一p型層上的第一顏色有源區(qū)、以及在第一隧道結(jié)上的第一p型層，第二發(fā)光堆疊包括在與第一隧道結(jié)接觸的第二n型層上和在第二隧道結(jié)上的第二電接觸、在第二p型層上的第二隧道結(jié)、以及在第二顏色有源區(qū)上的第二p型層，并且第三發(fā)光堆疊包括在與第二顏色有源區(qū)接觸的第三n型層上和在第三p型層上的第三電接觸。
2、本公開的另外的實施例針對制造led陣列的方法。在一個或多個實施例中，該方法包括：在外延晶片上順序形成至少三個p-n結(jié)以形成外延堆疊，該外延堆疊包括至少一個n型層和至少一個p型層，并且具有嵌入在至少一個n型層和至少一個p型層之間的顏色有源區(qū)；在外延堆疊上沉積反射p接觸電極；將反射p接觸電極結(jié)合到背板晶片；干法蝕刻外延堆疊以接近至少一個n型層，從而形成電接觸和臺面；在臺面上方共形沉積電介質(zhì)層；移除電介質(zhì)層的一部分以在臺面的頂表面上形成電介質(zhì)開口，該電介質(zhì)開口暴露至少一個n型層；在電介質(zhì)開口中沉積歐姆接觸以形成電接觸；在臺面的一部分上方沉積共形金屬層，并形成跨臺面中心的間隙以允許光出射；以及在led陣列的頂部上方沉積電極網(wǎng)格。
3、本公開的附加實施例針對可視化或顯示系統(tǒng)。在一個或多個實施例中，可視化系統(tǒng)包括：電池；無線電；傳感器；視頻生成處理器；包括本文描述的一個或多個實施例的led陣列的光源；調(diào)制器；調(diào)制處理器；合束器；投影光學器件；屏幕；和透鏡。
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1.一種發(fā)光二極管(LED)陣列，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，進一步包括圍繞所述第一發(fā)光堆疊、所述第二發(fā)光堆疊和所述第三發(fā)光堆疊的電介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED陣列，進一步包括在所述電介質(zhì)層上的反射金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，其中所述第一發(fā)光堆疊和所述第二發(fā)光堆疊共享連接到第二電接觸的第二n型層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED陣列，其中當所述第一發(fā)光堆疊和所述第二發(fā)光堆疊被并聯(lián)驅(qū)動時，發(fā)射的聚合顏色由電壓控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，進一步包括電極網(wǎng)格。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，其中所述第一n型層、所述第二n型層和所述第三n型層獨立地包括氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化鎵鋁(GaAlN)、氮化鎵銦(GaInN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁(InAlN)等中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的LED陣列，其中所述第一n型層、所述第二n型層和所述
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，其中所述第一電接觸、所述第二電接觸和所述第三電接觸獨立地包括鋁。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，其中所述反射p接觸電極包括鋁(Al)、鉑(Pt)、銀(Ag)中的一種或多種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED陣列，其中所述反射p接觸電極包括雙層，所述雙層包括氧化銦錫(ITO)以及鋁(Al)、鉑(Pt)和銀(Ag)中的一種或多種。
12.一種制造LED陣列的方法，所述方法包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進一步包括在沉積反射p接觸電極之前對外延堆疊進行退火。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述外延堆疊包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中當所述第一發(fā)光堆疊和所述第二發(fā)光堆疊被并聯(lián)驅(qū)動時，發(fā)射的聚合顏色由電壓控制。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一n型層、所述第二n型層和所述第三n型層獨立地包括氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化鎵鋁(GaAlN)、氮化鎵銦(GaInN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦鋁(InAlN)等中的一種或多種。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一n型層、所述第二n型層和所述第三n型層包括氮化鎵(GaN)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電接觸包括鋁。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述反射p接觸電極包括鋁(Al)、鉑(Pt)、銀(Ag)中的一種或多種，或者其中所述反射p接觸電極包括雙層，所述雙層包括氧化銦錫(ITO)以及鋁(Al)、鉑(Pt)和銀(Ag)中的一種或多種。
20.一種可視化系統(tǒng)，包括：
...【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
1.一種發(fā)光二極管(led)陣列，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led陣列，進一步包括圍繞所述第一發(fā)光堆疊、所述第二發(fā)光堆疊和所述第三發(fā)光堆疊的電介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的led陣列，進一步包括在所述電介質(zhì)層上的反射金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led陣列，其中所述第一發(fā)光堆疊和所述第二發(fā)光堆疊共享連接到第二電接觸的第二n型層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的led陣列，其中當所述第一發(fā)光堆疊和所述第二發(fā)光堆疊被并聯(lián)驅(qū)動時，發(fā)射的聚合顏色由電壓控制。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led陣列，進一步包括電極網(wǎng)格。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led陣列，其中所述第一n型層、所述第二n型層和所述第三n型層獨立地包括氮化鎵(gan)、氮化鋁(aln)、氮化銦(inn)、氮化鎵鋁(gaaln)、氮化鎵銦(gainn)、氮化鋁鎵(algan)、氮化鋁銦(alinn)、氮化銦鎵(ingan)、氮化銦鋁(inaln)等中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的led陣列，其中所述第一n型層、所述第二n型層和所述第三n型層包括氮化鎵(gan)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led陣列，其中所述第一電接觸、所述第二電接觸和所述第三電接觸獨立地包括鋁。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的led陣列，其中所述反射p接觸電極包括鋁(al)、鉑(pt)、銀(ag)中的一種或多種。
11.根據(jù)權(quán)利要...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：R·阿米蒂奇，
申請(專利權(quán))人：亮銳有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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