【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
技術(shù)介紹
1、離子漏斗可以是在質(zhì)譜儀系統(tǒng)內(nèi)用于收集離子的裝置。在一個(gè)例子中，離子漏斗可以包括相對(duì)大的入口直徑并且將離子輸送到具有相對(duì)小的出口直徑的出口。在一種類型的離子漏斗中，一組堆疊的(例如，平行的)板可以在每個(gè)板中包括開(kāi)口，并且所述開(kāi)口可以沿著中心軸線對(duì)準(zhǔn)。
2、在質(zhì)譜儀系統(tǒng)的操作期間，離子可以通過(guò)相對(duì)大直徑的入口進(jìn)入并且通過(guò)相對(duì)小直徑的出口離開(kāi)。離子可以借助于軸向電場(chǎng)從入口向前移動(dòng)到出口。可以通過(guò)設(shè)置每個(gè)板的直流(dc)電勢(shì)以形成從入口到出口的下坡電勢(shì)降來(lái)創(chuàng)建軸向電場(chǎng)。通過(guò)向板施加交替相位射頻(rf)電壓，可以防止離子撞擊離子漏斗的壁，例如，在環(huán)直徑處或在每個(gè)板處。在一個(gè)例子中，rf電壓和dc電壓可以從一對(duì)rf輸入和一對(duì)dc輸入分配到具有電阻器和電容器階梯的一組板。
3、在一些情況下，離子可以通過(guò)與背景氣體(諸如氮?dú)?碰撞而在離子漏斗內(nèi)冷卻。背景氣體可以幫助收集具有相對(duì)大的輸入能量的離子，以在出口處遞送具有相對(duì)低的能量的離子。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種基于離子漏斗的碰撞單元，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形入口或者所述截錐形或異形出口中的至少一個(gè)包括圓形截面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形入口或者所述截錐形或異形出口中的至少一個(gè)包括非圓形截面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形出口沿著所述基于離子漏斗的碰撞單元的中心軸線設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形出口相對(duì)于所述基于離子漏斗的碰撞單元的中心軸線徑向偏移。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述多個(gè)相鄰設(shè)置的入口構(gòu)件中的至少一個(gè)入口構(gòu)件至少部分地形成為板。
9.一種基于離子漏斗的碰撞單元，其包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于離子漏斗的碰撞單元
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述特定的形狀包括成角度的壁，用于抑制徑向氣體膨脹。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形入口或者所述截錐形或異形出口中的至少一個(gè)包括圓形截面。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形入口或者所述截錐形或異形出口中的至少一個(gè)包括非圓形截面。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形出口沿著所述基于離子漏斗的碰撞單元的中心軸線設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形出口相對(duì)于所述基于離子漏斗的碰撞單元的中心軸線徑向偏移。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
18.一種基于離子漏斗的碰撞單元，其包括：
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述多個(gè)相鄰設(shè)置的入口構(gòu)件中的至少一個(gè)入口構(gòu)件至少部分地形成為板。
...【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專利技術(shù)】
1.一種基于離子漏斗的碰撞單元，其包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形入口或者所述截錐形或異形出口中的至少一個(gè)包括圓形截面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形入口或者所述截錐形或異形出口中的至少一個(gè)包括非圓形截面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形出口沿著所述基于離子漏斗的碰撞單元的中心軸線設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述截錐形或異形出口相對(duì)于所述基于離子漏斗的碰撞單元的中心軸線徑向偏移。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其進(jìn)一步包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述多個(gè)相鄰設(shè)置的入口構(gòu)件中的至少一個(gè)入口構(gòu)件至少部分地形成為板。
9.一種基于離子漏斗的碰撞單元，其包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述特定的形狀包括從平坦的內(nèi)板突出的正交壁。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于離子漏斗的碰撞單元，其中，所述特定...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：K·R·紐頓，T·陳，S·扎農(nóng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：安捷倫科技有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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