【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種圖形修正方法。
技術(shù)介紹
1、為實現(xiàn)將圖形從掩膜版中轉(zhuǎn)移到硅片表面，通常需要經(jīng)過曝光步驟、曝光步驟之后進(jìn)行的顯影步驟和顯影步驟之后的刻蝕步驟。在曝光步驟中，光線通過掩膜版中透光的區(qū)域照射至涂覆有光刻膠的硅片上，光刻膠在光線的照射下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；在顯影步驟中，利用感光和未感光的光刻膠對顯影劑的溶解程度的不同，形成光刻圖案，實現(xiàn)掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上；在刻蝕步驟中，基于光刻膠層所形成的光刻圖案對硅片進(jìn)行刻蝕，將掩膜版的圖案進(jìn)一步轉(zhuǎn)移至硅片上。
2、在半導(dǎo)體制造中，隨著設(shè)計尺寸的不斷縮小，設(shè)計尺寸越來越接近光刻成像系統(tǒng)的極限，光的衍射效應(yīng)變得越來越明顯，導(dǎo)致最終對設(shè)計圖形產(chǎn)生光學(xué)影像退化，實際形成的光刻圖案相對于掩膜版上的圖案發(fā)生嚴(yán)重畸變，最終在硅片上經(jīng)過光刻形成的實際圖形和設(shè)計圖形不同，這種現(xiàn)象稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)(ope：optical?proximity?effect)。
3、為了修正光學(xué)鄰近效應(yīng)，便產(chǎn)生了光學(xué)鄰近修正(opc：optical?proximitycorrection)。光學(xué)鄰近修正的核心思想就是基于抵消光學(xué)鄰近效應(yīng)的考慮建立光學(xué)鄰近修正模型，根據(jù)光學(xué)鄰近修正模型設(shè)計光掩模圖形，這樣雖然光刻后的光刻圖形相對應(yīng)光掩模圖形發(fā)生了光學(xué)鄰近效應(yīng)，但是由于在根據(jù)光學(xué)鄰近修正模型設(shè)計光掩模圖形時已經(jīng)考慮了對該現(xiàn)象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實際希望得到的目標(biāo)圖形。
4、隨著器件特征尺寸的不斷減小，使得照射至光刻膠層上的圖形發(fā)生明顯的變形和失真。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)解決的技術(shù)問題是提供一種圖形修正方法，以提升圖形修正效率。
2、為解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)技術(shù)方案提供一種圖形修正方法，包括：提供待修正版圖，所述待修正版圖包括若干待修正圖形；對待修正版圖進(jìn)行曝光顯影，獲取光刻版圖，所述光刻版圖包括若干光刻圖形，所述光刻圖形與所述待修正圖形一一對應(yīng)；獲取光刻圖形的三維輪廓；判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移；根據(jù)所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移的情況，獲取第一圖形和第二圖形，所述第一圖形為無需修正的待修正圖形，所述第二圖形為除第一圖形之外的待修正圖形；對所述第二圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
3、可選的，判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移的方法包括：獲取相鄰所述三維輪廓的側(cè)壁之間的若干等位線，若干所述等位線平行于光刻版圖表面；獲取若干等位線中最長等位線和最短等位線之間的長度差；根據(jù)所述長度差的絕對值是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移。
4、可選的，根據(jù)所述長度差的絕對值是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移：若所述長度差的絕對值未在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則判斷所述三維輪廓的側(cè)壁發(fā)生了偏移；若所述長度差的絕對值在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則判斷所述三維輪廓的側(cè)壁未發(fā)生偏移。
5、可選的，獲取第一圖形和第二圖形的方法包括：若所述三維輪廓的側(cè)壁發(fā)生了偏移，則所述三維輪廓對應(yīng)的待修正圖形無需進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，獲取第一圖形；若所述三維輪廓的側(cè)壁未發(fā)生偏移，則所述三維輪廓對應(yīng)的待修正圖形需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，獲取第二圖形。
6、可選的，對所述第二圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的方法包括：獲取第二圖形和對應(yīng)的三維輪廓之間的邊緣放置誤差；判斷三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊緣放置誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；根據(jù)三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊緣放置誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的情況，判斷三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域是否需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
7、可選的，根據(jù)三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊緣放置誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的情況，判斷三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域是否需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的方法包括：若三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)有大于第一預(yù)設(shè)比例數(shù)量的邊緣放置誤差在預(yù)設(shè)值范圍內(nèi)，則所述三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域無需進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正；若三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)有大于第二預(yù)設(shè)比例數(shù)量的邊緣放置誤差超過預(yù)設(shè)值范圍，則所述三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
8、可選的，所述預(yù)設(shè)值范圍為特征尺寸的2％～7％。
9、可選的，所述第一預(yù)設(shè)比例為80％；所述第二預(yù)設(shè)比例為20％。
10、可選的，獲取第二圖形和對應(yīng)的三維輪廓之間的邊緣放置誤差的方法包括：獲取三維輪廓在光刻版圖表面的若干投影圖形；獲取若干投影圖形中的目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形與第二圖形對應(yīng)；將目標(biāo)圖形的輪廓切割成若干線段；獲取若干線段與對應(yīng)的第二修正圖形輪廓線之間的若干邊緣放置誤差。
11、可選的，獲取光刻圖形的三維輪廓的方法包括：采用原子力顯微鏡獲取光刻圖形的三維輪廓。
12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)的技術(shù)方案具有以下有益效果：
13、本專利技術(shù)的技術(shù)方案，通過獲取光刻圖形的三維輪廓，先判斷三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移，再根據(jù)三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移的情況，從待修正圖形中獲取需要修正的第二圖形，從而能夠減少修正范圍，提高光學(xué)鄰近效應(yīng)修正效率和精度。
14、進(jìn)一步，采用原子力顯微鏡獲取光刻圖形的三維輪廓。通過獲取光刻圖形的三維輪廓，可以觀察到光刻圖形的內(nèi)部特征，從而能夠有效分析光刻圖形失真原因，進(jìn)而能夠準(zhǔn)確地進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
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1.一種圖形修正方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移的方法包括：獲取相鄰所述三維輪廓的側(cè)壁之間的若干等位線，若干所述等位線平行于光刻版圖表面；獲取若干等位線中最長等位線和最短等位線之間的長度差；根據(jù)所述長度差的絕對值是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移。
3.如權(quán)利要求2所述的圖形修正方法，其特征在于，根據(jù)所述長度差的絕對值是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移：若所述長度差的絕對值未在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則判斷所述三維輪廓的側(cè)壁發(fā)生了偏移；若所述長度差的絕對值在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則判斷所述三維輪廓的側(cè)壁未發(fā)生偏移。
4.如權(quán)利要求3所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取第一圖形和第二圖形的方法包括：若所述三維輪廓的側(cè)壁發(fā)生了偏移，則所述三維輪廓對應(yīng)的待修正圖形無需進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，獲取第一圖形；若所述三維輪廓的側(cè)壁未發(fā)生偏移，則所述三維輪廓對應(yīng)的待修正圖形需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，獲取第二圖形。
5.如權(quán)利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，對
6.如權(quán)利要求5所述的圖形修正方法，其特征在于，根據(jù)三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊緣放置誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的情況，判斷三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域是否需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的方法包括：若三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)有大于第一預(yù)設(shè)比例數(shù)量的邊緣放置誤差在預(yù)設(shè)值范圍內(nèi)，則所述三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域無需進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正；若三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)有大于第二預(yù)設(shè)比例數(shù)量的邊緣放置誤差超過預(yù)設(shè)值范圍，則所述三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的第二圖形區(qū)域需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正。
7.如權(quán)利要求6所述的圖形修正方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)值范圍為特征尺寸的2％～7％。
8.如權(quán)利要求6所述的圖形修正方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)比例為80％；所述第二預(yù)設(shè)比例為20％。
9.如權(quán)利要求5所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取第二圖形和對應(yīng)的三維輪廓之間的邊緣放置誤差的方法包括：獲取三維輪廓在光刻版圖表面的若干投影圖形；獲取若干投影圖形中的目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形與第二圖形對應(yīng)；將目標(biāo)圖形的輪廓切割成若干線段；獲取若干線段與對應(yīng)的第二修正圖形輪廓線之間的若干邊緣放置誤差。
10.如權(quán)利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取光刻圖形的三維輪廓的方法包括：采用原子力顯微鏡獲取光刻圖形的三維輪廓。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種圖形修正方法，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移的方法包括：獲取相鄰所述三維輪廓的側(cè)壁之間的若干等位線，若干所述等位線平行于光刻版圖表面；獲取若干等位線中最長等位線和最短等位線之間的長度差；根據(jù)所述長度差的絕對值是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移。
3.如權(quán)利要求2所述的圖形修正方法，其特征在于，根據(jù)所述長度差的絕對值是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)判斷所述三維輪廓的側(cè)壁是否發(fā)生偏移：若所述長度差的絕對值未在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則判斷所述三維輪廓的側(cè)壁發(fā)生了偏移；若所述長度差的絕對值在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)，則判斷所述三維輪廓的側(cè)壁未發(fā)生偏移。
4.如權(quán)利要求3所述的圖形修正方法，其特征在于，獲取第一圖形和第二圖形的方法包括：若所述三維輪廓的側(cè)壁發(fā)生了偏移，則所述三維輪廓對應(yīng)的待修正圖形無需進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，獲取第一圖形；若所述三維輪廓的側(cè)壁未發(fā)生偏移，則所述三維輪廓對應(yīng)的待修正圖形需要進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正，獲取第二圖形。
5.如權(quán)利要求1所述的圖形修正方法，其特征在于，對所述第二圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的方法包括：獲取第二圖形和對應(yīng)的三維輪廓之間的邊緣放置誤差；判斷三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊緣放置誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；根據(jù)三維輪廓預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊緣放置誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)的情況，判斷三...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：江小龍，任堃，高大為，
申請(專利權(quán))人：浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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