【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種襯底以及一種用于制造襯底的方法、尤其是一種用于制造用于功率半導體模塊的襯底的方法。
技術介紹
1、通常，功率半導體模塊具有一個或者多個襯底，所述襯底可以布置在底部板上或者布置在冷卻體上。具有多個可控半導體結構元件(例如igbt)的半導體組件布置在所述襯底中的至少一個襯底上。通常，襯底具有電絕緣的襯底層(例如陶瓷層)、第一導電層(例如第一金屬層)和第二導電層(例如第二金屬層)，所述第一導電層布置在襯底層的第一側上，所述第二導電層布置在該襯底層的與第一側對置的第二側上。可控半導體結構元件例如布置在第一導電層上。第二導電層通常與底部板或冷卻體連接，這就是說，該第二導電層布置在底部板/冷卻體與電絕緣的襯底層之間。
2、通常，至少第一導電層是結構化的層。這就是說，該層具有多個彼此間隔開的區段，所述區段通過在第一導電層中的連貫的切口彼此分開。為了制造不同區段，可以將最初連貫的導電層相應地結構化、例如蝕刻。在結構化之前，該連貫的導電層已經被污染。另外，也可能在結構化時產生污染物，所述污染物在結構化過程之后可能意外地保留在第一導電層上。但是，在通常跟隨在結構化之后的特定的清潔步驟中不能夠總是可靠地完全移除所有污染物。如果接下來將結構元件焊接到被污染的第一導電層上，則單個的最小的污染物也可能導致意外損壞。
技術實現思路
1、因此，存在對如下襯底和如下用于制造襯底的方法需求：盡管存在可能的污染物，該襯底或該方法具有盡可能低的易于損壞性。
2、用于制造用于半導體
3、用于半導體模塊的襯底具有介電絕緣層、布置在介電絕緣層的第一側上的第一導電層和鈍化層，其中，第一導電層是結構化的層，該結構化的層在第一導電層的不同的完全地彼此分開的區段之間具有一個或者多個切口，并且鈍化層覆蓋結構化的第一導電層的整個表面。
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1.用于制造用于半導體模塊的襯底(10)的方法，其中，所述方法具有：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層(40)的成形具有：
3.根據權利要求1或者2所述的方法，其中，所述鈍化層(40)的厚度小于5μm或者小于1μm。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層(40)是單層。
5.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層(40)具有有機分子，所述有機分子具有至少一個官能團。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述至少一個官能團具有磷酸鹽、硫醇、硅酮、碳酸、酯和氮化物中的一種或多種。
7.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層(40)的成形具有借助氫氟醚(HFE)清潔方法對所述第一導電層(111)的處理。
8.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述第一導電層(111)的結構化具有借助濕蝕刻方法或者干蝕刻方法對所述一個或者多個切口的蝕刻。
9.根據上述權利要求中任一項所述的方法，另外，所述方法在將所述第一導電層(111)結構
10.根據權利要求9所述的方法，其中，將所述鈍化層(40)這樣施加到所述導電層(111)上，使得所述鈍化層在所述至少一個清潔步驟之后完全覆蓋仍然保留在所述第一導電層(111)的表面上的污染物(30)。
11.根據上述權利要求中任一項所述的方法，另外，在成形所述鈍化層(40)之后，所述方法具有，借助焊接過程在所述第一導電層(111)和所述鈍化層(40)上施加一個或者多個半導體結構元件(20)。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，在使用焊接預制件的情況下并且在含甲酸的環境中執行所述焊接過程。
13.用于半導體模塊的襯底(10)，其中，所述襯底(10)具有
...【技術特征摘要】
1.用于制造用于半導體模塊的襯底(10)的方法，其中，所述方法具有：
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層(40)的成形具有：
3.根據權利要求1或者2所述的方法，其中，所述鈍化層(40)的厚度小于5μm或者小于1μm。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層(40)是單層。
5.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層(40)具有有機分子，所述有機分子具有至少一個官能團。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述至少一個官能團具有磷酸鹽、硫醇、硅酮、碳酸、酯和氮化物中的一種或多種。
7.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述鈍化層(40)的成形具有借助氫氟醚(hfe)清潔方法對所述第一導電層(111)的處理。
8.根據上述權利要求中任一項所述的方法，其中，所述第一導電層(111)的結構化具有借助濕蝕刻方法或者干蝕...
【專利技術屬性】
技術研發人員：C·林貝特里維埃，G·特羅斯卡，L·洛特施派希，M·戈爾達默，U·維爾克，B·多梅斯，L·博沃，
申請(專利權)人：英飛凌科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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