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    半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法技術(shù)
    
                            
    技術(shù)編號(hào)：44412092 閱讀：10 留言：0更新日期：2025-02-25 10:26
    
                        
    
                        
    
                            
                            方法包括在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路器件、形成貫穿半導(dǎo)體襯底的通孔、以及形成圍繞通孔的偽圖案。偽圖案包括具有第一圖案密度的第一多個(gè)偽圖案和第二多個(gè)偽圖案。第一多個(gè)偽圖案位于通孔和第二多個(gè)偽圖案之間。第二多個(gè)偽圖案具有不同于第一圖案密度的第二圖案密度。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。
    
                            
                            
    


    
                            

                            
    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    
                                
    本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

    技術(shù)介紹
    1、硅通孔(tsv)用作器件管芯中的電路徑，使得器件管芯相反側(cè)上的導(dǎo)電部件可以互連。tsv的形成工藝可以包括蝕刻半導(dǎo)體襯底以形成開口、用導(dǎo)電材料填充開口以形成tsv、執(zhí)行背側(cè)研磨工藝以從背側(cè)去除半導(dǎo)體襯底的一部分并暴露tsv、以及在半導(dǎo)體襯底的背側(cè)形成電連接件以連接tsv。

    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上形成集成電路器件；形成貫穿所述半導(dǎo)體襯底的第一通孔；以及形成圍繞所述第一通孔的偽圖案，其中，所述偽圖案包括：第一多個(gè)偽圖案，具有第一圖案密度；和第二多個(gè)偽圖案，其中，所述第一多個(gè)偽圖案位于所述第一通孔和所述第二多個(gè)偽圖案之間，并且其中，所述第二多個(gè)偽圖案具有與所述第一圖案密度不同的第二圖案密度。
    2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底；第一互連結(jié)構(gòu)，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底；第二互連結(jié)構(gòu)，位于所述半導(dǎo)體襯底下方；通孔，貫穿所述半導(dǎo)體襯底，其中，所述通孔將所述第一互連結(jié)構(gòu)中的第一金屬焊盤電連接至所述第二互連結(jié)構(gòu)中的第二金屬焊盤；第一偽焊盤區(qū)域，圍繞所述通孔，其中，所述第一偽焊盤區(qū)域包括具有第一圖案密度的第一偽圖案；以及第二偽焊盤區(qū)域，圍繞所述第一偽焊盤區(qū)域，其中，所述第二偽焊盤區(qū)域包括具有與所述第一圖案密度不同的第二圖案密度的第二偽圖案。
    3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底；第一通孔和第二通孔，貫穿所述半導(dǎo)體襯底；再分布結(jié)構(gòu)，包括：多個(gè)介電層，位于所述半導(dǎo)體襯底上方；和多條金屬線，位于所述多個(gè)介電層中；以及多個(gè)偽圖案，位于所述多個(gè)介電層中，其中，在所述結(jié)構(gòu)的俯視圖中，所述多個(gè)偽圖案位于所述第一通孔和所述第二通孔之間，其中，從靠近所述第一通孔或所述第二通孔的區(qū)域到所述第一通孔和所述第二通孔之間的中間區(qū)域，所述多個(gè)偽圖案的圖案密度增加。
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    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    
                                
    1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述偽圖案還包括第三多個(gè)偽圖案，其中所述第一多個(gè)偽圖案和所述第二多個(gè)偽圖案位于所述第一通孔和所述第三多個(gè)偽圖案之間，其中，所述第三多個(gè)偽圖案具有不同于所述第一圖案密度和所述第二圖案密度的第三圖案密度。
    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第三圖案密度大于所述第二圖案密度，并且所述第二圖案密度大于所述第一圖案密度。
    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一通孔包括：
    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上形成附加偽圖案，其中，所述附加偽圖案在靠近所述第一通孔的區(qū)域中具有較低的圖案密度，并且在遠(yuǎn)離所述第一通孔的區(qū)域中具有較高的圖案密度。
    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一圖案密度和所述第二圖案密度中的每一個(gè)是在長度和寬度都大于約50μm的芯片面積中測(cè)量的。
    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一通孔通過中間通孔工藝形成，并且在形成所述集成電路器件之后、形成所述偽圖案之前形成。
    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一通孔通過后通孔工藝形成，并且在形成所述集成電路器件和所述偽圖案兩者之后形成。
    9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
    10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
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    【技術(shù)特征摘要】
    
                                
    1.一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述偽圖案還包括第三多個(gè)偽圖案，其中所述第一多個(gè)偽圖案和所述第二多個(gè)偽圖案位于所述第一通孔和所述第三多個(gè)偽圖案之間，其中，所述第三多個(gè)偽圖案具有不同于所述第一圖案密度和所述第二圖案密度的第三圖案密度。
    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第三圖案密度大于所述第二圖案密度，并且所述第二圖案密度大于所述第一圖案密度。
    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一通孔包括：
    5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底的背側(cè)上形成附加偽圖案，其中，所述附加偽圖...
                            
    
                            
    【專利技術(shù)屬性】
    
                                技術(shù)研發(fā)人員：劉國儼，林昭儀，
    
        申請(qǐng)(專利權(quán))人：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，
    
        類型：發(fā)明
    
        國別省市：
    
                            
    
                            
                        
    
                    
    
                    
                    
                     
                
    
                
                
    
                    
    
                        網(wǎng)友詢問留言
                        已有0條評(píng)論
                    
    
                    
    
                        
    
                            
      
                                
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