【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及用于制造半導(dǎo)體器件例如lsi等的反射型掩模用材料即反射型掩模坯料、和由反射型掩模坯料制造反射型掩模的方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，反復(fù)使用了光蝕刻技術(shù)，其中用曝光光照射轉(zhuǎn)印掩模，將轉(zhuǎn)印掩模上形成的電路圖案通過(guò)縮小投影光學(xué)系統(tǒng)轉(zhuǎn)印至半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)上。以往，曝光光的主流波長(zhǎng)是利用氟化氬(arf)準(zhǔn)分子激光的193nm。通過(guò)采用將曝光過(guò)程和加工過(guò)程多次組合的稱作多重圖案化的方法最終形成尺寸小于曝光波長(zhǎng)的圖案。
2、然而，由于需要在器件圖案的連續(xù)微型化下形成更細(xì)微的圖案，因此使用了利用具有比arf準(zhǔn)分子激光的波長(zhǎng)更短的波長(zhǎng)的極紫外(下文稱作“euv”)光作為曝光光的極紫外光刻技術(shù)。euv光具有約0.2至100nm的波長(zhǎng)，特別地，是波長(zhǎng)為約13.5nm的光。euv光對(duì)物質(zhì)的透過(guò)性非常低并且不能用于以往的透過(guò)型投影光學(xué)系統(tǒng)或掩模，因此應(yīng)用反射類型光學(xué)元件器件。因此，還使用反射型掩模作為圖案轉(zhuǎn)印用掩模。
3、在反射型掩模中，在基板上形成反射euv光的多層反射膜，在多層反射膜上形成吸收euv光的吸收膜的圖案。在另一方面，將吸收膜圖案化之前的材料(還包括形成抗蝕劑層的材料)稱作反射型掩模坯料，用作反射型掩模用材料。反射型掩模坯料通常具有包括低熱膨脹基板、在基板的兩個(gè)主表面的任一面上形成的反射euv光的多層反射膜、和在其上形成的吸收euv光的吸收膜的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。
4、作為多層反射膜，通常使用鉬(mo)層和硅(si)層交替層疊以對(duì)euv光具有必要反射率的多層反射膜。在另一方面
5、此外，作為在例如清潔反射型掩模中用于保護(hù)多層反射膜的保護(hù)膜(封端膜)，在多層反射膜上形成如專利文獻(xiàn)2(jp-a?2002-122981)中公開(kāi)的釕(ru)膜。在一些情況下，在吸收膜上形成含有鉻(cr)的硬掩模膜作為吸收膜圖案化中的蝕刻掩模。在另一方面，在基板的另一主表面上形成傳導(dǎo)膜。作為傳導(dǎo)膜，已提出金屬氮化物膜用于靜電夾持，并舉例主要含有鉻(cr)或鉭(ta)的膜。
6、引用列表
7、專利文獻(xiàn)1：jp-a?2002-246299
8、專利文獻(xiàn)2：jp-a?2002-122981
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鉭(ta)系膜通常用于吸收膜。然而，需要的是通過(guò)在使用反射型掩模的曝光中減少遮蔽效應(yīng)，降低對(duì)應(yīng)于吸收膜的膜厚度的圖案高度，即吸收膜的厚度的薄膜化，從而提高圖案轉(zhuǎn)印至晶片的精度。因此，著眼于與鉭(ta)系吸收膜相比能夠變薄的鉻(cr)系吸收膜。
2、能夠通過(guò)使用含有氯(cl)和氧(o)的氣體的干法蝕刻對(duì)鉻(cr)系膜等的吸收膜進(jìn)行蝕刻。然而，當(dāng)通過(guò)形成抗蝕劑膜，由抗蝕劑膜形成抗蝕劑圖案，并使用抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模的干法蝕刻，從而蝕刻吸收膜時(shí)，由于在使用含氧(o)氣體的干法蝕刻中抗蝕劑圖案也被蝕刻，有必要形成較厚的抗蝕劑圖案(抗蝕劑膜)。在另一方面，嘗試由厚的抗蝕劑膜形成細(xì)微的抗蝕劑圖案，抗蝕劑圖案由于其縱橫比高而塌陷。因此，無(wú)法形成細(xì)微的抗蝕劑圖案，并且無(wú)法形成吸收膜的細(xì)微圖案。
3、本專利技術(shù)是為了解決上述問(wèn)題而提出的，并且本專利技術(shù)的目的在于提供一種反射型掩模坯料，其中包括能夠通過(guò)使用含有氧(o)的氣體的干法蝕刻而圖案化的吸收膜，并且由此可適合形成吸收膜的細(xì)微圖案，以及提供一種使用反射型掩模坯料的反射型掩模的制造方法。
4、專利技術(shù)人為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行了深入研究。作為結(jié)果，專利技術(shù)人發(fā)現(xiàn)能夠通過(guò)在由能夠用含有氧(o)的氣體，特別是含有氯(cl)和氧(o)的氣體進(jìn)行干法蝕刻的材料組成的吸收膜上提供含有鈮(nb)的蝕刻掩模膜解決該問(wèn)題。
5、在一方面，本專利技術(shù)提供一種反射型掩模坯料，其為利用euv光作為曝光光的euv光刻中使用的反射型掩模用材料，包括：基板；在基板的一個(gè)主表面上形成的反射曝光光的多層反射膜；和在多層反射膜上形成的吸收曝光光的吸收膜，其中，吸收膜由能夠用含有氧(o)的氣體進(jìn)行干法蝕刻的材料組成，以及反射型掩模坯料包括在吸收膜上的含有鈮(nb)的蝕刻掩模膜。
6、優(yōu)選地，含有鈮(nb)的蝕刻掩模膜由單獨(dú)的鈮(nb)、或含有鈮(nb)和氧(o)的鈮(nb)化合物組成。
7、優(yōu)選地，吸收膜含有鉻(cr)或釕(ru)。
8、在另一方面，本專利技術(shù)提供一種反射型掩模的制造方法，包括以下步驟：通過(guò)使用含有氧(o)的氣體的干法蝕刻將權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的反射型掩模坯料的吸收膜圖案化。
9、優(yōu)選地，該方法包括以下步驟：使用抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模將蝕刻掩模膜圖案化以形成蝕刻掩模膜的圖案；和使用蝕刻掩模膜的圖案作為蝕刻掩模，通過(guò)使用含有氧(o)的氣體的干法蝕刻將吸收膜圖案化。
10、優(yōu)選地，該方法包括以下步驟：在形成吸收膜的圖案后，用硫酸-過(guò)氧化氫混合物(spm)除去蝕刻掩模膜的圖案。
11、專利技術(shù)有益效果
12、根據(jù)本專利技術(shù)，能夠由能夠通過(guò)使用含有氧(o)的氣體的干法蝕刻圖案化的吸收膜形成細(xì)微且良好的吸收膜的圖案。
本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.反射型掩模坯料，其為利用EUV光作為曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模用材料，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料，其中包含鈮(Nb)的蝕刻掩模膜由單獨(dú)的鈮(Nb)、或包含鈮(Nb)和氧(O)的鈮(Nb)化合物組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料，其中吸收膜包含鉻(Cr)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料，其中吸收膜包含釕(Ru)。
5.反射型掩模的制造方法，包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，包括以下步驟：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，包括以下步驟：
【技術(shù)特征摘要】
1.反射型掩模坯料，其為利用euv光作為曝光光的euv光刻中使用的反射型掩模用材料，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模坯料，其中包含鈮(nb)的蝕刻掩模膜由單獨(dú)的鈮(nb)、或包含鈮(nb)和氧(o)的鈮(nb)化合物組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型掩模...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：稻月判臣，高坂卓郎，生越大河，櫻井敬佑，三村祥平，金子英雄，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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