【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種改善光刻對準標記變異的方法。
技術介紹
1、埋層外延是在已有埋層圖形的(nbl/pbl)的硅片上進行外延生長，外延生長沿著原有的晶格方向向上生長。外延生長結束后，在新的外延層上形成與生長前相同的圖形，形成如圖1所示的結構。當生長較厚的外延層(大于9um)時，會發生圖形漂移現象，導致光刻對準記號變異，形成如圖3所示的結構。
2、請參閱圖2，外延在反應過程中產生si，h2，as和hcl等物質。外延過程是生長-刻蝕的復合過程。由于刻蝕效應，所以外延生長完成后，新的圖形相對與原有圖形會產生漂移(扭曲)等現象。外延生長過程越長，此效應會越顯著。
3、圖形漂移嚴重會導致外延后的光刻對準記號變，導致后層光刻對準不良/ovl(套刻標記)偏移超規格。
4、現有技術中常壓埋層外延生長條件為工藝溫度1150+/-50度，生長速率為2.0+/-0.5um/min。在此標準工藝條件下，一般外延厚度超過9-10um后，就會發生圖形漂移(扭曲)嚴重，并導致外延后的光刻對準記號變異，后層光刻對準不良/ovl偏移超規格。為解決此問題，外延分二次工藝，并在中間增加一層光刻對準記號。
5、現有技術對于較厚外延(8-12um)，采用正常速率(1.5-2.5um/min)一次生長4-6um外延，形成新的光刻對準記號，再次采用正常速率(1.5-2.5um/min)生長4-6um外延。
6、為解決上述問題，需要提出一種新型的改善光刻對準標記變異的方法。
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種改善光刻對準標記變異的方法，用于解決現有技術中生長較厚的外延層(大于9um)時，會發生圖形漂移現象，導致光刻對準記號變異的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種改善光刻對準標記變異的方法，包括：
3、步驟一、在前層圖形上形成光刻對準標記；
4、步驟二、利用0.05-0.2um/min的生長速率在所述前層圖形上形成第一厚度的第一外延層；
5、步驟三、利用1.5-2.5um/min的生長速率在所述第一外延層上形成第二厚度的第二外延層。
6、優選地，步驟一中的所述前層圖形為襯底及其上的埋層。
7、優選地，步驟一中的所述光刻對準標記利用光刻、刻蝕形成。
8、優選地，步驟一中的所述光刻對準標記為風車形的凹槽組。
9、優選地，步驟二中的所述第一外延層的生長溫度為1100至1200攝氏度。
10、優選地，步驟二中的所述第一外延層的厚度為所述第一、二外延層厚度的10-20％。
11、優選地，步驟二中的所述第一外延層的厚度為1-3um。
12、優選地，步驟三中的所述第二外延層的生長溫度為1100至1200攝氏度。
13、優選地，步驟三中的所述第二外延層的厚度為7-9um。
14、優選地，所述方法還包括：步驟四、清洗后流片。
15、如上所述，本專利技術的改善光刻對準標記變異的方法，具有以下有益效果：
16、本專利技術采用二步外延生長法，從而獲得較好的光刻對準記號。能生長較厚的外延層，減少一層光刻對準標記，從而減少工藝時間。
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1.一種改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟一中的所述前層圖形為襯底及其上的埋層。
3.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟一中的所述光刻對準標記利用光刻、刻蝕形成。
4.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟一中的所述光刻對準標記為風車形的凹槽組。
5.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一外延層的生長溫度為1100至1200攝氏度。
6.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一外延層的厚度為所述第一、二外延層厚度的10-20％。
7.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一外延層的厚度為1-3um。
8.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟三中的所述第二外延層的生長溫度為1100至1200攝氏度。
9.根
10.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：所述方法還包括：步驟四、清洗后流片。
...【技術特征摘要】
1.一種改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟一中的所述前層圖形為襯底及其上的埋層。
3.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟一中的所述光刻對準標記利用光刻、刻蝕形成。
4.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟一中的所述光刻對準標記為風車形的凹槽組。
5.根據權利要求1所述的改善光刻對準標記變異的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一外延層的生長溫度為1100至1200攝氏度。
6.根據權利要求1所述的改善...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張洪偉，任堅，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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