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    超表面結(jié)構(gòu)及折射率探測(cè)器制造技術(shù)

    技術(shù)編號(hào):44412632 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-25 10:27
    本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種超表面結(jié)構(gòu)及折射率探測(cè)器,超表面結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,僅包括基底以及設(shè)置在基底第一表面上的納米柱陣列,通過對(duì)納米柱陣列中各個(gè)納米柱的方向角的限定,使得本發(fā)明專利技術(shù)的超表面結(jié)構(gòu)能夠通過讀取焦平面上的焦點(diǎn)位置信息來得到空間折射率信息,用于折射率的探測(cè)。本發(fā)明專利技術(shù)的超表面結(jié)構(gòu),尺寸僅有幾十微米大小,檢測(cè)范圍自由,其結(jié)果可以清晰明了地呈現(xiàn)在焦平面上,不需要配備復(fù)雜的光譜分析與計(jì)算模塊,對(duì)折射率探測(cè)器的小型化發(fā)展具有重要借鑒意義。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)屬于探測(cè)設(shè)備,具體涉及一種超表面結(jié)構(gòu)及折射率探測(cè)器


    技術(shù)介紹

    1、折射率是光在不同介質(zhì)中傳播時(shí)的一個(gè)重要物理參數(shù),不同的材料具有不同的折射率。通過選擇合適的材料和調(diào)整折射率,可以控制和改變光的傳播路徑、聚焦能力和色散效應(yīng),這對(duì)于光學(xué)器件(如透鏡、棱鏡、光纖等)的設(shè)計(jì)和制造至關(guān)重要。

    2、在光學(xué)測(cè)量和光學(xué)傳感器中,監(jiān)測(cè)折射率的變化是其中的重要應(yīng)用方向。例如,折射率傳感器可以用于測(cè)量液體的濃度、氣體的壓力、溫度變化等。這些傳感器在科學(xué)研究、工業(yè)控制和生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。總而言之,折射率是光與物質(zhì)相互作用的一個(gè)重要參數(shù),對(duì)于理解光的傳播行為、光學(xué)材料的特性以及光學(xué)測(cè)量和傳感器應(yīng)用都具有重要意義。因此折射率的探測(cè)工具的開發(fā)具有廣泛的研究前景。

    3、光學(xué)傳感技術(shù)是傳感檢測(cè)領(lǐng)域的主流技術(shù)之一,其中光學(xué)折射率傳感器具有安全性高、準(zhǔn)確率高、抗電磁干擾、響應(yīng)速度快和可成像等優(yōu)點(diǎn),能夠滿足實(shí)際應(yīng)用中對(duì)傳感實(shí)時(shí)性與無標(biāo)記檢測(cè)的需求。光學(xué)折射率傳感的基本原理是當(dāng)入射電磁波經(jīng)過探測(cè)區(qū)域內(nèi)折射率不同的物質(zhì)時(shí),其對(duì)應(yīng)的共振頻率、強(qiáng)度、相位等特性都會(huì)發(fā)生改變,因此通過監(jiān)測(cè)光在傳播過程中某個(gè)特征量的變化便可以感知外界折射率的變化。

    4、目前應(yīng)用較廣的折射率探測(cè)器有基于光的折射原理的傳統(tǒng)折射率探測(cè)器、空氣折射率探測(cè)器、核心-外殼光纖折射率傳感器等等。但是,其結(jié)構(gòu)往往比較復(fù)雜且擁有著較大的體積。在追求器件小型化、集成化的今天,傳統(tǒng)笨重的折射率檢測(cè)器逐步被納米光子結(jié)構(gòu)所取代,例如超表面、光子晶體、等離子結(jié)構(gòu)等等。這些結(jié)構(gòu)憑借毫米微米級(jí)別的尺寸,可以與其他功能模塊進(jìn)行高度集成,例如光源、光探測(cè)器、溫度傳感器等。并且這些微型材料和結(jié)構(gòu)對(duì)外部折射率變化具有很高的敏感性,其中大部分是通過共振峰移動(dòng)來感知折射率。此外,它們具有對(duì)折射率變化快速響應(yīng)的特性,并且表現(xiàn)出很高的優(yōu)勢(shì)。這些特性在光纖通信、醫(yī)學(xué)生物技術(shù)和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。然而,大多數(shù)基于納米光子材料的折射率傳感器的檢測(cè)結(jié)果不直觀,需要特定的分析組件,如光纖耦合器、光譜儀、光電探測(cè)器等。同時(shí),這些傳感器的檢測(cè)范圍通常有限。此外,這些設(shè)備還需要復(fù)雜的材料和制造工藝。

    5、公開于該
    技術(shù)介紹
    部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本專利技術(shù)的總體背景的理解,而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。


    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

    1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種超表面結(jié)構(gòu)及折射率探測(cè)器,超表面結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單輕巧,檢測(cè)范圍可自由設(shè)定,且其結(jié)果可以清晰明了地呈現(xiàn)在焦平面上,不需要配備復(fù)雜的光譜分析與計(jì)算模塊,對(duì)折射率探測(cè)器的小型化發(fā)展具有重要借鑒意義。

    2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)一具體實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:

    3、一種超表面結(jié)構(gòu),包括:

    4、基底,具有第一表面;

    5、納米柱陣列,形成在所述基底的第一表面上,所述納米柱陣列由若干不同方向角的納米柱排設(shè)而成;

    6、以基底幾何中心為原點(diǎn),建立坐標(biāo)系,所述納米柱的方向角滿足如下條件:

    7、

    8、其中,θ(x,y)表示超表面結(jié)構(gòu)的每個(gè)納米柱的方向角;x為不同納米柱的x軸坐標(biāo),y為不同納米柱的y軸坐標(biāo);λ為超表面結(jié)構(gòu)的工作波長(zhǎng);n為焦點(diǎn)的個(gè)數(shù);f為超表面結(jié)構(gòu)的焦距;fdj為各個(gè)焦點(diǎn)到原點(diǎn)的距離;xj為不同焦點(diǎn)的x軸坐標(biāo),yj為不同焦點(diǎn)的y軸坐標(biāo);nj為每個(gè)焦點(diǎn)對(duì)應(yīng)的空間折射率;

    9、在左旋偏振光入射條件下,所述超表面結(jié)構(gòu)可根據(jù)不同的空間折射率在其焦平面上形成位置不同的焦點(diǎn)。

    10、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述超表面結(jié)構(gòu)的焦平面上的不同焦點(diǎn)呈圓環(huán)形排列,每個(gè)焦點(diǎn)的橫坐標(biāo)xj=rsin[(j-1)2π/n],每個(gè)焦點(diǎn)的縱坐標(biāo)yj=-rcos[(j-1)2π/n],其中,r為超表面結(jié)構(gòu)的焦平面上所有焦點(diǎn)所圍成的圓環(huán)的半徑。

    11、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,每個(gè)焦點(diǎn)對(duì)應(yīng)的空間折射率nj=n1+(j-1)δn,其中n1代表初始折射率,定義所有焦點(diǎn)中的其中一個(gè)為第一焦點(diǎn),所述初始折射率為該第一焦點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的空間折射率;δn為相鄰焦點(diǎn)所表征折射率的差值。

    12、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述超表面結(jié)構(gòu)的工作波長(zhǎng)λ滿足:0.38um<λ<0.74um。

    13、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述超表面結(jié)構(gòu)的焦距f滿足:5um<f<60um。

    14、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述超表面結(jié)構(gòu)為幾何相位超表面結(jié)構(gòu)。

    15、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述納米柱陣列由若干不同方向角的納米柱呈周期性排列而成,周期t滿足0.3um<t<0.5um。

    16、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述納米柱為矩形柱,所述納米柱的長(zhǎng)l、寬w、高h(yuǎn)分別滿足:0.15um<l<0.3um,0.06um<w<0.1um,0.2um<h<0.6um。

    17、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述納米柱的材料包括金屬等離子體材料。

    18、在本專利技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中,所述基底為矩形柱,所述基底的邊長(zhǎng)a和厚度h滿足:10um<a<50um,2um<h<100um;和/或,

    19、所述基底具有與所述第一表面相對(duì)的第二表面,所述第二表面為拋光面;和/或,

    20、所述基底的材料包括玻璃;和/或,

    21、所述基底的材料為在0.38um~0.74um波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有高透過率的材料。

    22、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本專利技術(shù)的超表面結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以通過讀取焦平面上的焦點(diǎn)位置信息來得到空間折射率信息。

    23、本專利技術(shù)的超表面結(jié)構(gòu),空間折射率的檢測(cè)范圍可自由設(shè)定,且其結(jié)果可以清晰明了地呈現(xiàn)在焦平面上,不需要配備復(fù)雜的光譜分析與計(jì)算模塊,對(duì)折射率探測(cè)器的小型化發(fā)展具有重要借鑒意義。

    本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

    1.一種超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述超表面結(jié)構(gòu)的焦平面上的不同焦點(diǎn)呈圓環(huán)形排列,每個(gè)焦點(diǎn)的橫坐標(biāo)xj=rsin[(j-1)2π/N],每個(gè)焦點(diǎn)的縱坐標(biāo)yj=-rcos[(j-1)2π/N],其中,r為超表面結(jié)構(gòu)的焦平面上所有焦點(diǎn)所圍成的圓環(huán)的半徑。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,每個(gè)焦點(diǎn)對(duì)應(yīng)的空間折射率nj=n1+(j-1)Δn,其中n1代表初始折射率,定義所有焦點(diǎn)中的其中一個(gè)為第一焦點(diǎn),所述初始折射率為該第一焦點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的空間折射率;Δn為相鄰焦點(diǎn)所表征折射率的差值。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述超表面結(jié)構(gòu)的工作波長(zhǎng)λ滿足:0.38um<λ<0.74um。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述超表面結(jié)構(gòu)的焦距f滿足:5um<f<60um。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述超表面結(jié)構(gòu)為幾何相位超表面結(jié)構(gòu)。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述納米柱陣列由若干不同方向角的納米柱呈周期性排列而成,周期T滿足0.3um<T<0.5um;和/或,

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述納米柱的材料包括金屬等離子體材料。

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基底為矩形柱,所述基底的邊長(zhǎng)A和厚度H滿足:10um<A<50um,2um<H<100um;和/或,

    10.一種折射率探測(cè)器,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的超表面結(jié)構(gòu)。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述超表面結(jié)構(gòu)的焦平面上的不同焦點(diǎn)呈圓環(huán)形排列,每個(gè)焦點(diǎn)的橫坐標(biāo)xj=rsin[(j-1)2π/n],每個(gè)焦點(diǎn)的縱坐標(biāo)yj=-rcos[(j-1)2π/n],其中,r為超表面結(jié)構(gòu)的焦平面上所有焦點(diǎn)所圍成的圓環(huán)的半徑。

    3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,每個(gè)焦點(diǎn)對(duì)應(yīng)的空間折射率nj=n1+(j-1)δn,其中n1代表初始折射率,定義所有焦點(diǎn)中的其中一個(gè)為第一焦點(diǎn),所述初始折射率為該第一焦點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的空間折射率;δn為相鄰焦點(diǎn)所表征折射率的差值。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述超表面結(jié)構(gòu)的工作波長(zhǎng)λ滿足:0.38um<λ<0.74um。

    5.根...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:孫文杰甘世濤曾淵
    申請(qǐng)(專利權(quán))人:蘇州蘇納光電有限公司
    類型:發(fā)明
    國(guó)別省市:

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