【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及太陽能電池的，尤其涉及一種tbc電池及其制備方法。
技術介紹
1、背結背接觸晶硅電池(bc)是指電池的發射區電極和基區電極均位于電池背面的一種太陽能電池。bc電池的p區和n區均位于背面，入射光子產生的電子空穴對分離后需要通過整個硅基底厚度后才能到達背面被p區和n區分別收集。其中，p區收集空穴，n區收集電子。而對于tbc電池無疑是當前備受關注的太陽能電池。
2、現有的對于bc電池的p+發射極的制備方法主要采用無摻雜的全鋁背場并進行鋁漿印刷。然而，這種方法會使制成的太陽能電池的電流傳輸距離遠，導致電流低，金屬與半導體接觸性能差，填充因子低，產生的光生載流子數量少，電池開壓低，最終導致tbc電池的轉換效率低。
技術實現思路
1、本專利技術提供了一種tbc電池及其制備方法，以通過在n型硅基底的背面進行制絨和微結構拋光，提升tbc電池的鈍化接觸，提高填充因子和開壓，提高tbc電池的轉換效率。
2、第一方面，本專利技術提供了一種tbc電池的制備方法，包括：
3、提供n型硅基底；n型硅基底包括正面和背面，背面包括叉指狀交替排列的第一區域和第二區域；
4、采用制絨工藝，對第一區域和第二區域進行背面制絨，以形成背面絨面結構；
5、在背面絨面結構背離n型硅基底的一側表面進行微拋光，以形成塔基結構；
6、在形成塔基結構的第一區域制備第一選擇性鈍化接觸層和第一保護層；在形成塔基結構的第二區域制備第二選擇性鈍化接觸層和第二
7、在正面進行正面制絨，并在正面制絨后的正面制備第三保護層；
8、對第一區域和第二區域進行絲網印刷和燒結，以在第一保護層背離n型硅基底的一側表面形成與第一選擇性鈍化接觸層接觸的第一電極，以及在第二保護層背離n型硅基底的一側表面形成與第二選擇性鈍化接觸層接觸的第二電極，制得tbc電池。
9、可選的，采用制絨工藝，對第一區域和第二區域進行背面制絨，以形成背面絨面結構，包括：
10、采用預清洗工藝，對第一區域和第二區域進行預清洗；
11、采用背面制絨工藝，對預清洗后的第一區域和第二區域進行背面制絨；
12、采用后清洗工藝，對背面制絨后的第一區域和第二區域進行后清洗，以形成背面絨面結構。
13、可選的，預清洗工藝包括鹽酸和過氧化氫形成的第一混合溶液；背面制絨工藝包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑按第一預設比例制備的第一堿性溶液；后清洗工藝包括氫氟酸或硝酸等第一酸性溶液。
14、可選的，第一混合溶液的濃度范圍為0.2％-0.5％，第一堿性溶液的濃度范圍為0.4％-2％，第一酸性溶液的濃度范圍為0.1％-0.3％，和/或，制絨工藝的時間為50min-60min。
15、可選的，在背面絨面結構背離n型硅基底的一側表面進行微拋光，以形成塔基結構，包括：
16、采用槽式槽體工藝，在背面絨面結構背離n型硅基底的一側表面進行微拋光，以形成塔基結構。
17、可選的，槽式槽體工藝包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑按第一預設比例制備的第二堿性溶液。
18、可選的，第二堿性溶液的濃度范圍為1％-5％，微拋光的拋光溫度為60℃-70℃，拋光時間為150s-300s。
19、可選的，對第一區域和第二區域進行絲網印刷和燒結，以在第一保護層背離n型硅基底的一側表面形成與第一選擇性鈍化接觸層接觸的第一電極，以及在第二保護層背離n型硅基底的一側表面形成與第二選擇性鈍化接觸層接觸的第二電極，制得tbc電池，包括：
20、對第一區域和第二區域進行絲網銀漿印刷和低溫燒結，以形成電池片；
21、對電池片進行激光輔助燒結，利用第一燒結條件，在第一保護層背離n型硅基底的一側表面形成與第一選擇性鈍化接觸層接觸的第一電極，以及在第二保護層背離n型硅基底的一側表面形成與第二選擇性鈍化接觸層接觸的第二電極，制得tbc電池。
22、可選的，第一燒結條件為激光輸出電壓范圍為-5v～12v，打標速度為激光額定打標速度的10％-100％，激光輸出功率為激光額定功率的5％-20％。
23、可選的，第一選擇性鈍化接觸層包括第一隧穿氧化層和第一摻雜層；第二選擇性鈍化接觸層包括第二隧穿氧化層和第二摻雜層；
24、在形成塔基結構的第一區域制備第一選擇性鈍化接觸層和第一保護層；在形成塔基結構的第二區域制備第二選擇性鈍化接觸層和第二保護層，包括：
25、采用沉積工藝，在塔基結構背離n型硅基底的一側表面依次沉積形成第一隧穿氧化層和第一本征硅層；
26、采用硼擴散工藝，對形成第一本征硅層的n型硅基底進行硼摻雜，形成第一摻雜層，并在正面和第一摻雜層表面形成第一掩膜層；
27、去除第二區域的第一掩膜層、第一摻雜層和第一隧穿氧化層，以暴露出第二區域的n型硅基底；
28、采用沉積工藝，在第一區域和第二區域依次沉積形成第二隧穿氧化層和第二本征硅層；
29、采用磷擴散工藝，對形成第二本征硅層的n型硅基底進行磷摻雜，形成第二摻雜層，并在正面的第一摻雜層和背面的第二摻雜層表面形成第二掩膜層；
30、去除第一區域的第二掩膜層、第二摻雜層和第二隧穿氧化層；
31、在第一摻雜層背離n型硅基底的一側表面依次沉積第一鈍化層和第一減反射層，形成第一保護層；
32、在第二摻雜層背離n型硅基底的一側表面依次沉積第二鈍化層和第二減反射層，形成第二保護層。
33、可選的，去除第二區域的第一掩膜層、第一摻雜層和第一隧穿氧化層，以暴露出第二區域的n型硅基底，包括：
34、采用激光技術，對背面進行圖案化，以去除第二區域的第一掩膜層，保留第一區域的第一掩膜層；
35、采用堿刻蝕工藝，去除第二區域的第一摻雜層；
36、采用酸法刻蝕工藝，去除第二區域的第一隧穿氧化層，以暴露出n型硅基底；
37、去除第一區域的第二掩膜層、第二摻雜層和第二掩膜層，包括：
38、采用激光技術，去除第一區域的第二掩膜層；
39、采用堿刻蝕工藝，去除第一區域的第二摻雜層；
40、采用酸法刻蝕工藝，去除第一區域的第二隧穿氧化層。
41、可選的，在正面進行正面制絨，并在正面制絨后的正面制備第三保護層之前，還包括：
42、去除正面沉積的第一掩膜層和第二掩膜層。
43、可選的，在正面進行正面制絨之后，并在正面制絨后的正面制備第三保護層之前，還包括：
44、去除第一區域的第一掩膜層和第二區域的第二掩膜層。
45、第二方面，本專利技術提供了一種tbc電池，采用上述的tbc電池的制備方法制得。
46、本專利技術的技術方案，通過提供n型硅基底；采用制絨工藝，對第一區域和第二區域進行背面制絨，以形成背面絨面結構；在背面絨面結構背離n型硅基底的一側表本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種TBC電池的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用制絨工藝，對所述第一區域和所述第二區域進行背面制絨，以形成所述背面絨面結構，包括：
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述預清洗工藝包括鹽酸和過氧化氫形成的第一混合溶液；所述背面制絨工藝包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑按第一預設比例制備的第一堿性溶液；所述后清洗工藝包括氫氟酸或硝酸等第一酸性溶液。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一混合溶液的濃度范圍為0.2％-0.5％，所述第一堿性溶液的濃度范圍為0.4％-2％，所述第一酸性溶液的濃度范圍為0.1％-0.3％，和/或，所述制絨工藝的時間為50min-60min。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述背面絨面結構背離所述N型硅基底的一側表面進行微拋光，以形成塔基結構，包括：
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述槽式槽體工藝包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑按第一預設比例制備的第二堿性溶液。
7.根據
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，對所述第一區域和所述第二區域進行絲網印刷和燒結，以在所述第一保護層背離所述N型硅基底的一側表面形成與所述第一選擇性鈍化接觸層接觸的第一電極，以及在所述第二保護層背離所述N型硅基底的一側表面形成與所述第二選擇性鈍化接觸層接觸的第二電極，制得所述TBC電池，包括：
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述第一燒結條件為激光輸出電壓范圍為-5V～12V，打標速度為激光額定打標速度的10％-100％，激光輸出功率為激光額定功率的5％-20％。
10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，第一選擇性鈍化接觸層包括第一隧穿氧化層和第一摻雜層；第二選擇性鈍化接觸層包括第二隧穿氧化層和第二摻雜層；
11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，去除所述第二區域的所述第一掩膜層、所述第一摻雜層和所述第一隧穿氧化層，以暴露出所述第二區域的所述N型硅基底，包括：
12.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述正面進行正面制絨，并在正面制絨后的所述正面制備第三保護層之前，還包括：
13.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，在所述正面進行正面制絨之后，并在正面制絨后的所述正面制備第三保護層之前，還包括：
14.一種TBC電池，其特征在于，采用權利要求1-13任一項所述的TBC電池的制備方法制得。
...【技術特征摘要】
1.一種tbc電池的制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用制絨工藝，對所述第一區域和所述第二區域進行背面制絨，以形成所述背面絨面結構，包括：
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述預清洗工藝包括鹽酸和過氧化氫形成的第一混合溶液；所述背面制絨工藝包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑按第一預設比例制備的第一堿性溶液；所述后清洗工藝包括氫氟酸或硝酸等第一酸性溶液。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一混合溶液的濃度范圍為0.2％-0.5％，所述第一堿性溶液的濃度范圍為0.4％-2％，所述第一酸性溶液的濃度范圍為0.1％-0.3％，和/或，所述制絨工藝的時間為50min-60min。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述背面絨面結構背離所述n型硅基底的一側表面進行微拋光，以形成塔基結構，包括：
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述槽式槽體工藝包括氫氧化鈉或氫氧化鉀和制絨添加劑按第一預設比例制備的第二堿性溶液。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二堿性溶液的濃度范圍為1％-5％，所述微拋光的拋光溫度為60℃-70℃，拋光時間為150s-300s。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于...
【專利技術屬性】
技術研發人員：季益民，李靈芝，章康平，戴俊，張尋尋，劉汪利，李家棟，胥星星，蘇春陽，苑北海，譚爽，
申請(專利權)人：一道新能源科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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