接觸窗CD的調控方法技術

技術編號：44412782 閱讀：3 留言：0更新日期：2025-02-25 10:27

本發明專利技術提供一種接觸窗CD的調控方法，采用具有O?C?H鍵的光刻膠層，且在圖案化底部抗反射層時，在刻蝕腔室中通入CH<subgt;2</subgt;F<subgt;2</subgt;氣體，由于CH<subgt;2</subgt;F<subgt;2</subgt;氣體中，C?F鍵的化學解離能大于C?H鍵，因此CH<subgt;2</subgt;F<subgt;2</subgt;氣體能解離出更多的自由基，進而能與光刻膠層作用產生聚合反應形成含碳聚合物，以對接觸窗CD進行調控。本發明專利技術的接觸窗CD的調控方法，具有較寬的調控窗口，且適用于對具有不同透光率的掩膜版進行差異補償，適用范圍廣，且調控精準度高。

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【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于半導體制造，涉及一種接觸窗cd的調控方法。

技術介紹

1、隨著半導體器件小型化、高集成的發展，集成電路圖案的尺寸變得愈來愈小。在集成電路制程工藝中，光刻工藝對縮小圖案尺寸具有關鍵作用。其中，用于衡量刻蝕工藝的精度和一致性的刻蝕后關鍵尺寸(after?etching?inspection?critical?dimension，aeicd)對于rc(resistance-capacitance)影響顯著，進而影響器件效能與產品良率。因此，對于接觸窗(contact)的aeicd的調控能力除要求精準與穩定外，調控窗口(window)的范圍也致關重要。

2、另外，隨著半導體器件的密集度的提升，以及各半導體器件的密集度的不同，在干法刻蝕進行接觸窗的制備過程中，不同半導體器件間有著較大的透光率差異，這對于aeicd的調控存在一定難度。

3、因此，提供一種接觸窗cd的調控方法，實屬必要。

技術實現思路

1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種接觸窗cd的調控方法，用于解決現有技術中難以對接觸窗cd進行調控的問題。

2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種接觸窗cd的調控方法，包括以下步驟：

3、提供半導體基底；

4、于所述半導體基底上自下而上依序形成介電層、硬掩膜層、底部抗反射層及光刻膠層，且所述光刻膠層具有o-c-h鍵；

5、基于掩膜版，圖案化所述光刻膠層，形成第一刻蝕窗口；</p>

6、基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層，形成貫穿所述底部抗反射層的第二刻蝕窗口，其中，刻蝕氣體包括ch2f2氣體，且所述ch2f2氣體在等離子體解離過程中與所述光刻膠層產生聚合反應生成含碳聚合物，且所述含碳聚合物附著在所述第二刻蝕窗口的側壁，使得所述第二刻蝕窗口的cd小于所述第一刻蝕窗口的cd；

7、基于所述第二刻蝕窗口，刻蝕所述硬掩膜層以圖案化所述硬掩膜層；

8、基于圖案化的所述硬掩膜層刻蝕所述介電層，形成貫穿所述介電層的接觸窗。

9、可選地，所述光刻膠層包括arf層，所述底部抗反射層包括barc層。

10、可選地，所述硬掩膜層包括apf層，且所述barc層與所述apf層之間還包括darc層。

11、可選地，所述ch2f2氣體的流量范圍包括6～26sccm。

12、可選地，基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，刻蝕腔室溫度范圍為120～150℃。

13、可選地，基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，所述刻蝕氣體還包括cf4氣體及o2氣體，其中，所述cf4氣體的流量范圍包括70～170sccm，所述o2氣體的流量范圍包括4～12sccm。

14、可選地，基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，刻蝕腔室的壓強范圍為80～120mt，高頻功率為500～700w，低頻功率為100～300w，直流偏壓為-450～-250v。

15、可選地，通過調控所述ch2f2氣體的流量以調控所述接觸窗cd的方法適用于對所述掩膜版的透光率進行補償，且所述ch2f2氣體的流量與所述接觸窗cd呈線性關系。

16、可選地，當所述掩膜版的透光率越高時，所述ch2f2氣體的流量越大。

17、可選地，所述接觸窗cd的范圍包括30nm～50nm。

18、如上所述，本專利技術的接觸窗cd的調控方法，采用具有o-c-h鍵的光刻膠層，且在圖案化底部抗反射層時，在刻蝕腔室中通入ch2f2氣體，由于ch2f2氣體中，c-f鍵的化學解離能大于c-h鍵，因此ch2f2氣體能解離出更多的自由基，進而能與光刻膠層作用產生聚合反應形成含碳聚合物，以對接觸窗cd進行調控。

19、本專利技術的接觸窗cd的調控方法，具有較寬的調控窗口，且適用于對具有不同透光率的掩膜版進行差異補償，適用范圍廣，且調控精準度高。

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【技術保護點】

1.一種接觸窗CD的調控方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：所述光刻膠層包括ArF層，所述底部抗反射層包括BARC層。

3.根據權利要求2所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：所述硬掩膜層包括APF層，且所述BARC層與所述APF層之間還包括DARC層。

4.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：所述CH2F2氣體的流量范圍包括6～26sccm。

5.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，刻蝕腔室溫度范圍為120～150℃。

6.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，所述刻蝕氣體還包括CF4氣體及O2氣體，其中，所述CF4氣體的流量范圍包括70～170sccm，所述O2氣體的流量范圍包括4～12sccm。

7.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，刻蝕腔

8.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：通過調控所述CH2F2氣體的流量以調控所述接觸窗CD的方法適用于對所述掩膜版的透光率進行補償，且所述CH2F2氣體的流量與所述接觸窗CD呈線性關系。

9.根據權利要求8所述接觸窗CD的調控方法，其特征在于：當所述掩膜版的透光率越高時，所述CH2F2氣體的流量越大。

10.根據權利要求1所述的接觸窗CD的調控方法，其特征在于：所述接觸窗CD的范圍包括30nm～50nm。

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【技術特征摘要】

1.一種接觸窗cd的調控方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據權利要求1所述的接觸窗cd的調控方法，其特征在于：所述光刻膠層包括arf層，所述底部抗反射層包括barc層。

3.根據權利要求2所述的接觸窗cd的調控方法，其特征在于：所述硬掩膜層包括apf層，且所述barc層與所述apf層之間還包括darc層。

4.根據權利要求1所述的接觸窗cd的調控方法，其特征在于：所述ch2f2氣體的流量范圍包括6～26sccm。

5.根據權利要求1所述的接觸窗cd的調控方法，其特征在于：基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，刻蝕腔室溫度范圍為120～150℃。

6.根據權利要求1所述的接觸窗cd的調控方法，其特征在于：基于所述第一刻蝕窗口，刻蝕所述底部抗反射層時，所述刻蝕氣體還包括cf4氣體及o2氣體，其中，所述cf4氣體...

【專利技術屬性】
技術研發人員：張年亨，蔡弦助，
申請(專利權)人：重慶芯聯微電子有限公司，
類型：發明
國別省市：

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