【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及集成電路生產領域，特別是涉及一種掩膜工藝校正方法、裝置、設備及存儲介質。
技術介紹
1、掩膜工藝校正(mask?process?correction，即mpc)是在使用電子束曝光和蝕刻工藝制造掩膜時，對電子束曝光圖案做校正，使得制造得到的最終掩膜圖案與目標掩膜圖案一致。大規模集成電路制造中光刻工藝使用的掩膜通常由電子束曝光和蝕刻工藝制造獲得。由于電子束散射、蝕刻偏差等效應，制造獲得的最終掩膜圖案和電子束曝光圖案之間存在差異。如圖1-1所示，假設電子束曝光圖案和目標掩膜圖案完全相同，制造得到的最終掩膜圖案與目標掩膜圖案存在一定的偏差，如圖1-2所示。因此，在先進的光刻工藝制程(28納米及以下)引入了掩膜工藝校正(mask?process?correction，即mpc)技術。如圖1-3所示，電子束曝光圖案在目標掩膜圖案的基礎上進行了校正，使得獲得的最終掩膜圖案更接近目標掩膜圖案，如圖1-4所示。
2、掩膜工藝校正包括基于規則的和基于模型的兩種。在基于模型的掩膜工藝校正中，首先需要建立掩膜工藝校正模型，該模型可以對給定的電子束曝光圖案，預測其經過掩膜制造工藝后得到的最終掩膜圖案。之后建立掩膜工藝校正程序，并對目標掩膜圖案運行校正程序。如圖2-1所示，在運行掩膜校正程序時，需對原始掩膜圖案進行邊緣段切分，并在邊緣段上放置控制點。再根據掩膜工藝校正模型計算控制點的邊緣放置誤差(edgeplacement?error，即epe)，最后基于邊緣放置誤差移動邊緣段進行校正。邊緣放誤差的計算一般基于二維密集仿真網格進行
3、因此，如何兼顧掩膜工藝校正中的校正高精度與處理高速度，是本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現思路
1、本專利技術的目的是提供一種掩膜工藝校正方法、裝置、設備及存儲介質，以解決現有技術中的掩膜工藝校正無法兼顧校正精度與處理速度的問題。
2、為解決上述技術問題，本專利技術提供一種掩膜工藝校正方法，包括：
3、接收原始掩膜圖案及目標仿真圖案；
4、對所述原始掩膜圖案進行邊緣段切分，將所述原始掩膜圖案轉換為多個邊緣段圍成的圖形；
5、通過預訓練的校正集約模型對所述原始掩膜圖案進行仿真模擬，得到各個所述邊緣段對應的掩膜工藝偏差值；所述校正集約模型為根據整體偏差、電子束曝光偏差及蝕刻偏差計算所述掩膜工藝偏差值的模型；
6、根據所述原始掩膜圖案與所述目標仿真圖案，確定各個所述邊緣段的原始設計偏差值；
7、根據所述原始設計偏差值與所述掩膜工藝偏差值確定各個所述邊緣段對應的邊緣放置誤差；
8、根據所述邊緣放置誤差對對應的邊緣段的位置進行調整，得到校正掩膜圖案。
9、可選地，在所述的掩膜工藝校正方法中，所述校正集約模型通過下式計算所述邊緣段的掩膜工藝偏差值：
10、b=c+eb(i0)+et(x,y)；
11、其中，b為所述掩膜工藝偏差值；c為所述整體偏差，所述整體偏差為常數；eb(i0)為所述電子束曝光偏差；et(x,y)為所述蝕刻偏差。
12、可選地，在所述的掩膜工藝校正方法中，在計算各個所述邊緣段的掩膜工藝偏差值之前，還包括：
13、判斷各個所述邊緣段的長度是否超過預設的臨界長度；
14、相應地，通過預訓練的校正集約模型對所述邊緣段進行仿真模擬，得到對應的掩膜工藝偏差值包括：
15、當所述邊緣段的長度超過所述臨界長度時，通過預訓練的一維校正集約模型對所述邊緣段進行仿真模擬，得到對應的掩膜工藝偏差值；
16、當所述邊緣段的長度沒有超過所述臨界長度時，通過預訓練的二維校正集約模型對所述邊緣段進行仿真模擬，得到對應的掩膜工藝偏差值。
17、可選地，在所述的掩膜工藝校正方法中，各個所述邊緣段的中點位置均設置有對應的控制點；
18、所述一維校正集約模型通過下式計算所述邊緣段對應的電子束曝光偏差：
19、；
20、其中，i(eb)為以所述控制點為原點，在垂直于邊緣段方向上的電子束能量分布，m(x)為以所述控制點為中心的一維掩膜圖像，gi為高斯函數，*表試卷積操作，bi為對應的線性系數，i0為能量閾值；
21、和/或，所述一維校正集約模型通過下式計算所述邊緣段對應的蝕刻偏差：
22、；
23、其中，m(x)為以所述控制點為中心的一維掩膜圖像，dj為基于m(x)的圖形密度函數，cj為dj對應的線性系數。
24、可選地，在所述的掩膜工藝校正方法中，各個所述邊緣段的中點位置均設置有對應的控制點；
25、所述二維校正集約模型通過下式計算所述邊緣段對應的電子束曝光偏差：
26、；
27、其中，i(eb)為以所述控制點為原點，在垂直于邊緣段方向上的電子束能量分布，m(x,y)為以所述控制點為中心的掩膜圖像gi為高斯函數，*表試卷積操作，bi為對應的線性系數，i0為能量閾值；
28、和/或，所述二維校正集約模型通過下式計算所述邊緣段對應的蝕刻偏差：
29、；
30、其中，m(x,y)為以所述控制點為中心的掩膜圖像，dj為基于m(x,y)的圖形密度函數，cj為dj對應的線性系數。
31、可選地，在所述的掩膜工藝校正方法中，在得到校正掩膜圖案之后，還包括：
32、步驟一，通過所述校正集約模型對所述校正掩膜圖案進行仿真模擬，得到各個所述邊緣段對應的校正工藝偏差值；
33、步驟二，根據所述校正掩膜圖案與所述目標仿真圖案，確定各個所述邊緣段的校正設計偏差值；
34、步驟三，根據所述校正設計偏差值與所述校正工藝偏差值確定各個所述邊緣段對應的校正階段邊緣放置誤差；
35、步驟四，判斷所述校正掩膜圖案中是否存在校正階段邊緣放置誤差大于預設的第一閾值的邊緣段；
36、當所述校正掩膜圖案中存在校正階段邊緣放置誤差大于預設的第一閾值的邊緣段時，根據所述校正階段邊緣放置誤差對所述校正掩膜圖案中的邊緣段進行調整，并用調整后得到的圖案更新所述校正掩膜圖案，循環步驟一到步驟四，直至所述校正掩膜圖案中不存在校正階段邊緣放置誤差大于預設的第一閾值的邊緣段。
37、可選地，在所述的掩膜工藝校正方法中，在步驟四，判斷所述校正掩膜圖案中是否存在校正階段邊緣放置誤差大于預設的第一閾值的邊緣段之后，還包括：
38、判斷步驟一至步驟四的循環次數是否超過預設的迭代閾值；
39、當步驟一至步驟四的循環次數超過了預設的迭代閾值時，停止循環，輸出所述校正掩膜圖案。
40、一種掩膜工藝校正裝置，包括：
【技術保護點】
1.一種掩膜工藝校正方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，所述校正集約模型通過下式計算所述邊緣段的掩膜工藝偏差值：
3.如權利要求1所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，在計算各個所述邊緣段的掩膜工藝偏差值之前，還包括：
4.如權利要求3所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，各個所述邊緣段的中點位置均設置有對應的控制點；
5.如權利要求3所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，各個所述邊緣段的中點位置均設置有對應的控制點；
6.如權利要求1所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，在得到校正掩膜圖案之后，還包括：
7.如權利要求6所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，在步驟四，判斷所述校正掩膜圖案中是否存在校正階段邊緣放置誤差大于預設的第一閾值的邊緣段之后，還包括：
8.一種掩膜工藝校正裝置，其特征在于，包括：
9.一種掩膜工藝校正設備，其特征在于，包括：
10.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質上存儲有計算機程序，所述計算機
...【技術特征摘要】
1.一種掩膜工藝校正方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，所述校正集約模型通過下式計算所述邊緣段的掩膜工藝偏差值：
3.如權利要求1所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，在計算各個所述邊緣段的掩膜工藝偏差值之前，還包括：
4.如權利要求3所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，各個所述邊緣段的中點位置均設置有對應的控制點；
5.如權利要求3所述的掩膜工藝校正方法，其特征在于，各個所述邊緣段的中點位置均設置有對應的控制點；
6.如權利要求...
【專利技術屬性】
技術研發人員：請求不公布姓名，
申請(專利權)人：華芯程杭州科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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