【技術實現步驟摘要】
本公開涉及晶圓加工，尤其涉及一種清洗裝置及清洗方法、晶圓減薄設備。
技術介紹
1、晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。在半導體產業制程中，通常在集成電路封裝前，需要對晶圓背面多余的基體材料去除一定的厚度，以能夠制作更復雜、更小型化的集成電路，這一工藝過程稱之為晶圓背面減薄工藝。在晶圓背面減薄工藝中，晶渣容易附著在晶圓表面。
2、相關技術中，一般會采用清潔部件擦拭晶圓，以去除晶圓上的晶渣。在去除晶渣的過程中，晶渣會附著在清潔部件側部。因此擦拭后的清潔部件需要移動到清洗裝置中進行清洗，以去除清潔部件上的晶渣。清洗裝置包括清洗槽，擦拭后的清潔部件浸泡在清洗槽里面進行清洗，晶渣會從清潔部件上脫落沉入清洗槽底部。如圖1所示，清洗槽包括進液口，進液口位于清洗槽底部側邊，通過進液口向清洗槽內加清洗液，維持清洗槽清洗液滿自溢的狀態，以保持清洗槽內清洗液的清潔度。
3、但是在向清洗槽內加清洗液的過程中，沉積在清洗槽底部的晶渣不易被清除出清洗槽，且容易被底部側邊進液口清洗液流影響，附著在清潔部件底部，當清潔部件再次擦拭晶圓上的晶渣時，清潔部件上的晶渣可能會劃傷晶圓的表面。
技術實現思路
1、本公開的實施例的目的在于提供一種清洗裝置及清洗方法、晶圓減薄設備，用于降低晶渣附著在清潔部件上，進而劃傷晶圓的風險。
2、為達到上述目的，本公開的實施例提供了如下技術方
3、一方面，提供一種清洗裝置。所述清洗裝置包括清洗槽、進液閥和排液閥。所述清洗槽包括底壁和圍繞底壁設置的側壁。所述側壁設有進液口，所述底壁設有排液口，所述底壁為漏斗狀，所述排液口位于所述底壁的中心處。沿第一方向，所述進液口與所述側壁靠近所述底壁的一端端面之間的距離，大于所述側壁的尺寸的二分之一。所述第一方向垂直于所述側壁靠近所述底壁的一端端面所在的平面。所述進液閥設于所述進液口處。所述排液閥設于所述排液口處。
4、上述清洗裝置中，側壁設有進液口，沿第一方向，進液口與側壁靠近底壁一端的尺寸，大于或者等于側壁尺寸的二分之一。以這種方式設置，進液口與清洗槽的底部的距離較遠，進液口處清洗液的沖擊力不會將沉積在清洗槽底部的晶渣沖起，可以改善進液口的沖擊力將沉積在清洗槽底部的晶渣沖起的問題，降低沖起的晶渣粘附到清潔部件底面導致晶渣劃傷晶圓表面的風險。
5、在一些實施例中，所述清洗裝置還包括第一液位傳感器和第二液位傳感器。所述第一液位傳感器設于所述側壁上。沿所述第一方向，所述第一液位傳感器與所述側壁靠近所述底壁的一端端面之間的距離，大于或等于所述側壁尺寸的二分之一。所述第二液位傳感器設于所述排液口上方。
6、在一些實施例中，所述清洗裝置還包括控制器。所述控制器與所述第一液位傳感器、所述第二液位傳感器、所述進液閥以及所述排液閥電連接。所述控制器被配置為，控制所述進液閥打開，并根據來自所述第一液位傳感器的第一感應信號控制所述進液閥關閉；以及，控制所述排液閥打開，并根據來自所述第二液位傳感器的第二感應信號控制所述排液閥關閉。
7、在一些實施例中，所述清洗裝置還包括警報裝置。所述警報裝置與所述控制電連接。所述控制器還被配置為，在所述進液閥打開且所述排液閥關閉后的第一預設時間內未接收到所述第一感應信號的情況下，發出報警信號；以及，所述進液閥關閉且所述排液閥打開的第二預設時間內未接收到所述第二感應信號的情況下，發出報警信號。
8、在一些實施例中，所述清洗裝置還包括多個噴頭。所述多個噴頭設于所述側壁上，且沿著所述側壁的周向間隔設置。相對于所述側壁靠近所述底壁的一端端面所在的平面，所述多個噴頭的高度高于所述進液口的高度。
9、在一些實施例中，所述噴頭的噴射方向與所述側壁的夾角為30°～60°，且所述多個噴頭的噴射范圍覆蓋所述清潔部件的整個周向。
10、在一些實施例中，所述多個噴頭相較于所述第一液位傳感器遠離所述底壁。
11、另一方面，本公開的實施例還提供一種晶圓減薄設備。所述晶圓減薄設備包括研磨裝置和如上述任一實施例所述清洗裝置。所述研磨裝置被配置為對待減薄的晶圓進行研磨。所述清洗裝置被配置為利用清潔部件擦拭研磨后的晶圓，并在擦拭后將所述清潔部件移動至清洗槽進行清洗。
12、上述晶圓減薄設備具有與上述一些實施例中提供的清洗裝置相同的結構和有益技術效果，在此不再贅述。
13、又一方面，本公開的實施例還提供一種清洗方法。所述清洗方法包括：在清潔部件擦拭研磨后的晶圓后，將所述清潔部件移入所述清洗槽；關閉排液閥，且打開所述進液閥，向清洗槽內注入清洗液；待所述清洗槽液面高度上升到第一高度，關閉進液閥，并將所述清潔部件浸泡在清洗液中；在研磨裝置處于工作狀態的情況下，待浸泡后所述清潔部件移動至研磨后的晶圓，對所述晶圓進行擦拭；在所述研磨裝置處于空閑狀態的情況下，保持所述清潔部件浸泡在清洗液中，并以預設周期更換所述清洗槽內的清洗液。
14、在一些實施例中，將所述清潔部件浸泡在所述清洗液中之前，所述清洗方法還包括：打開多個噴頭，沖洗所述清潔部件；并對所述清洗槽進行自清潔后，向所述清洗槽內注入所述清洗液。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種清洗裝置，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置還包括：
3.根據權利要求2所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置還包括：
4.根據權利要求3所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置還包括：警報裝置，所述警報裝置與所述控制器電連接；所述控制器還被配置為，在所述進液閥打開且所述排液閥關閉后的第一預設時間內未接收到所述第一感應信號的情況下，發出報警信號；以及，
5.根據權利要求1～4中任一項所述的清洗裝置，其特征在于，所述清洗裝置還包括：
6.根據權利要求5所述的清洗裝置，其特征在于，所述噴頭的噴射方向與所述側壁的夾角為30°～60°，且所述多個噴頭的噴射范圍覆蓋清潔部件的整個周向。
7.根據權利要求6所述的清洗裝置，其特征在于，所述多個噴頭相較于所述第一液位傳感器遠離所述底壁。
8.一種晶圓減薄設備，其特征在于，所述晶圓減薄設備包括：
9.一種利用如權利要求1～7中任一項所述的清洗裝置的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。