【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種前級(jí)管道組件及半導(dǎo)體處理裝置。
技術(shù)介紹
1、半導(dǎo)體制造工藝包括光刻、刻蝕、薄膜沉積、清洗、退火、離子注入等數(shù)十道工藝。其中光刻，刻蝕，和薄膜沉積是最核心的三種工藝。沉積對(duì)象包括各類阻擋層、介質(zhì)層、各種金屬薄膜等。沉積工藝通常涉及多種反應(yīng)氣體反應(yīng)物在低壓力腔室中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)生成物沉積在目標(biāo)襯底上，形成均勻致密的薄膜。沉積質(zhì)量將直接影響半導(dǎo)體器件的性能及成品率。在沉積過(guò)程中，需要一邊不斷的向反應(yīng)腔中通入反應(yīng)氣體，一邊通過(guò)抽氣裝置對(duì)反應(yīng)腔室抽氣以將反應(yīng)副產(chǎn)物等抽離反應(yīng)腔并且將反應(yīng)腔室維持在一定的低壓。前級(jí)管道組件用于對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行抽氣，其一端與反應(yīng)腔室的抽氣口連接，另一端直接或間接的連接到抽氣裝置用于抽氣。由于抽氣的方式會(huì)影響到反應(yīng)腔室內(nèi)反應(yīng)氣體的流動(dòng)和分布，所以前級(jí)管道組件的設(shè)計(jì)十分重要。
2、此外，為了追求更高的生產(chǎn)效率，現(xiàn)在的沉積設(shè)備和刻蝕設(shè)備多采用雙腔室的處理裝置。雙腔室的設(shè)置對(duì)前級(jí)管道組件的布置帶來(lái)了更高的要求，其不僅要考慮與反應(yīng)腔室連接的位置，還需要考慮前級(jí)管道組件的布置，以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝處理以及不同反應(yīng)腔室中襯底處理的一致性。
3、本專利技術(shù)提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開(kāi)的背景的目的。此
技術(shù)介紹
部分以及說(shuō)明書(shū)中在提交申請(qǐng)時(shí)不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的描述既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對(duì)本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)提供了一種前級(jí)管道組件及半導(dǎo)體處理設(shè)備，該前級(jí)管道組件通過(guò)使流體在與腔室抽氣口連接的
2、為實(shí)現(xiàn)上述專利技術(shù)目的，本專利技術(shù)一方面提供了一種前級(jí)管道組件：
3、一種前級(jí)管道組件，用于對(duì)具有兩個(gè)腔室的處理模塊進(jìn)行排氣，該前級(jí)管道組件包括：
4、兩個(gè)進(jìn)氣口，各進(jìn)氣口能夠與各所述腔室的抽氣口匹配連通；
5、兩路排氣管道，兩路所述排氣管道的一端分別配置所述進(jìn)氣口，并且兩路所述排氣管道的走向一致以使其中的流體的流動(dòng)方向一致；
6、三通單元，包括兩個(gè)流入端口和一個(gè)流出端口；
7、兩路連接管道，兩路所述連接管道的一端分別與兩路所述排氣管道連接，另一端分別與所述三通單元的兩個(gè)所述流入端口連接，并且所述三通單元的所述流出端口能夠連通至排氣裝置。
8、可選地，所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
9、可選地，所述排氣管道的側(cè)壁設(shè)有開(kāi)口與所述連接管道連接，所述排氣管道經(jīng)過(guò)所述開(kāi)口后繼續(xù)延伸并形成所述管道凸出部。
10、可選地，所述管道凸出部的端面為弧形或者平面形。
11、可選地，所述排氣管道與所述連接管道的截面形狀為多邊形或環(huán)形。
12、可選地，所述連接管道包括第一連接管道段和第二連接管道段，并且所述第一連接管道段和所述第二連接管道段之間的連接呈一角度或者為弧形彎角。
13、可選地，所述角度為直角。
14、可選地，所述流體在所述第一連接管道段和所述第二連接管道段中的流動(dòng)方向相互垂直。
15、可選地，所述流體在所述排氣管道與所述連接管道中的流動(dòng)方向相互垂直。
16、可選地，所述三通單元呈t型。
17、可選地，所述前級(jí)管道組件左右對(duì)稱配置。
18、可選地，各所述腔室的抽氣口相對(duì)于所述腔室中用于承載晶圓的基座的方位角相等
19、另一方面，本申請(qǐng)還提供了一種半導(dǎo)體處理設(shè)備：
20、一種半導(dǎo)體處理裝置，包括左右設(shè)置的兩個(gè)腔室，其特征在于，各所述腔室的抽氣口相對(duì)于所述腔室中用于承載晶圓的基座的方位角相等，所述抽氣口通過(guò)前級(jí)管道連接至排氣裝置，所述前級(jí)管道包括：
21、兩個(gè)進(jìn)氣口，各進(jìn)氣口能夠與各所述腔室的抽氣口匹配連通；
22、兩路排氣管道，兩路所述排氣管道的一端分別配置所述進(jìn)氣口，并且兩路所述排氣管道的走向一致以使其中的流體的流動(dòng)方向一致。
23、可選地，所述腔室內(nèi)設(shè)有承載襯底的支撐座，所述排氣管道平行于所述支撐座的上表面。
24、可選地，所述支撐座的上表面為中心對(duì)稱，所述排氣管道的中心線的延伸線與所述上表面的中心垂線相交。
25、可選地，所述排氣管道的中心線垂直于所述抽氣口所在腔室的側(cè)面。
26、可選地，各所述抽氣口與各所述腔室的襯底傳輸口分別配置于所述腔室相對(duì)的側(cè)面。
27、可選地，各腔室還分別包括抽氣環(huán)，所述抽氣口設(shè)置于所述抽氣環(huán)。
28、可選地，所述前級(jí)管道還包括：三通單元，包括兩個(gè)流入端口和一個(gè)流出端口；
29、兩路連接管道，兩路所述連接管道的一端分別與兩路所述排氣管道連接，另一端分別與所述三通單元的兩個(gè)所述流入端口連接，并且所述三通單元的所述流出端口能夠連通至排氣裝置。
30、可選地，所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
31、可選地，所述排氣管道的側(cè)壁設(shè)有開(kāi)口與所述連接管道連接，所述排氣管道經(jīng)過(guò)所述開(kāi)口后繼續(xù)延伸并形成所述管道凸出部。
32、可選地，所述排氣管道的截面面積大于與所述連接管道的截面面積。
33、可選地，所述開(kāi)口與所述抽氣口的距離為25-60mm。
34、本專利技術(shù)的有益效果在于：本專利技術(shù)通過(guò)使各腔室的抽氣口位于各腔室的同一側(cè)，并且與腔室抽氣口匹配安裝的前級(jí)管道組件的排氣管道走向一致，即在抽氣時(shí)使從抽氣口流出并流經(jīng)該排氣管道的流體的流向一致以提升在具有兩個(gè)腔室的處理模塊中進(jìn)行處理的襯底的一致性。此外，本申請(qǐng)還進(jìn)一步在前級(jí)管道組件的排氣管道與其連接管道的連接處配置有管道凸出部，通過(guò)該管道突出部在該排氣管道中制造紊流以在通過(guò)腔室一側(cè)的抽氣口進(jìn)行抽氣時(shí)減小對(duì)腔室內(nèi)反應(yīng)氣體的分布造成的影響，提高反應(yīng)氣體在襯底表面的分布均勻性。
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1.一種前級(jí)管道組件，用于對(duì)具有兩個(gè)腔室的處理模塊進(jìn)行排氣，該前級(jí)管道組件包括：
2.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
3.如權(quán)利要求2所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道的側(cè)壁設(shè)有開(kāi)口與所述連接管道連接，所述排氣管道經(jīng)過(guò)所述開(kāi)口后繼續(xù)延伸并形成所述管道凸出部。
4.如權(quán)利要求3所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述管道凸出部的端面為弧形或者平面形。
5.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道與所述連接管道的截面形狀為多邊形或環(huán)形。
6.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述連接管道包括第一連接管道段和第二連接管道段，并且所述第一連接管道段和所述第二連接管道段之間的連接呈一角度或者為弧形彎角。
7.如權(quán)利要求6所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述角度為直角。
8.如權(quán)利要求6所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述流體在所述第一連接管道段和所述第二連接管道段中的流動(dòng)方向相互垂直。
9.如權(quán)利要
10.如權(quán)利要求9所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述三通單元呈T型。
11.如權(quán)利要求10所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述前級(jí)管道組件左右對(duì)稱配置。
12.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，各所述腔室的抽氣口相對(duì)于所述腔室中用于承載晶圓的基座的方位角相等。
13.一種半導(dǎo)體處理裝置，包括左右設(shè)置的兩個(gè)腔室，其特征在于，各所述腔室的抽氣口相對(duì)于所述腔室中用于承載晶圓的基座的方位角相同，所述抽氣口通過(guò)一前級(jí)管道組件連通至排氣裝置，所述前級(jí)管道組件包括：
14.如權(quán)利要求13所述的一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述腔室內(nèi)設(shè)有承載襯底的支撐座，所述排氣管道平行于所述支撐座的上表面。
15.如權(quán)利要求14所述的一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述支撐座的上表面為中心對(duì)稱，所t述排氣管道的中心線的延伸線與所述上表面的中心垂線相交。
16.如權(quán)利要求14所述的一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述排氣管道的中心線垂直于所述抽氣口所在腔室的側(cè)面。
17.如權(quán)利要求13所述的一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，各所述抽氣口與各所述腔室的襯底傳輸口分別配置于所述腔室相對(duì)的側(cè)面。
18.如權(quán)利要求13所述的一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，各腔室還分別包括抽氣環(huán)，所述抽氣口設(shè)置于所述抽氣環(huán)。
19.如權(quán)利要求13至18中任意一項(xiàng)所述的一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述前級(jí)管道還包括：三通單元，包括兩個(gè)流入端口和一個(gè)流出端口；
20.如權(quán)利要求19所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
21.如權(quán)利要求20所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道的側(cè)壁設(shè)有開(kāi)口與所述連接管道連接，所述排氣管道經(jīng)過(guò)所述開(kāi)口后繼續(xù)延伸并形成所述管道凸出部。
22.如權(quán)利要求21所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道的截面面積大于與所述連接管道的截面面積。
23.如權(quán)利要求22所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述開(kāi)口與所述抽氣口的距離為25-60mm。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種前級(jí)管道組件，用于對(duì)具有兩個(gè)腔室的處理模塊進(jìn)行排氣，該前級(jí)管道組件包括：
2.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道與所述連接管道的連接處配置有管道凸出部。
3.如權(quán)利要求2所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道的側(cè)壁設(shè)有開(kāi)口與所述連接管道連接，所述排氣管道經(jīng)過(guò)所述開(kāi)口后繼續(xù)延伸并形成所述管道凸出部。
4.如權(quán)利要求3所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述管道凸出部的端面為弧形或者平面形。
5.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述排氣管道與所述連接管道的截面形狀為多邊形或環(huán)形。
6.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述連接管道包括第一連接管道段和第二連接管道段，并且所述第一連接管道段和所述第二連接管道段之間的連接呈一角度或者為弧形彎角。
7.如權(quán)利要求6所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述角度為直角。
8.如權(quán)利要求6所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述流體在所述第一連接管道段和所述第二連接管道段中的流動(dòng)方向相互垂直。
9.如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述流體在所述排氣管道與所述連接管道中的流動(dòng)方向相互垂直。
10.如權(quán)利要求9所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述三通單元呈t型。
11.如權(quán)利要求10所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，所述前級(jí)管道組件左右對(duì)稱配置。
12.如權(quán)利要求1所述的前級(jí)管道組件，其特征在于，各所述腔室的抽氣口相對(duì)于所述腔室中用于承載晶圓的基座的方位角相等。
13.一種半導(dǎo)體處理裝置，包括左右設(shè)置的兩個(gè)腔室，其特征在于...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊閏清，馬化韜，許燦，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：中微半導(dǎo)體設(shè)備上海股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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