【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術是關于模組封裝，特別是關于一種醫(yī)療模組封裝結構及封裝方法。
技術介紹
1、目前對于傳統(tǒng)領域的模組封裝，工廠均有一定基礎的工藝能力。但是針對醫(yī)療模組的封裝，則需要在每個工藝細節(jié)中都對工藝提出了更高的要求。
2、目前現(xiàn)有的基于傳統(tǒng)領域的模組封裝技術，是通過增加中部pcb基板作為支撐，在pcb基板的兩面分別設置芯片。然而要想實現(xiàn)兩側芯片的互連導通，則需要選擇pcb基板的疊孔工藝。基板疊孔工藝價格較高。其次，pcb基板是單條作業(yè)，每條上面有多顆unit基板(基板單元)，如此在芯片封裝時，基板和芯片邊緣位置翹起會相對較大，就會導致封裝難度增加，同時，封裝時基板的利用率很可能要降低至60％左右，導致基板的損耗變大。
3、由于傳統(tǒng)的模組封裝對于pcb基板邊緣的翹曲度要求不高，因此上述封裝結構可應用于傳統(tǒng)的模組封裝。
4、然而，新型的醫(yī)療模組在二次互聯(lián)時要求翹曲需小于10um。但因為pcb基板的材質主要為有機材料，其熱膨脹系數(shù)較大，而芯片和無源器件的材質多為硅，熱膨脹系數(shù)較小，制程過程中，兩者的熱膨脹系數(shù)不匹配可能會造成翹曲程度增大，很難達到所需產品需求。
5、其次，傳統(tǒng)領域的模組封裝中，芯片和pcb基板互聯(lián)后底部沒有支撐且沒有進行塑封，因此在運輸過程需要特別管控，避免造成芯片損壞。同時，傳統(tǒng)的模組封裝中，第二芯片-transducerarray和pcb基板的二次互聯(lián)過程會再次加壓，壓力直接作用于芯片和pcb基板也容易發(fā)生芯片損壞問題。
6、公開于該
技術介紹
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技術實現(xiàn)思路
1、本專利技術的目的在于提供一種醫(yī)療模組封裝結構及封裝方法，其能夠降低芯片和基板的翹曲度，同時減小芯片損壞的風險。
2、為實現(xiàn)上述目的，本專利技術的實施例提供了一種醫(yī)療模組封裝結構，包括基板、第一芯片、第二芯片、pcb模組以及塑封體。所述基板具有第一表面；所述第一芯片具有相對設置的第二表面和第三表面，所述第二表面貼合所述基板的第一表面設置，所述第三表面上形成有第一焊接凸起和焊盤；所述第二芯片設置于所述第一芯片的第三表面上且電連接所述第一焊接凸起；所述pcb模組設置于所述基板的第一表面上，并電連接所述第一芯片的焊盤；所述塑封體形成于所述基板的第一表面上，且包覆所述pcb模組以及所述第一芯片的焊盤；其中，所述基板的熱膨脹系數(shù)與所述第一芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配。
3、在上述技術方案中，基板的熱膨脹系數(shù)與第一芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配，可以理解為，基板的熱膨脹系數(shù)與第一芯片的熱膨脹系數(shù)相同或相近，其中，相近是指基板的熱膨脹系數(shù)與第一芯片的熱膨脹系數(shù)的差值在允許的范圍內，所述允許的范圍為±5(單位:1/℃)。
4、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述基板選自玻璃基板，所述第一芯片選自asic芯片。
5、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述第一芯片的第三表面上設置有第一焊接區(qū)以及至少一個焊盤區(qū)，所述焊盤區(qū)位于所述第一焊接區(qū)的邊緣，所述第一焊接凸起形成于所述第一焊接區(qū)內，所述焊盤形成于所述焊盤區(qū)內。
6、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述第二芯片設置于所述第一芯片的第一焊接區(qū)內。
7、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述塑封體包覆所述第一芯片的焊盤區(qū)設置。
8、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述第二芯片上形成有第二焊接凸起；所述第二芯片設置有第二焊接凸起的一側貼合所述第一芯片的第三表面設置，且，所述第二焊接凸起與所述第一焊接凸起電連接。
9、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述第二芯片和所述第一芯片之間設置有粘接層。
10、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述pcb模組與所述第一芯片之間間隔設置，所述pcb模組與所述第一芯片的焊盤之間引線鍵合。
11、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述pcb模組包括pcb板以及形成于所述pcb板上的無源器件，所述pcb板部分設置于所述基板的第一表面上。
12、本專利技術還提供了一種醫(yī)療模組封裝方法，包括：提供基板，所述基板具有第一表面；提供第一芯片，所述第一芯片具有相對設置的第二表面和第三表面，所述第三表面上形成有第一焊接凸起和焊盤，所述基板的熱膨脹系數(shù)與所述第一芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配；將所述第一芯片的第二表面貼合于所述基板的第一表面上；提供pcb模組，將所述pcb模組貼合于所述基板的第一表面上，并電連接所述第一芯片的焊盤；對所述pcb模組以及所述第一芯片的焊盤進行塑封；提供第二芯片，將所述第二芯片設置于所述第一芯片上且與所述第一芯片的第一焊接凸起之間電連接。
13、在本專利技術的一個或多個實施方式中，通過使用低溫粘接技術將所述第二芯片粘貼于所述第一芯片遠離所述基板的一側。
14、在本專利技術的一個或多個實施方式中，所述的提供第一芯片，包括：提供晶圓，所述晶圓包括陣列排設的多個第一芯片；在所述晶圓上進行所述第一焊接凸起的制作；對所述晶圓進行切割以獲得所述第一芯片。
15、本專利技術的實施例還提供了一種醫(yī)療模組封裝結構，包括基板、第一芯片、pcb模組以及塑封體。所述基板具有第一表面；所述第一芯片具有相對設置的第二表面和第三表面，所述第二表面貼合所述基板的第一表面設置，所述第三表面上形成有焊盤；所述pcb模組設置于所述基板的第一表面上，并電連接所述第一芯片的焊盤；所述塑封體形成于所述基板的第一表面上，且包覆所述pcb模組以及所述第一芯片的焊盤；其中，所述基板的熱膨脹系數(shù)與所述第一芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配。
16、與現(xiàn)有技術相比，本專利技術實施方式的醫(yī)療模組封裝結構及封裝方法，通過熱膨脹系數(shù)與第一芯片匹配的基板作為支撐板，使用芯片粘接膜-薄膜黏合劑將第一芯片貼在該基板上，由于兩者的熱膨脹系數(shù)相匹配度，能夠降低封裝過程中第一芯片與基板的翹曲度，從而實現(xiàn)醫(yī)療模組的后續(xù)加工對翹曲度的要求。
17、本專利技術實施方式的醫(yī)療模組封裝結構及封裝方法，第一芯片設置于基板上，基板為第一芯片提供緩沖，能減小芯片以及封裝模組的損壞風險。
18、本專利技術實施方式的醫(yī)療模組封裝結構及封裝方法，第二芯片和第一芯片直接進行互聯(lián)，無需進行中間基板疊孔工藝，降低封裝成本。
19、本專利技術實施方式的醫(yī)療模組封裝結構及封裝方法，通過低溫粘接技術不僅可以實現(xiàn)第二芯片和第一芯片的電連接，還可以對第一芯片上的第一焊接凸起和第二芯片上的第二焊接凸起進行保護，簡化了工藝，又使得第一芯片和第二芯片之間結構緊湊，減小芯片封裝尺寸，降低了封裝成本。
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1.一種醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述基板選自玻璃基板，所述第一芯片選自ASIC芯片。
3.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述第一芯片的第三表面上設置有第一焊接區(qū)以及至少一個焊盤區(qū)，所述焊盤區(qū)位于所述第一焊接區(qū)的邊緣，所述第一焊接凸起形成于所述第一焊接區(qū)內，所述焊盤形成于所述焊盤區(qū)內。
4.如權利要求3所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述第二芯片設置于所述第一芯片的第一焊接區(qū)內；和/或，
5.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述第二芯片上形成有第二焊接凸起；
6.如權利要求5所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述第二芯片和所述第一芯片之間設置有粘接層。
7.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述PCB模組與所述第一芯片之間間隔設置，所述PCB模組與所述第一芯片的焊盤之間引線鍵合。
8.一種醫(yī)療模組封裝方法，其特征在于，包括：
9.如權利要求8所述的醫(yī)療模組封裝方法，其特
10.一種醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，包括：
...【技術特征摘要】
1.一種醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述基板選自玻璃基板，所述第一芯片選自asic芯片。
3.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述第一芯片的第三表面上設置有第一焊接區(qū)以及至少一個焊盤區(qū)，所述焊盤區(qū)位于所述第一焊接區(qū)的邊緣，所述第一焊接凸起形成于所述第一焊接區(qū)內，所述焊盤形成于所述焊盤區(qū)內。
4.如權利要求3所述的醫(yī)療模組封裝結構，其特征在于，所述第二芯片設置于所述第一芯片的第一焊接區(qū)內；和/或，
5.如權利要求1所述的醫(yī)療模組封裝結構，其...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：請求不公布姓名，李睿，沈彥旭，陳凱亮，
申請(專利權)人：思瑞浦微電子科技上海有限責任公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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