【技術實現步驟摘要】
本申請涉及光電器件領域，尤其涉及一種復合薄膜、光電器件及顯示裝置。
技術介紹
1、一些無機半導體納米材料，例如納米zno、納米tio2、納米sno2等，具有獨特的電子傳輸性能等。采用這類材料制成薄膜，當有電子注入時，在電場作用下可以實現電子定向遷移，從而實現電荷傳輸。目前，這類無機半導體材料制成的薄膜的電子傳輸性能仍有待進一步提高。
技術實現思路
1、鑒于此，本申請提供一種復合薄膜、光電器件及顯示裝置，旨在提供一種具有高電子傳輸性能的薄膜。
2、本申請實施例是這樣實現的：
3、第一方面，本申請提出一種復合薄膜，包括層疊的第二功能層和第一功能層，所述第一功能層包括功能單元，所述功能單元包括依次層疊的第一n型半導體層、p型半導體層和第二n型半導體層，且所述第一n型半導體層靠近所述第二功能層設置；
4、其中，所述第二功能層的材料包括第一材料或第二材料，所述第一材料包括n型金屬氧化物、摻雜n型金屬氧化物、ⅱ-ⅵ族半導體材料、ⅲ-ⅴ族半導體材料及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半導體材料中的至少一種，所述第二材料包括碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰中的至少一種。
5、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一功能層包括至少一個所述功能單元，當所述第一功能層包括多個所述功能單元時，多個所述功能單元并列設置在所述第二功能層的一側，且任意兩個所述功能單元的厚度相等。
6、可選的，在本申請的一些實施例中，相鄰兩個所述功能單元之間設有絕緣單元。
7、可選
8、所述絕緣單元具有分別朝向相鄰兩個所述功能單元的兩個側面，所述兩個側面之間的間距為5～10nm。
9、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一n型半導體層的厚度為5～24nm；和/或，
10、所述p型半導體層的厚度為11～50nm；和/或，
11、所述第二n型半導體層的厚度為5～24nm。
12、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一n型半導體層包括摻雜有第一n型摻雜元素的第一主體材料，所述第一主體材料包括硅或鍺，所述第一n型摻雜元素包括磷、砷、銻中的一種或多種；和/或，
13、所述第二n型半導體層的材料包括摻雜有第二n型摻雜元素的第二主體材料，所述第二主體材料包括硅或鍺，所述第二n型摻雜元素包括磷、砷、銻中的一種或多種；和/或，
14、所述p型半導體層的材料包括摻雜有p型摻雜元素的第三主體材料，所述第三主體材料包括硅或鍺，所述p型摻雜元素包括硼、銦、鎵中的一種或多種；和/或，
15、所述n型金屬氧化物包括zno、bao、tio2、sno2中的至少一種；所述摻雜n型金屬氧化物中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2中的至少一種，摻雜元素包括al、mg、li、in、ga中的至少一種，所述ⅱ-ⅵ族半導體材料包括zns、znse、cds中的至少一種；所述ⅲ-ⅴ族半導體材料包括inp、gap中的至少一種；所述ⅰ-ⅲ-ⅵ族半導體材料包括cuins、cugas中的至少一種。
16、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一n型半導體層的材料中，所述第一n型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
17、所述第二n型半導體層的材料中，所述第二n型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
18、所述p型半導體層的材料中，所述p型摻雜元素的質量百分含量為5～19％。
19、第二方面，本申請提供一種光電器件，包括陰極和陽極，還包括設于所述陰極和所述陽極之間的復合薄膜，所述復合薄膜包括層疊的第二功能層和第一功能層，所述第一功能層包括功能單元，所述功能單元包括依次層疊的第一n型半導體層、p型半導體層和第二n型半導體層，且所述第一n型半導體層靠近所述第二功能層設置；
20、其中，所述第二功能層的材料包括第一材料或第二材料，所述第一材料包括n型金屬氧化物、摻雜n型金屬氧化物、ⅱ-ⅵ族半導體材料、ⅲ-ⅴ族半導體材料及ⅰ-ⅲ-ⅵ族半導體材料中的至少一種，所述第二材料包括碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰中的至少一種。
21、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一功能層包括至少一個所述功能單元，當所述第一功能層包括多個所述功能單元時，多個所述功能單元并列設置在所述第二功能層的一側，且任意兩個所述功能單元的厚度相等。
22、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一功能層設有兩個。
23、可選的，在本申請的一些實施例中，相鄰兩個所述功能單元之間設有絕緣單元。
24、可選的，在本申請的一些實施例中，所述絕緣單元的材料包括有機絕緣材料或者無機絕緣材料，所述有機絕緣材料包括聚苯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、聚酰亞胺中的一種或多種；所述無機絕緣材料包括二氧化硅、三氧化二鋁中的一種或多種；和/或，
25、所述絕緣單元具有分別朝向相鄰兩個所述功能單元的兩個側面，所述兩個側面之間的間距為5～10nm。
26、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一n型半導體層的厚度為5～24nm；和/或，
27、所述p型半導體層的厚度為11～50nm；和/或，
28、所述第二n型半導體層的厚度為5～24nm。
29、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一n型半導體層包括摻雜有第一n型摻雜元素的第一主體材料，所述第一主體材料包括硅或鍺，所述第一n型摻雜元素包括磷、砷、銻中的一種或多種；和/或，
30、所述第二n型半導體層的材料包括摻雜有第二n型摻雜元素的第二主體材料，所述第二主體材料包括硅或鍺，所述第二n型摻雜元素包括磷、砷、銻中的一種或多種；和/或，
31、所述p型半導體層的材料包括摻雜有p型摻雜元素的第三主體材料，所述第三主體材料包括硅或鍺，所述p型摻雜元素包括硼、銦、鎵中的一種或多種。
32、可選的，在本申請的一些實施例中，所述第一n型半導體層的材料中，所述第一n型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
33、所述第二n型半導體層的材料中，所述第二n型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
34、所述p型半導體層的材料中，所述p型摻雜元素的質量百分含量為5～19％。
35、可選的，在本申請的一些實施例中，所述陰極和所述陽極各自獨立的包括摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料包括銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種復合薄膜，其特征在于，包括層疊的第二功能層和第一功能層，所述第一功能層包括功能單元，所述功能單元包括依次層疊的第一N型半導體層、P型半導體層和第二N型半導體層，且所述第一N型半導體層靠近所述第二功能層設置；
2.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一功能層包括至少一個所述功能單元，當所述第一功能層包括多個所述功能單元時，多個所述功能單元并列設置在所述第二功能層的一側，且任意兩個所述功能單元的厚度相等。
3.根據權利要求2所述的復合薄膜，其特征在于，相鄰兩個所述功能單元之間設有絕緣單元。
4.根據權利要求3所述的復合薄膜，其特征在于，所述絕緣單元的材料包括有機絕緣材料或者無機絕緣材料，所述有機絕緣材料包括聚苯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、聚酰亞胺中的一種或多種；所述無機絕緣材料包括二氧化硅、三氧化二鋁中的一種或多種；和/或，
5.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一N型半導體層的厚度為5～24nm；和/或，
6.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一N型半導體層包括
7.根據權利要求6所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一N型半導體層的材料中，所述第一N型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
8.一種光電器件，包括陰極和陽極，其特征在于，還包括設于所述陰極和所述陽極之間的復合薄膜，所述復合薄膜包括層疊的第二功能層和第一功能層，所述第一功能層包括功能單元，所述功能單元包括依次層疊的第一N型半導體層、P型半導體層和第二N型半導體層，且所述第一N型半導體層靠近所述第二功能層設置；
9.根據權利要求8所述的光電器件，其特征在于，所述第一功能層包括至少一個所述功能單元，當所述第一功能層包括多個所述功能單元時，多個所述功能單元并列設置在所述第二功能層的一側，且任意兩個所述功能單元的厚度相等。
10.根據權利要求9所述的光電器件，其特征在于，相鄰兩個所述功能單元之間設有絕緣單元。
11.根據權利要求8所述的光電器件，其特征在于，所述第一N型半導體層的厚度為5～24nm；和/或，
12.根據權利要求11所述的光電器件，其特征在于，所述第一N型半導體層的材料中，所述第一N型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
13.根據權利要求8所述的光電器件，其特征在于，所述陰極和所述陽極各自獨立的包括摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料包括銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復合電極包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS，所述金屬電極的材料包括Ag、Al、Cu、Mo、Au、Pt、Si、Ca、Mg及Ba中的一種或多種；和/或，
14.根據權利要求13所述的光電器件，其特征在于，所述發光層的材料包括第一量子點材料，所述第一量子點材料為發射波長為435～470nm藍色量子點。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8至14任一項所述的光電器件。
...【技術特征摘要】
1.一種復合薄膜，其特征在于，包括層疊的第二功能層和第一功能層，所述第一功能層包括功能單元，所述功能單元包括依次層疊的第一n型半導體層、p型半導體層和第二n型半導體層，且所述第一n型半導體層靠近所述第二功能層設置；
2.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一功能層包括至少一個所述功能單元，當所述第一功能層包括多個所述功能單元時，多個所述功能單元并列設置在所述第二功能層的一側，且任意兩個所述功能單元的厚度相等。
3.根據權利要求2所述的復合薄膜，其特征在于，相鄰兩個所述功能單元之間設有絕緣單元。
4.根據權利要求3所述的復合薄膜，其特征在于，所述絕緣單元的材料包括有機絕緣材料或者無機絕緣材料，所述有機絕緣材料包括聚苯乙烯、聚丙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯、聚酰亞胺中的一種或多種；所述無機絕緣材料包括二氧化硅、三氧化二鋁中的一種或多種；和/或，
5.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一n型半導體層的厚度為5～24nm；和/或，
6.根據權利要求1所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一n型半導體層包括摻雜有第一n型摻雜元素的第一主體材料，所述第一主體材料包括硅或鍺，所述第一n型摻雜元素包括磷、砷、銻中的一種或多種；和/或，
7.根據權利要求6所述的復合薄膜，其特征在于，所述第一n型半導體層的材料中，所述第一n型摻雜元素的質量百分含量為5～19％；和/或，
8.一種光電器件，包括陰極和陽極，其特征在于，還包括設于所述陰極和所述陽極之間的復合薄膜，所述復合薄膜包括層疊的第二功能層和第一功能層，所述第一功能層包括功能單元，所述功能單元包括依次層疊的第一n型半導體層、p型半導體層和第二n型半導體層，且所述第一n型半導體層靠近所述第二功能層設...
【專利技術屬性】
技術研發人員：羅強，
申請(專利權)人：TCL科技集團股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。