【技術實現步驟摘要】
本公開的示例涉及半導體器件，特別是涉及包括包含超結結構的晶體管的半導體器件。
技術介紹
1、其中柵極電極被布置在與溝道區相鄰的溝槽中的晶體管被廣泛使用。正在進行嘗試以進一步改進這些晶體管的特性。
2、本公開針對包括可以有益地應用于例如碳化硅襯底的改進的晶體管的半導體器件。
技術實現思路
1、根據示例，一種半導體器件包括晶體管。晶體管包括形成在半導體襯底中的多個柵極溝槽。柵極溝槽使半導體襯底圖案化為在第一水平方向上延伸的脊。脊分別被布置在兩個相鄰的柵極溝槽之間。晶體管還包括柵極電極，其被布置在柵極溝槽中的至少一個中。晶體管還包括：源極區，其是第一導電類型的并且電耦合到源極端子；溝道區，其包括第二導電類型的摻雜部分；第一導電類型的電流擴散區；以及電耦合到漏極端子的漏極區。源極區、溝道區和部分電流擴散區被布置在脊中。柵極電極與溝道區和電流擴散區絕緣，其中源極區的寬度對應于脊的寬度。半導體器件還包括超結結構，其被布置在與溝道區相比距源極區更大的距離處。超結結構包括第一導電類型的第一補償區，第一補償區電耦合到漏極端子。超結結構還包括第二導電類型的第二補償區，第二補償區電耦合到溝道區的第二導電類型的摻雜部分。第一補償區和第二補償區彼此相鄰。溝道區的第二導電類型的摻雜部分的摻雜濃度在與第一水平方向相交的第二水平方向上從靠近柵極電極的區到脊的中心部分降低。
2、根據另一示例，一種半導體器件包括晶體管。晶體管包括形成在sic襯底中的多個柵極溝槽。柵極溝槽使半導體襯底圖案化為在
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1.一種半導體器件(10)，其包括晶體管，晶體管包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件(10)，其中溝道區(122)還包括在脊(114)的中心部分中的第一導電類型的摻雜部分(121)。
3.如權利要求2所述的半導體器件(10)，其中第一補償區(118)被電耦合到在脊(114)的中心部分中的第一導電類型的摻雜部分(121)。
4.如權利要求1至3中的任何一項所述的半導體器件(10)，還包括第二導電類型的屏蔽部分(116)，其相應地被布置在柵極溝槽(111)下方，屏蔽部分(116)具有比第二補償區(119)更高的摻雜濃度，其中第二補償區(119)被電耦合到屏蔽部分(116)。
5.如前述權利要求中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中超結結構(117)在第一水平方向上延伸。
6.如權利要求1至4中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中超結結構(117)在與第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。
7.如前述權利要求中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中源極區(124)沿著第一水平方向連續地延伸。
<...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件(10)，其包括晶體管，晶體管包括：
2.如權利要求1所述的半導體器件(10)，其中溝道區(122)還包括在脊(114)的中心部分中的第一導電類型的摻雜部分(121)。
3.如權利要求2所述的半導體器件(10)，其中第一補償區(118)被電耦合到在脊(114)的中心部分中的第一導電類型的摻雜部分(121)。
4.如權利要求1至3中的任何一項所述的半導體器件(10)，還包括第二導電類型的屏蔽部分(116)，其相應地被布置在柵極溝槽(111)下方，屏蔽部分(116)具有比第二補償區(119)更高的摻雜濃度，其中第二補償區(119)被電耦合到屏蔽部分(116)。
5.如前述權利要求中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中超結結構(117)在第一水平方向上延伸。
6.如權利要求1至4中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中超結結構(117)在與第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。
7.如前述權利要求中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中源極區(124)沿著第一水平方向連續地延伸。
8.如權利要求1至6中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中源極區(124)被沿著第一水平方向分段成源極區分段(109)，其中所述半導體器件還包括在相鄰的源極區分段(109)之間的體接觸部分(123)，體接觸部分(123)被電耦合到源極端子(130)。
9.如前述權利要求中的任何一項所述的半導體器件(10)，還包括第一導電類型的漂移區(127)，其被布置在超結結構(117)和漏極區(125)之間。
10.如前述要求中的任何一項所述的半導體器件(10)，其中柵極溝槽(111)在第一水平方向上連續地延伸。
11.如權利要求10所述的半導體器件(10)，還包括：接觸凹槽(106)，其在第一水平方向上行進并且延伸通過柵極溝槽(111)；被布置在接觸凹槽(106)中的金屬層，其被電耦合到源極端子(130)和第二導電類型的第二補償區(119)。
12.如權利要求11所述的半導體器件(10)，其中接觸凹...
【專利技術屬性】
技術研發人員：M·赫爾，C·林德茲，R·埃爾佩爾特，B·費舍爾，
申請(專利權)人：英飛凌科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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