【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及電制發光技術及制造領域，特別涉及一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管及其制備方法。
技術介紹
1、在電致發光
中，發光二極管（led）是一種性能優異的器件，其在日常生活中尤為常見，其中在照明和成像領域內應用廣泛。led的類別隨著科研人員的不斷地深入也變得豐富起來，例如有機發光二極管（oled）、量子點發光二極管（qled）、鈣鈦礦發光二極管（peled）等。相比于普通的led，圓偏振發光二極管（cp-led）,因其可以發射出與自然光更為接近的圓偏振光（cpl），今年來受到了相關
的廣泛關注，致力于開發出一種視覺體驗、舒適度更佳的led器件。目前可以發射出圓偏振光的商業led器件，大多是通過在發光源前固定偏振片來得到這種偏振光，這種通過二次處理的方式，不僅會使器件損失部分亮度，使器件效率降低，還會增加led器件結構的復雜性。因此，開發出一種無需二次處理，直接可以發射出圓偏振光的led，簡化器件結構是未來新一代節能照明、生動顯示器件的目標之一。
2、常見的led器件主要分成兩種結構：正式結構：陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極。反式結構：陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、陽極。現有的對發光層進行處理的方式主要有三種：（1）額外引入手性分子層：通過額外添加一種手性功能層為器件引入手性因素，這種方法的手性分子層難以調控，且額外引入新的功能層后會導致上下功能層的能級不匹配，往往達不到理想的效果；（2）更換電極：通過將傳統的金屬陰陽極替換為鐵磁電極，以此制備出的器件也可直接發射出圓偏振光，但器
技術實現思路
1、本專利技術的目的在于克服現有技術的一項或多項不足，提供一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管及其制備方法，通過對發光層的創新來直接發射出偏振光。
2、本專利技術的目的是通過以下技術方案來實現的：
3、一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管及其制備方法，所述二極管的功能層包括：陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極；
4、所述二極管包括：依次連接的陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極；陽極，陰極用于分別連接電源正極和負極；
5、所述空穴傳輸層材質為導電聚合物pedot:pss(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽)；
6、所述發光層通過熱注入的方式注入混合a位陽離子，所述混合a位陽離子所用材料為鈣鈦礦fapbbr3；
7、優選地，所述空穴傳輸層材質可以為導電聚合物pvk(聚（9-乙烯基咔唑）)。
8、優選地，所述電子傳輸層的材質為導電聚合物tpbi?(1，3，5-三（1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基）苯)。
9、優選地，所述子電傳輸層的材質可以為氟化鋰(lif)。
10、優選地，所述陽極為ito導電玻璃，ito附著在玻璃上，ito的厚度為0-0.70mm，電阻為15ωsq-1。
11、優選地，所述摻雜的手性分子為r/s-甲基芐胺(r/s-mba)。
12、提供了一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管的制備方法，該方法步驟包括，對以下功能層的操作步驟：
13、分別對各個功能層進行操作：
14、陽極：依次使用清洗劑、去離子水、丙酮和異丙醇超聲清洗ito玻璃，然后用氮氣吹干并用等離子清洗機清洗5分鐘，功率為120w；
15、空穴傳輸層：使用勻膠機在3000rpm/40s的轉速下將pedot：pss旋涂到ito上，并在空氣中以120℃的溫度進行退火30分鐘，將pvk：聚9-乙烯基咔唑氯苯溶液以4000rpm/40s的轉速旋涂在pedot：pss上，在氮氣手套箱中以170℃的溫度進行退火30?min；
16、發光層：將處理好的量子點以1000?rpm/40?s的轉速旋涂到pvk薄膜上，并以70℃的溫度進行退火10min；
17、電子傳輸層及陰極：采用熱蒸發系統依次沉積35?nm?tpbi、1nm?lif和80?nm?al；
18、最后將各個功能層按照陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極的順序進行連接，制成器件。
19、優選地，所述功能層的引入方式還可以為：旋涂、熱蒸鍍、滴涂。
20、本專利技術的有益效果是：
21、（1）為傳統的鈣鈦礦led器件以混合a位的方式引入了手性因素；
22、（2）制備了可直接發射出偏振光的led器件，與現有的商用cp-led的間接發射偏振光的方式相比，直接式的可以更好的提高效率和簡化結構；
23、（3）器件的發光層借助于鈣鈦礦窄的半峰寬，高的色純度，引入部分手性陽離子后，依舊可以保持這種特性，使得cp-led的發光效率提升，色純度高；
24、（4）本專利技術可通過調控摻雜手性陽離子的比例來實現可調的發光波長。
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1.一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述二極管的功能層包括：陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極；
2.根據權利要求1所述的一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層材質可以為導電聚合物PVK：聚9-乙烯基咔唑。
3.根據權利要求1所述的一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述電子傳輸層的材質為導電聚合物TPBi：1，3，5-三，1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基，苯。
4.根據權利要求1所述的一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述子電傳輸層的材質為氟化鋰。
5.根據權利要求1所述的一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述陽極為ITO導電玻璃，ITO附著在玻璃上，ITO的厚度為0-0.70mm，電阻為15Ωsq-1。
6.根據權利要求1所述的一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述摻雜的手性分子為R/S-甲基芐胺。
7.一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管的制備方法，其特征在于，該方法步驟包括，對以下功能層的操作步驟：p>
8.根據權利要求7所述的一種混合A位陽離子手性鈣鈦礦二極管的制備方法，其特征在于，所述功能層的引入方式還包括：旋涂、熱蒸鍍和滴涂。
...【技術特征摘要】
1.一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述二極管的功能層包括：陰極、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和陽極；
2.根據權利要求1所述的一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層材質可以為導電聚合物pvk：聚9-乙烯基咔唑。
3.根據權利要求1所述的一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述電子傳輸層的材質為導電聚合物tpbi：1，3，5-三，1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基，苯。
4.根據權利要求1所述的一種混合a位陽離子手性鈣鈦礦二極管，其特征在于，所述子電傳輸層的材質為氟化鋰。
【專利技術屬性】
技術研發人員：林克斌，汪家奇，畢躍川，李秀玲，池淑瑞，趙子迅，王志明，
申請(專利權)人：天府絳溪實驗室，
類型：發明
國別省市：
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