【技術實現步驟摘要】
本公開涉及光電子制造，特別涉及一種改善絕緣層破裂的發光二極管及其制備方法。
技術介紹
1、發光二極管(英文：light?emitting?diode，簡稱：led)是常見的制品。led通常是在襯底上制造各種膜層并進行圖形化處理后，并進行切割形成的一顆一顆的led芯粒。
2、相關技術中，在制備發光二極管時，首先，在襯底上形成外延層和位于外延層的表面上的第一電極；然后，在外延層上形成包裹第一電極的絕緣層，絕緣層還具有露出外延層的過孔；接著，在導電基板的表面和絕緣層的表面均形成鍵合金屬，通過鍵合金屬將導電基板和絕緣層鍵合在一起，并去除襯底。
3、由于制備發光二極管的過程中，在發光二極管的部分表面或多或少會留存有細微顆粒。而在高壓鍵合的工況下，這些細微顆粒會擠壓并頂破絕緣層，導致絕緣層兩側的金屬材料導通，從而造成發光二極管出現漏電失效的問題。
技術實現思路
1、本公開實施例提供了一種改善絕緣層破裂的發光二極管及其制備方法，能改善絕緣層在鍵合過程中易破裂而導致發光二極管出現漏電失效的問題。所述技術方案如下：
2、一方面，本公開實施例提供了一種發光二極管，所述發光二極管包括：外延層、電極和絕緣層，所述電極位于所述外延層的表面上，所述絕緣層位于所述電極的表面上；所述絕緣層包括：絕緣材料層和金屬阻擋層，所述金屬阻擋層位于所述絕緣材料層內。
3、可選地，所述金屬阻擋層包括兩層粘附金屬層和抗壓金屬層，所述抗壓金屬層夾設在兩層所述粘附金屬層之間。
<...【技術保護點】
1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：外延層(20)、電極(30)和絕緣層(40)，所述電極(30)位于所述外延層(20)的表面上，所述絕緣層(40)位于所述電極(30)的表面上；
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層(42)包括兩層粘附金屬層(421)和抗壓金屬層(422)，所述抗壓金屬層(422)夾設在兩層所述粘附金屬層(421)之間。
3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層(42)還包括攔截金屬層(423)，所述攔截金屬層(423)夾設在所述抗壓金屬層(422)和任一所述粘附金屬層(421)之間。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述攔截金屬層(423)包括Pt層和Ti層中的至少一種。
5.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述粘附金屬層(421)包括Ti層，所述抗壓金屬層(422)包括Au層和Al層中的至少一種。
6.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述粘附金屬層(421)的厚度為1nm至20nm，所述抗壓金屬層
7.根據權利要求1至6任一項所述的發光二極管，其特征在于，所述絕緣層(40)包括至少兩個所述金屬阻擋層(42)。
8.根據權利要求1至6任一項所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層(42)在所述外延層(20)的遠離所述電極(30)的表面上的正投影為第一投影，所述絕緣材料層(41)在所述外延層(20)的遠離所述電極(30)的表面上的正投影為第二投影；
9.根據權利要求1至6任一項所述的發光二極管，其特征在于，所述發光二極管還包括透明導電層(50)、導電基板(70)和鍵合金屬層(80)；
10.一種發光二極管的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
...【技術特征摘要】
1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：外延層(20)、電極(30)和絕緣層(40)，所述電極(30)位于所述外延層(20)的表面上，所述絕緣層(40)位于所述電極(30)的表面上；
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層(42)包括兩層粘附金屬層(421)和抗壓金屬層(422)，所述抗壓金屬層(422)夾設在兩層所述粘附金屬層(421)之間。
3.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述金屬阻擋層(42)還包括攔截金屬層(423)，所述攔截金屬層(423)夾設在所述抗壓金屬層(422)和任一所述粘附金屬層(421)之間。
4.根據權利要求3所述的發光二極管，其特征在于，所述攔截金屬層(423)包括pt層和ti層中的至少一種。
5.根據權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述粘附金屬層(421)包括ti層，所述抗壓金屬層(422)包括au層和a...
【專利技術屬性】
技術研發人員：江賓，張舜，宋飛翔，石躍航，韓藝蕃，
申請(專利權)人：京東方華燦光電浙江有限公司，
類型：發明
國別省市：
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