【技術實現步驟摘要】
【】本專利技術涉及半導體，特別涉及一種圖形打斷方法、圖像處理方法、設備、介質及程序產品。
技術介紹
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技術介紹
1、隨著半導體工藝制程越來越小，設計圖案的圖形周期(pitch)逐漸降低，光學鄰近效應(optical?proximity?effect，簡稱ope)愈專利技術顯，并在集成電路設計(electronicdesign?automation，簡稱eda)的整個流程中起到了愈發重要的作用。
2、為滿足工藝制造需求，計算光刻技術逐漸開始演進與迭代，其中的一種技術演進方向就是分辨率提升技術，主流方法包括光學鄰近校正(optical?proximitycorrection，簡稱opc)、放置亞分辨率輔助圖形(sub－resolution?assist?feature，簡稱sraf)等。為了設計掩膜版圖的形狀并實現較高精度的opc結果，需要對設計圖案進行drc(design?rulecheck，設計規則檢查)，通過初始版圖處理、將多邊形(polygon)的邊(edge)進行打斷(dissection)、偏移(bias)等系列操作以得到理想結果；在此過程中，由于半導體設計版圖的面積逐漸增加，仿真過程的精度與速度要求逐步提升，對現有流程的優化就成為了值得重點關注的問題。
3、現有技術中，對多邊形的邊進行打斷(edge?breaking，也稱去邊角)的優先級固定為逐點打斷、投影打斷及均勻打斷，在進行這幾種打斷后再按照特定環境選用特殊的打斷方式(如相交打斷、歐幾里得半徑打斷等)；現有技術對圖形打斷的
技術實現思路
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技術實現思路
1、為解決現有的光學鄰近校正技術的打斷方式靈活度不高，無法滿足不同特征圖形的打斷要求，進而導致計算光刻的精度與速度不佳的技術問題，本專利技術提供了一種圖形打斷方法、圖像處理方法、設備、介質及程序產品。
2、本專利技術解決技術問題的方案是提供一種用于光學鄰近校正的圖形打斷方法，包括以下步驟：
3、提供初始圖形，獲取所述初始圖形上的待處理側邊及位于所述待處理側邊兩側的端點；
4、在所述待處理側邊上分別確定與每個對應所述端點相隔第一長度的第一位置，在所述端點與所述第一位置之間進行逐點打斷；
5、在所述待處理側邊上分別確定與每個第一位置遠離對應端點的一側且相隔第二長度的第二位置，在所述第一位置與所述第二位置之間進行禁投影區打斷；
6、獲取與所述待處理側邊對應的輔助圖形，依據所述輔助圖形映射于所述待處理側邊的投影，在所述待處理側邊上分別確定與每個第二位置遠離對應第一位置的一側且相隔第三長度的第三位置，在所述第二位置與所述第三位置之間進行投影打斷；
7、在同一條待處理側邊的兩個所述第三位置之間進行均勻打斷，得到所述待處理側邊被打斷后的全部片段。
8、優選地，在所述端點與所述第一位置之間進行逐點打斷，包括以下步驟：
9、獲取預設的逐點打斷參數，所述預設的逐點打斷參數包括第一閾值、第二閾值、第三閾值、第四閾值、第一參數、第二參數、第三參數及第四參數；
10、判斷位于所述待處理側邊兩側的所述端點的類型，所述端點的類型包括凸點和凹點；
11、當所述端點的類型為凸點時，若所述待處理側邊的長度小于所述第一閾值，且所述待處理側邊的相鄰邊中較短邊的長度大于所述第二閾值，則調用所述第一參數進行逐點打斷，否則調用所述第二參數進行逐點打斷；
12、當所述端點的類型為凹點時，若所述待處理側邊的長度小于所述第三閾值，且所述待處理側邊的相鄰邊中較短邊的長度大于所述第四閾值，則調用所述第三參數進行逐點打斷，否則調用所述第四參數進行逐點打斷。
13、優選地，在所述第一位置與所述第二位置之間進行禁投影區打斷，包括以下步驟：
14、獲取預設的禁投影區打斷參數，所述預設的禁投影區打斷參數包括第一單位打斷長度及第一打斷次數；
15、完成逐點打斷之后，在所述第一位置與所述第二位置之間依據所述第一打斷次數進行間隔為所述第一單位打斷長度的均勻打斷。
16、優選地，在投影打斷之前先獲取預設的投影打斷參數，所述預設的投影打斷參數包括近投影閾值和遠投影閾值，以及與所述近投影閾值對應的第二單位打斷長度及第二打斷次數、與所述遠投影閾值對應的第三單位打斷長度及第三打斷次數；
17、當所述輔助圖形上的邊角與所述待處理側邊之間的距離小于所述近投影閾值時，投影打斷的過程以所述第二單位打斷長度及所述第二打斷次數生效；
18、當所述距離大于所述近投影閾值且小于遠投影閾值時，投影打斷的過程以所述第三單位打斷長度及所述第三打斷次數生效。
19、優選地，在所述第二位置與所述第三位置之間進行投影打斷，包括以下步驟：
20、獲取所述輔助圖形映射在所述第二位置與所述第三位置之間的平行投影所形成的投影區域；
21、獲取所述預設的投影打斷參數并計算所述距離，當所述距離小于所述近投影閾值時，依據所述第二打斷次數，在所述第二位置與所述第三位置之間避位所述投影區域進行間隔為所述第二單位打斷長度的均勻打斷；
22、當所述距離大于所述近投影閾值且小于所述遠投影閾值時，依據所述第三打斷次數，在所述第二位置與所述第三位置之間避位所述投影區域進行間隔為所述第三單位打斷長度的均勻打斷。
23、優選地，在同一條待處理側邊的所述第三位置之間進行均勻打斷，包括以下步驟：
24、判斷所述待處理側邊的側邊類型，以獲取預設的均勻打斷參數，所述側邊類型包括短邊和長邊，所述預設的均勻打斷參數包括與短邊和長邊對應的短邊單位打斷長度及短邊打斷次數，以及與長邊對應的長邊單位打斷長度及長邊打斷次數；
25、判斷同一條待處理側邊的所述第三位置之間的間距是否小于第一預設值，當所述側邊類型為短邊且所述間距小于所述第一預設值時，在不小于第二預設值的基礎上縮小所述短邊單位打斷長度，依據所述短邊打斷次數進行間隔為縮小后的短邊單位打斷長度的均勻打斷，以打斷出整數個片段；
26、當所述側邊類型為長邊且所述間距大于所述第一預設值時，先由所述第三位置向遠離所述端點的一側，依據所述短邊打斷次數進行間隔為所述短邊單位打斷長度的第一次均勻打斷，隨即依據所述長邊打斷次數進行間隔為所述長邊單位打斷長度的第二次均勻打斷。
27、優選地，依據所述長邊打斷次數及所述長邊單位打斷長度進行第二次均勻打斷之后，將所述待處理側邊的第三位置之間剩余不足所述長邊單位打斷長度的部分均分至第二次均勻打斷所生成的每一個片段中。
28、本專利技術還提供一種光學鄰近校正的圖像處理方法，所述圖像處理方法中包括上述圖形打斷方法的步驟。
29、本專利技術還提供一種計算機設備，包括儲存器、處理器以及存儲在所述儲存器上的計算機本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種用于光學鄰近校正的圖形打斷方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的圖形打斷方法，其特征在于，在所述端點與所述第一位置之間進行逐點打斷，包括以下步驟：
3.如權利要求2所述的圖形打斷方法，其特征在于，在所述第一位置與所述第二位置之間進行禁投影區打斷，包括以下步驟：
4.如權利要求3所述的圖形打斷方法，其特征在于：
5.如權利要求4所述的圖形打斷方法，其特征在于，在所述第二位置與所述第三位置之間進行投影打斷，包括以下步驟：
6.如權利要求5所述的圖形打斷方法，其特征在于，在同一條待處理側邊的所述第三位置之間進行均勻打斷，包括以下步驟：
7.如權利要求6所述的圖形打斷方法，其特征在于：
8.一種光學鄰近校正的圖像處理方法，其特征在于，所述圖像處理方法中包括權利要求1-7中任一項所述圖形打斷方法的步驟。
9.一種計算機設備，其特征在于，包括儲存器、處理器以及存儲在所述儲存器上的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序以實現如權利要求1-7中任一項所述圖形打斷方法的步驟。
10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序在被處理器執行時實現如權利要求1-7中任一項所述圖形打斷方法的步驟。
11.一種計算機程序產品，包括計算機程序，其特征在于，所述計算機程序在被處理器執行時實現如權利要求1-7中任一項所述圖形打斷方法的步驟。
...【技術特征摘要】
1.一種用于光學鄰近校正的圖形打斷方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.如權利要求1所述的圖形打斷方法，其特征在于，在所述端點與所述第一位置之間進行逐點打斷，包括以下步驟：
3.如權利要求2所述的圖形打斷方法，其特征在于，在所述第一位置與所述第二位置之間進行禁投影區打斷，包括以下步驟：
4.如權利要求3所述的圖形打斷方法，其特征在于：
5.如權利要求4所述的圖形打斷方法，其特征在于，在所述第二位置與所述第三位置之間進行投影打斷，包括以下步驟：
6.如權利要求5所述的圖形打斷方法，其特征在于，在同一條待處理側邊的所述第三位置之間進行均勻打斷，包括以下步驟：
7.如權利要求6所...
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪嘉明，
申請(專利權)人：深圳晶源信息技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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