【技術實現步驟摘要】
本申請屬于紅外探測器，尤其涉及一種用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法及霍爾器件測試方法。
技術介紹
1、為了制備高質量紅外探測器件材料，需要進行霍爾測試，以利用霍爾效應，準確表征出載流子的電輸運特性，從而通過優化碲鎘汞材料中各種導電類型的載流子濃度和遷移率，降低暗電流，提高紅外探測器件性能，因此用于霍爾測試的霍爾器件制備尤為關鍵。
2、傳統用于碲鎘汞霍爾測試的器件制備方法多為芯片四角引線焊接法，即，將芯片的四個角去除鈍化層，然后焊接導線作為電極，通過四個霍爾電極測試器件的霍爾特性。但是此方法制備的霍爾器件形狀簡單，導致金屬接觸尺寸和位置引起的測試誤差較大，測試信號低，測試靈敏度和測試精度較差；需要分開對縱向電阻和霍爾電阻進行測試，測試步驟多，測試時間長。
技術實現思路
1、本申請實施例提供一種用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法及霍爾器件測試方法，用以至少解決傳統制備方法制備的霍爾器件測試精度差和測試效率低的問題。
2、第一方面，本申請實施例提供一種用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法，包括：
3、在預處理后的碲鎘汞芯片表面涂覆光刻膠，所述預處理后的碲鎘汞芯片包括鈍化層和p型的碲鎘汞層；
4、在光刻膠固化后，對碲鎘汞芯片進行第一次光刻得到目標光刻圖形；
5、將目標光刻圖形中沒有光刻膠保護的鈍化層和p型的碲鎘汞層腐蝕掉，得到霍爾棒的臺面結構；
6、去除碲鎘汞芯片表面的光刻膠；
7、重新在碲鎘汞芯片表面涂覆光刻膠
8、將鎘汞芯片表面沒有光刻膠保護的鈍化層腐蝕掉；
9、在碲鎘汞芯片表面生長金屬電極；
10、對碲鎘汞芯片表面進行劃片，得到多個霍爾器件。
11、第二方面，本申請實施例提供一種霍爾器件測試方法，所述測試方法應用于通過如第一方面中任一實施例所述的用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法制備得到的霍爾器件；
12、所述測試方法包括：
13、將霍爾器件利用封裝焊接，并在所述霍爾器件的目標區域引出金屬線以焊接到樣品托上，所述目標區域為所述霍爾器件的需要電學引出的金屬區域；
14、利用樣品托對所述霍爾器件進行霍爾測試，得到測試數據。
15、本申請實施例的用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法及霍爾器件測試方法，制備方法主要包括碲鎘汞芯片表面一次光刻，腐蝕鈍化層和碲鎘汞層，將碲鎘汞制備成霍爾棒的形狀；碲鎘汞芯片表面二次光刻，腐蝕鈍化層，露出沒有鈍化層的碲鎘汞表面，生長金屬電極，最終得到霍爾棒結構器件。該方法制備的結構器件可以同時進行霍爾電阻和縱向電阻測試，測試步驟少，測試時間短，測試效率高；并且，該方法制備的結構器件設計尺寸精確，因此金屬接觸尺寸和位置引起的測試誤差小，測試精度和測試靈敏度高，可以更加準確地得到碲鎘汞材料的載流子濃度、載流子遷移率、霍爾系數等載流子的電輸運特性。從而實現優化器件工藝，提高探測器性能。
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1.一種用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在預處理后的碲鎘汞芯片表面涂覆光刻膠之前，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對帶有鈍化層的碲鎘汞芯片進行熱處理以形成P型的碲鎘汞層，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對碲鎘汞芯片進行第一次光刻得到目標光刻圖形，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在碲鎘汞芯片表面生長金屬電極之后，在對碲鎘汞芯片表面進行劃片之前，所述方法還包括：
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層為碲化鎘膜層。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬電極包括鉻金屬和金金屬。
8.一種霍爾器件測試方法，其特征在于，所述測試方法應用于通過如權利要求1-7中任一項所述的用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法制備得到的霍爾器件；
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述測試數據至少包括：霍爾電阻、縱向電阻、載流子濃度和遷移率譜。>...
【技術特征摘要】
1.一種用于碲鎘汞霍爾測試的器件制樣方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在預處理后的碲鎘汞芯片表面涂覆光刻膠之前，所述方法還包括：
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對帶有鈍化層的碲鎘汞芯片進行熱處理以形成p型的碲鎘汞層，包括：
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對碲鎘汞芯片進行第一次光刻得到目標光刻圖形，包括：
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在碲鎘汞芯片表面生長金屬電極之后...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王嬌，戴永喜，李浩冉，劉世光，劉興新，王鑫，吳卿，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發明
國別省市：
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