【技術實現步驟摘要】
此處說明的多種實施方式總體上涉及一種半導體裝置及其制造方法。
技術介紹
1、要求在三維存儲器中將通道半導體層與源極配線層等的配線以優選形態電連接的方法。
技術實現思路
1、本專利技術的實施方式提供一種能夠將通道半導體層與配線以優選形態電連接的半導體裝置及其制造方法。
2、根據實施方式的半導體裝置，半導體裝置具備：第1膜，包含在第1方向上交替設置的多個電極層及多個絕緣層；以及多個第1半導體層，介隔電荷儲存層設置在所述第1膜內，且在所述第1方向上延伸。所述裝置還具備：第1配線，設置在所述第1膜內，且在所述第1方向上延伸；以及第2半導體層，以在所述第1膜的所述第1方向上與所述多個第1半導體層及所述第1配線相接的方式設置。所述第2半導體層具有所述第1半導體層及所述第1配線側的第1表面以及所述第1半導體層及所述第1配線相反側的第2表面。所述第1表面及所述第2表面具備遍及所述第1半導體層的所述第1方向的區域及所述第1配線的所述第1方向的區域具有凹凸的面。
3、根據所述構成，可提供一種能夠將通道半導體層與配線以優選形態電連接的半導體裝置及其制造方法。
【技術保護點】
1.一種半導體裝置，具備：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其還具備在所述第1膜的所述第1方向上設置在所述第2半導體層表面的第1絕緣膜。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其還具備在所述第1膜的所述第1方向上設置在所述第1絕緣膜表面的第1電極。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其還具備：設置在所述第1膜內，在所述第1方向上延伸，包含半導體或金屬的層；且
5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其還具備設置在所述第1膜外且在所述第1方向上延伸的配線，且所述第1電極設置在所述第1絕緣膜的表面且以與所述配線相接的方式設置。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中所述第2半導體層為n型半導體層。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第2半導體層為多晶硅層。
8.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述包含半導體或金屬的層為多晶硅層。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第1半導體層的所述第1突出部分自所述第1膜向所述第2半導體層內突出，所述第2半導體層以與所
10.一種半導體裝置，具備：第1芯片，具備第1墊片；以及第2芯片，具備設置在所述第1墊片上的第2墊片；且
11.一種半導體裝置的制造方法，包括：
12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第2半導體層的厚度為10nm以下。
13.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，還具備形成以下的層：設置在所述第1膜內，在所述第1方向上延伸，包含半導體或金屬的層；且
14.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第2半導體層為n型半導體層。
15.根據權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其中所述第2半導體層為多晶硅層。
16.根據權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其中所述包含半導體或金屬的層為多晶硅層。
17.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其包括：所述第2半導體層的與所述第1半導體層相接的面的相反面為：具有與所述第1突出部分對應的凹凸的面。
18.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，其還包括：準備形成有電路的第2襯底，
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，具備：
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其還具備在所述第1膜的所述第1方向上設置在所述第2半導體層表面的第1絕緣膜。
3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其還具備在所述第1膜的所述第1方向上設置在所述第1絕緣膜表面的第1電極。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其還具備：設置在所述第1膜內，在所述第1方向上延伸，包含半導體或金屬的層；且
5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其還具備設置在所述第1膜外且在所述第1方向上延伸的配線，且所述第1電極設置在所述第1絕緣膜的表面且以與所述配線相接的方式設置。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中所述第2半導體層為n型半導體層。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中所述第2半導體層為多晶硅層。
8.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中所述包含半導體或金屬的層為多晶硅層。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第1半導體層的所述第1突出部分自所述第1膜向所述第2半導體層內突出，所述第2半導體層以與所述第1半導體層的所述第1突出部分相接的方式設置，所述第2表面具有所述凹...
【專利技術屬性】
技術研發人員：吉水康人，說田雄二，鬼頭杰，
申請(專利權)人：鎧俠股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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