【技術實現步驟摘要】
公開了半導體納米顆粒、制造半導體納米顆粒的方法以及包括半導體納米顆粒的電子裝置。
技術介紹
1、半導體納米顆?？杀憩F出與具有基本相同組成的對應塊體材料不同的方面、特性或性質。例如，半導體納米顆粒可具有基于納米結構的不同物理性質(例如，帶隙能量、發光性質等)。半導體納米顆?？杀粯嬙鞛樵诒蝗肷涔饣蚴┘拥碾妷杭ぐl時發射光。發光納米結構可適用于各種裝置(例如，顯示面板或包括顯示面板的電子裝置)。從環境角度看，期望的是：開發不包含諸如鎘的有害重金屬的發光納米顆粒，并且還實現一種或多種發光或光學性質上的改善。
技術實現思路
1、一方面涉及包括半導體納米顆粒的顏色轉換面板，所述半導體納米顆粒能夠發射光并且表現出改善的光學性質(例如，相對高的激發光吸光度或窄的半峰全寬)和改善的穩定性(例如，工藝穩定性和/或化學穩定性)。
2、一方面涉及半導體納米顆粒的群體。
3、一方面涉及制造半導體納米顆粒的方法。
4、一方面涉及包括半導體納米顆粒的顏色轉換面板。
5、一方面涉及包括半導體納米顆粒的組合物(例如，油墨組合物)。
6、一方面涉及包括半導體納米顆?；蝾伾D換面板的電子裝置(例如，顯示裝置)。
7、一方面，半導體納米顆粒包括銀、銦、鎵和硫，其中，半導體納米顆粒被構造為發射綠光。
8、半導體納米顆粒具有如等式1定義的大于或等于約0.25至小于或等于約0.9的鋅的相對摩爾值：
9、等式1
10、鋅的相
11、其中，在等式1中，
12、[ag]、[in]、[ga]和[zn]分別是半導體納米顆粒中的銀、銦、鎵和鋅的摩爾量，并且
13、其中，鎵與銦的摩爾比(ga:in)為大于約2.5:1且小于約5.6:1，或者小于或等于約5:1。
14、在實施例中，半導體納米顆粒可具有由以下等式2表示的大于或等于約0.8、大于或等于約0.9、大于或等于約0.93且小于或等于約1.4、小于或等于約1.35、或者小于或等于約1.1的電荷平衡值：
15、等式2
16、電荷平衡值＝{[ag]+3([in]+[ga])+2[zn]}/2[s]
17、其中，在等式2中，[ag]、[in]、[ga]、[zn]和[s]分別是半導體納米顆粒中銀、銦、鎵、鋅和硫的摩爾量。
18、在半導體納米顆粒中，鋅的相對摩爾值可大于或等于約0.28、大于或等于約0.35，且小于或等于約0.48、小于或等于約0.43、小于或等于約0.33、或小于或等于約0.31。
19、在半導體納米顆粒中，鋅的相對摩爾值可大于約0.48、或大于或等于約0.6，且小于或等于約0.75、或小于或等于約0.67。
20、在半導體納米顆粒中，鎵與銦的摩爾比(ga:in)可大于或等于約2.9:1、或大于或等于約3.5:1。在半導體納米顆粒中，鎵與銦的摩爾比(ga:in)可小于或等于約5:1、小于或等于約4.5:1、小于或等于約4:1、或小于或等于約3.9:1。
21、在半導體納米顆粒中，鎵與銦和鎵的總和的摩爾比(ga:(in+ga))可大于約0.72:1、或大于或等于約0.73:1，且小于或等于約0.84:1或小于或等于約0.8:1。
22、在半導體納米顆粒中，鋅與銦的摩爾比(zn:in)可大于或等于約2.7:1，且小于或等于約10.5:1或小于或等于約5.9:1。
23、在半導體納米顆粒中，硫與銦的摩爾比(s:in)可大于或等于約7.5:1、或大于或等于約9:1，且小于或等于約17:1或小于或等于約12:1。
24、在半導體納米顆粒中，銀與銦的摩爾比(ag:in)可大于或等于約1.1:1或大于或等于約2.1:1，且小于或等于約5:1或小于或等于約3.1:1。
25、在半導體納米顆粒中，鎵與銀的摩爾比(ga:ag)可大于或等于約1.1:1或大于或等于約1.4:1，且小于或等于約3:1或小于或等于約2.8:1。
26、在半導體納米顆粒中，鎵與鎵、銦和銀的總和的摩爾比(ga:(ga+in+ag))可大于或等于約0.45:1或大于或等于約0.48:1，且小于或等于約0.7:1或小于或等于約0.6:1。
27、在半導體納米顆粒中，鋅與硫的摩爾比(zn:s)可大于或等于約0.1:1。在半導體納米顆粒中，鋅與硫的摩爾比(zn:s)可小于或等于約0.8:1。
28、在半導體納米顆粒中，銦和鎵的總和與硫的摩爾比((in+ga):s)可大于或等于約0.1:1或大于或等于約0.25:1。銦和鎵的總和與硫的摩爾比((in+ga):s)可小于或等于約0.8:1或小于或等于約0.5:1。
29、在半導體納米顆粒中，銀與硫的摩爾比(ag:s)可大于或等于約0.1:1。銀與硫的摩爾比(ag:s)可小于或等于約0.5:1或小于或等于約0.33:1。
30、在半導體納米顆粒中，銀與銀、銦和鎵的總和的摩爾比(ag:(ag+in+ga))可大于或等于約0.2:1或大于或等于約0.3:1。在半導體納米顆粒中，銀與銀、銦和鎵的總和的摩爾比(ag:(ag+in+ga))可小于或等于約0.5:1或小于或等于約0.4:1。
31、在半導體納米顆粒中，硫與銀、銦和鎵的總和的摩爾比(s:(ag+in+ga))可大于或等于約1:1。在半導體納米顆粒中，硫與銀、銦和鎵的總和的摩爾比(s:(ag+in+ga))可小于或等于約2.5:1。
32、在半導體納米顆粒中，硫與銀、銦、鎵和鋅的總和的摩爾比(s:(ag+in+ga+zn))可大于或等于約0.8且小于或等于約1.3:1。
33、在半導體納米顆粒中，銦和鎵的總和與銀的摩爾比((in+ga):ag)可大于或等于約1.4:1且小于或等于約3.7:1。
34、半導體納米顆粒可包括包含銀、銦、鎵和硫的第一顆粒，以及設置在第一顆粒上并包括鋅和硫的半導體納米晶體層。
35、第一顆?？砂ǖ谝话雽w納米晶體并且可選地包括第二半導體納米晶體。第一半導體納米晶體可包括銀、銦、鎵和硫。
36、第一半導體納米晶體或第一顆?？刹话ㄤ\。
37、在半導體納米顆粒中，第二半導體納米晶體可設置在第一半導體納米晶體上或者可圍繞第一半導體納米晶體的至少一部分。第二半導體納米晶體可包括鎵、硫并且可選地包括銀。半導體納米晶體層可包括包含鋅和硫的第三半導體納米晶體。第二半導體納米晶體可具有與第一半導體納米晶體和第三半導體納米晶體不同的組成。第三半導體納米晶體可包括硫化鋅。第三半導體納米晶體可具有與第一半導體納米晶體不同的組成。半導體納米晶體層或第三半導體納米晶體可提供半導體納米顆粒的最外層。
38、在半導體納米顆粒中，第二半導體納米晶體可設置在第一半導體納米晶體與半本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體納米顆粒，包括銀、銦、鎵和硫，其中，所述半導體納米顆粒被構造為發射綠光，
2.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
3.根據權利要求2所述的半導體納米顆粒，其中，
4.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
5.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
6.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
7.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
8.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
9.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，綠光的峰值發射波長大于或等于500nm且小于或等于580nm，并且
10.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
11.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
12.一種制造根據權利要求1所述的半導體納米顆粒的方法，所述方法包括：
13.根據權利要求12所述的方法，其中，
14.根據權利要求12所述的方法，其中，
15.根據權利要求12所述的方法
16.一種復合物，包括基質和分散在基質中的根據權利要求1所述的半導體納米顆粒。
17.根據權利要求16所述的復合物，其中，
18.一種顏色轉換結構，包括：
19.一種電子裝置，包括根據權利要求1所述的半導體納米顆粒。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體納米顆粒，包括銀、銦、鎵和硫，其中，所述半導體納米顆粒被構造為發射綠光，
2.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
3.根據權利要求2所述的半導體納米顆粒，其中，
4.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
5.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
6.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
7.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
8.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，
9.根據權利要求1所述的半導體納米顆粒，其中，綠光的峰值發射波長大于或等于500nm且小于或等于580nm，并且
10.根據權利要求1所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：權秀暻，楊承林，曹雅羅，金善英，元那淵，李準浩，林美惠，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。