【技術實現步驟摘要】
本申請涉及磁傳感，特別是涉及一種磁傳感器制備方法及磁傳感器。
技術介紹
1、隨著科技發展和社會的不斷進步，越來越多種類的磁傳感器出現在人們的日常工作和生活中。tmr(tunnel?magnetoresistance?effect，隧道磁阻效應)磁傳感器是一種利用隧道磁阻效應的磁傳感器，其包括由磁性隧道結串聯和/或并聯構成的多個tmr磁阻元件，利用外磁場能夠引起tmr磁阻元件的電阻變化來實現對外磁場的檢測。然而，tmr磁阻元件只能進行面內磁場感應。為了使得tmr磁阻元件能夠檢測面外磁場，其中一種方式是將磁性隧道結設置在斜坡上。也就是說，為了實現三軸磁場檢測，在平面以及斜坡上均設置磁性隧道結，分別用于進行面內磁場感應以及面外磁場感應。
2、傳統的磁傳感器制備工藝，是在平面和斜坡上沉積tmr磁性薄膜后，再對tmr磁性薄膜進行刻蝕形成磁性隧道結，獲得的平面和斜坡上的tmr磁性薄膜厚度不一致或厚度不滿足使用需求，從而導致最終獲得的磁傳感器的感應性能差。
技術實現思路
1、基于此，有必要針對上述問題，提供一種可提高磁傳感器的感應性能的磁傳感器制備方法及磁傳感器。
2、一種磁傳感器制備方法，包括：
3、在基板制作傾斜結構；
4、分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一tmr磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二tmr磁性多層薄膜圖形；
5、對所述第一tmr磁性多層薄膜圖形和所述第二tmr磁性多層薄膜圖形進行刻蝕，形成位于
6、在所述基板進行金屬鍍膜及刻蝕，形成連接各所述磁性隧道結的第二金屬層。
7、在其中一個實施例中，所述第一tmr磁性多層薄膜包括用作制作第一金屬層、磁性隧道結和蓋層的結構，和/或所述第二tmr磁性多層薄膜包括用作制作第一金屬層和磁性隧道結的結構。
8、在其中一個實施例中，所述分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一tmr磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二tmr磁性多層薄膜圖形，包括：
9、在所述基板形成第一tmr磁性多層薄膜，對所述第一tmr磁性多層薄膜進行刻蝕，保留位于所述基板的平面/傾斜結構的部分；
10、在所述基板形成第二tmr磁性多層薄膜，對所述第二tmr磁性多層薄膜進行刻蝕，保留位于所述基板的傾斜結構/平面的部分；所述第一tmr磁性多層薄膜的蓋層用作刻蝕所述第二tmr磁性多層薄膜時進行刻蝕停止檢測控制；
11、對所述基板上保留的第一tmr磁性多層薄膜和第二tmr磁性多層薄膜進行刻蝕，分別形成第一tmr磁性多層薄膜圖形和第二tmr磁性多層薄膜圖形。
12、在其中一個實施例中，所述分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一tmr磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二tmr磁性多層薄膜圖形，包括：
13、在所述基板形成第一tmr磁性多層薄膜，對所述第一tmr磁性多層薄膜進行刻蝕，形成位于所述基板的平面/傾斜結構的第一tmr磁性多層薄膜圖形和偽圖形；
14、在所述基板形成第二tmr磁性多層薄膜，對所述第二tmr磁性多層薄膜進行刻蝕，形成位于所述基板的傾斜結構/平面的第二tmr磁性多層薄膜圖形；所述第一tmr磁性多層薄膜的蓋層用作刻蝕所述第二tmr磁性多層薄膜時進行刻蝕停止檢測控制。
15、在其中一個實施例中，所述第一金屬層和所述第二金屬層用于將所述磁性隧道結串聯、并聯或串聯和并聯相結合的方式組成磁場敏感區。
16、在其中一個實施例中，所述基板包括層疊設置的襯底和第一鈍化層；所述在所述基板進行金屬鍍膜及刻蝕，形成連接各所述磁性隧道結的第二金屬層之后，該方法還包括：
17、在所述第二金屬層上沉積形成第二鈍化層；
18、對所述第二鈍化層進行刻蝕得到暴露所述第二金屬層的頂層連接孔，然后進行金屬沉積和刻蝕，得到頂層金屬層。
19、在其中一個實施例中，所述頂層金屬層一部分用于形成線圈，一部分用于通過所述頂層連接孔與所述第二金屬層連接；所述線圈在通電時，對所述磁場敏感區中各磁性隧道結進行復位操作。
20、在其中一個實施例中，所述對所述第二鈍化層進行刻蝕得到暴露所述第二金屬層的頂層連接孔，然后進行金屬沉積和刻蝕，得到頂層金屬層之后，該方法還包括：
21、在所述頂層金屬層沉積第三鈍化層，并對所述第三鈍化層進行刻蝕形成導電焊點開孔。
22、在其中一個實施例中，所述導電焊點開孔用于所述頂層金屬層連接所述第二金屬層的部分與外部器件進行電連接。
23、一種磁傳感器，包括基板、第一金屬層、磁性隧道結和第二金屬層，所述基板包括傾斜結構；所述磁傳感器根據上述的方法進行制備得到。
24、上述磁傳感器制備方法及磁傳感器，在基板制作傾斜結構之后，分別在基板的平面/傾斜結構形成第一tmr磁性多層薄膜圖形，以及在基板的傾斜結構/平面形成第二tmr磁性多層薄膜圖形。對第一tmr磁性多層薄膜圖形和第二tmr磁性多層薄膜圖形進行刻蝕，形成位于基板的平面以及傾斜結構的斜面上的第一金屬層和磁性隧道結，在基板進行金屬鍍膜及刻蝕，形成連接各磁性隧道結的第二金屬層。通過分別形成第一tmr磁性多層薄膜圖形和第二tmr磁性多層薄膜圖形再刻蝕得到第一金屬層和磁性隧道結，可根據基板的平面/傾斜結構處的實際沉積需求控制生成tmr磁性多層薄膜的厚度，確保tmr磁性多層薄膜的整體厚度一致或分別滿足平面、斜面對于tmr磁性多層薄膜的厚度需求，提高了磁傳感器的感應性能。
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1.一種磁傳感器制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一TMR磁性多層薄膜包括用作制作第一金屬層、磁性隧道結和蓋層的結構，和/或所述第二TMR磁性多層薄膜包括用作制作第一金屬層和磁性隧道結的結構。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一TMR磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二TMR磁性多層薄膜圖形，包括：
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一TMR磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二TMR磁性多層薄膜圖形，包括：
5.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層用于將所述磁性隧道結串聯、并聯或串聯和并聯相結合的方式組成磁場敏感區。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述基板包括層疊設置的襯底和第一鈍化層；所述在所述基板進行金屬鍍膜及刻蝕，形成連接各所述磁性隧道結的第二金屬層之后，還包括：
7.
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述對所述第二鈍化層進行刻蝕得到暴露所述第二金屬層的頂層連接孔，然后進行金屬沉積和刻蝕，得到頂層金屬層之后，還包括：
9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，所述導電焊點開孔用于所述頂層金屬層連接所述第二金屬層的部分與外部器件進行電連接。
10.一種磁傳感器，其特征在于，包括基板、第一金屬層、磁性隧道結和第二金屬層，所述基板包括傾斜結構；所述磁傳感器根據權利要求1-9任意一項所述的方法進行制備得到。
...【技術特征摘要】
1.一種磁傳感器制備方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一tmr磁性多層薄膜包括用作制作第一金屬層、磁性隧道結和蓋層的結構，和/或所述第二tmr磁性多層薄膜包括用作制作第一金屬層和磁性隧道結的結構。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一tmr磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二tmr磁性多層薄膜圖形，包括：
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述分別在所述基板的平面/傾斜結構形成第一tmr磁性多層薄膜圖形，以及在所述基板的傾斜結構/平面形成第二tmr磁性多層薄膜圖形，包括：
5.根據權利要求1-4任意一項所述的方法，其特征在于，所述第一金屬層和所述第二金屬層用于將所述磁性隧道結串聯、并聯或串聯和并聯相結合的方式組成磁場敏感區。
6.根據權利要求5所述...
【專利技術屬性】
技術研發人員：丁菊仁，何路光，郭慧芳，徐兵兵，
申請(專利權)人：上海矽睿科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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