【技術實現步驟摘要】
本申請涉及外延襯底制備領域，尤其是涉及一種單晶襯底制備工藝和金剛石形核工藝。
技術介紹
1、金剛石形核ir作為一種獨特的襯底材料，在高質量、大尺寸金剛石薄膜的異質外延生長中扮演著至關重要的角色；第一性原理計算結果表明,碳原子在ir中的溶出能(dissolution?energy)對其濃度變化十分敏感，當碳原子濃度增加時，ir襯底中的碳原子迅速失穩析出，該溶解-析出過程導致襯底表面形貌快速變化，有利于金剛石晶粒在ir襯底表面的平移和旋轉從而快速達到一致取向。
2、現有技術中，異質單晶ir襯底制備困難，通常采用磁控濺射pvd工藝進行制備，然而，針對大尺寸單晶襯底的制備成品率低、品質較差。
3、因此，現有技術的技術問題在于：大尺寸單晶ir襯底制備品質較差。
技術實現思路
1、本申請提供一種單晶襯底制備工藝和金剛石形核工藝，解決了大尺寸單晶ir襯底制備品質較差的技術問題，達到提高大尺寸單晶ir襯底制備品質的技術效果。
2、一方面，本申請提供的一種單晶襯底制備工藝，采用如下的技術方案：
3、一種單晶襯底制備工藝，包括：反應腔內提供基礎襯底；向反應腔提供含銥前驅體和載氣；通過mocvd法在基礎襯底上形成銥膜；對銥膜清洗、干燥，得到目標襯底。
4、作為優選，所述基礎襯底包括a面藍寶石襯底、ysz或srtio3。
5、作為優選，所述載氣包括ar和h2，其中，h2占比10％～100％。
6、作為優選，所述含銥前驅體包
7、作為優選，所述通過mocvd法在基礎襯底上形成銥膜包括：對反應腔抽真空；加熱基礎襯底；加熱含銥前驅體形成蒸氣，通過載氣攜帶含銥前驅體飽和蒸氣進入反應腔；反應持續，冷卻。
8、作為優選，所述對銥膜清洗、干燥包括：對銥膜進行丙酮溶液超聲波清洗、吹干。
9、作為優選，在所述加熱基礎襯底之前，使基礎襯底保持第一轉速；在所述加熱基礎襯底之后，使基礎襯底保持第二轉速。
10、另一方面，本申請提供的一種金剛石形核工藝，采用如下的技術方案：
11、一種金剛石形核工藝，包括：反應腔內提供所述的目標襯底；向反應腔提供工藝氣體；通過dccvd法在銥膜表面沉積形成金剛石核。
12、作為優選，所述工藝氣體包括ch4和h2，其中，ch4占比2％～6％。
13、作為優選，所述通過dccvd法在銥膜表面沉積形成金剛石核包括：對反應腔抽真空；加熱襯底；向反應腔通入工藝氣體；對工藝氣體施加正偏壓電場，形成偏壓輝光；反應持續，冷卻。
14、綜上所述，本申請包括以下至少一種有益技術效果：
15、本工藝采用mocvd法，在基礎襯底上直接形成銥膜，相較于傳統的濺射pvd等方法，mocvd法具有更高的沉積效率和更好的均勻性，尤其適用于制備大尺寸單晶襯底，有效提高了生產效率和品質，有利于后續金剛石形核工藝。
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1.一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述基礎襯底包括A面藍寶石襯底、YSZ或SrTiO3。
3.根據權利要求1所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述載氣包括Ar和H2，其中，H2占比10％～100％。
4.根據權利要求1所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述含銥前驅體包括乙酰丙酮銥或環戊二烯三甲基銥。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述通過MOCVD法在基礎襯底上形成銥膜包括：
6.根據權利要求5所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述對銥膜清洗、干燥包括：
7.根據權利要求5所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，在所述加熱基礎襯底之前，使基礎襯底保持第一轉速；
8.一種金剛石形核工藝，其特征在于，包括：
9.根據權利要求8所述的一種金剛石形核工藝，其特征在于，所述工藝氣體包括CH4和H2，其中，CH4占比2％～6％。
10.根據權利要求9所述的一種
...【技術特征摘要】
1.一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述基礎襯底包括a面藍寶石襯底、ysz或srtio3。
3.根據權利要求1所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述載氣包括ar和h2，其中，h2占比10％～100％。
4.根據權利要求1所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述含銥前驅體包括乙酰丙酮銥或環戊二烯三甲基銥。
5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種單晶襯底制備工藝，其特征在于，所述通過mocvd法在基礎襯底上形成...
【專利技術屬性】
技術研發人員：曹建偉，朱亮，倪軍夫，高宇，李玉剛，
申請(專利權)人：浙江晶盛機電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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