【技術實現步驟摘要】
本申請屬于微波與電磁場，尤其涉及一種內置式永磁產生裝置。
技術介紹
1、相對論磁控管是目前發展相對較為成熟，且報道較多的高功率微波源，具有結構簡單、加工成本相對低廉、對電壓波形的適應性強、使用壽命長，起振容易，輸出功率大等優點，同時，相對論磁控管具有小型化的潛力，在移動式平臺上具有很強的競爭力，因此引起各研究機構及高校的重視。相對論磁控管工作時需外部磁場供其工作，常見的磁場實現方式為螺線管磁場，微波源工作時除需提供高壓脈沖驅動電源，同時還需提供線圈磁場工作所需電源，龐大的電源系統極大地增加了整個系統的體積和重量，而且消耗了大量的能量，降低了高功率微波源的整體能量效率；為減少線圈磁場冷卻裝置及提高效能，通常磁場線圈供電電源為脈沖式，因此，為使微波源工作時電壓與磁場同步，需有同步控制器，此外，在重復脈沖工作的時候，電磁系統還需冷卻和保護裝置，使得相對論磁控管在小型化、工程化和實用化方面受到極大限制，極大的限制了它的應用范圍。
2、相對于電磁系統，永磁系統具有體積小、重量輕、不消耗額外能量而且能夠提供穩定的磁場等優點，因此發展永磁產生技術是高功率微波源實現實用化的重要手段之一。現有的永磁產生裝置多數位于相對論磁控管外部，或大部分磁體位于相對論磁控管外部，為了達到工作區的磁場強度要求，需要較多的永磁體的使用量，這將限制設備的小型化。
技術實現思路
1、本申請的目的在于，為克服現有技術缺陷，提供了一種內置式永磁產生裝置,該永磁產生裝置鑲嵌于相對論磁控管外筒內部，與相對論磁控管陽極
2、本申請目的通過下述技術方案來實現：
3、一種內置式永磁產生裝置，所述裝置內置于相對論磁控管內部，所述裝置包括：
4、內部磁鋼，所述內部磁鋼包括充磁方向徑向取向的第一永磁環和第二永磁環，以及若干個充磁方向徑向取向的扇形永磁塊，所述扇形永磁塊嵌于所述相對論磁控管的陽極葉片內部；
5、外圍軛鐵，所述外圍軛鐵設置于所述內部磁鋼與所述相對論磁控管外壁之間。
6、進一步的，所述第一永磁環和第二永磁環分別位于所述相對論磁控管的陽極兩端且磁化方向相反。
7、進一步的，一半扇形永磁塊靠近所述第一永磁環且與所述第一永磁環的磁化方向相同，另一半扇形永磁塊靠近所述第二永磁環且與所述第二永磁環的磁化方向相同。
8、進一步的，所述第一永磁環和第二永磁環內半徑相同且小于等于所述相對論磁控管的陽極內半徑，所述扇形永磁塊內半徑小于所述相對論磁控管的陽極葉片內半徑，所述扇形永磁塊張角小于相對論磁控管陽極葉片張角。
9、進一步的，所述外圍軛鐵的內半徑與所述第一永磁環和第二永磁環外半徑相同，外半徑小于所述相對論磁控管的外筒外壁。
10、進一步的，所述內部磁鋼選用釤鈷永磁體加工成瓦塊狀磁體。
11、進一步的，所述第一永磁環、第二永磁環和扇形永磁體由所述瓦塊狀磁體充磁后粘結形成。
12、進一步的，所述第一永磁環、第二永磁環和扇形永磁體通過絕緣膠與所述外圍軛鐵粘結固定。
13、本申請的有益效果在于：
14、(1)本申請設計的相對論磁控管用內置式永磁產生裝置，鑲嵌于相對論磁控管內部，充分利用相對論磁控管陽極結構特點以及陽極兩端空間，將扇形磁鋼替代相對論磁控管陽極葉片部分內部結構，不增加系統橫向尺寸，有效減小了永磁式相對論磁控管整體體積重量，減小了磁鋼需求，提高了系統的輕小型化水平，并具有工作區磁場均勻區長且穩定的特點。
15、(2)本申請磁鋼外部的外圍軛鐵能夠形成極靴，使外部磁力線通過極靴引導，有效減小了外部雜散磁場；內部扇形磁鋼的引入，提高了工作區軸向磁場的均勻性。
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1.一種內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述裝置內置于相對論磁控管內部，所述裝置包括：
2.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述第一永磁環和第二永磁環分別位于所述相對論磁控管的陽極兩端且磁化方向相反。
3.如權利要求2所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，一半扇形永磁塊靠近所述第一永磁環且與所述第一永磁環的磁化方向相同，另一半扇形永磁塊靠近所述第二永磁環且與所述第二永磁環的磁化方向相同。
4.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述第一永磁環和第二永磁環內半徑相同且小于等于所述相對論磁控管的陽極內半徑，所述扇形永磁塊內半徑小于所述相對論磁控管的陽極葉片內半徑，所述扇形永磁塊張角小于相對論磁控管陽極葉片張角。
5.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述外圍軛鐵的內半徑與所述第一永磁環和第二永磁環外半徑相同，外半徑小于所述相對論磁控管的外筒外壁。
6.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述內部磁鋼選用釤鈷永磁體加工成瓦塊狀磁體。
7.如權利要求6所述
8.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述第一永磁環、第二永磁環和扇形永磁體通過絕緣膠與所述外圍軛鐵粘結固定。
...【技術特征摘要】
1.一種內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述裝置內置于相對論磁控管內部，所述裝置包括：
2.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述第一永磁環和第二永磁環分別位于所述相對論磁控管的陽極兩端且磁化方向相反。
3.如權利要求2所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，一半扇形永磁塊靠近所述第一永磁環且與所述第一永磁環的磁化方向相同，另一半扇形永磁塊靠近所述第二永磁環且與所述第二永磁環的磁化方向相同。
4.如權利要求1所述的內置式永磁產生裝置，其特征在于，所述第一永磁環和第二永磁環內半徑相同且小于等于所述相對論磁控管的陽極內半徑，所述扇形永磁塊內半徑小于所述相對論磁控管的陽...
【專利技術屬性】
技術研發人員：張顏顏，鄧坤，劉東升，顧杰，陳宏，許建軍，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第二十九研究所，
類型：發明
國別省市：
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