【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及電力電子，尤其涉及一種功率模塊及制造方法。
技術(shù)介紹
1、目前新能源汽車主驅(qū)逆變器用功率模塊仍未脫離傳統(tǒng)芯片封裝的局限，雜散電感、散熱能力等主要性能參數(shù)還有很大的提升空間。并且基于使用情況，未來對電驅(qū)總成的集成度，能量的損耗，重量與成本都有更高的要求。
2、功率模塊作為逆變器的核心元器件，其電路拓撲、寄生參數(shù)、散熱能力等直接影響車輛的使用性能。通過優(yōu)化和改善功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)，可以影響到汽車加速度、續(xù)航等能力。
3、為達到上述的目的，許多功率模塊封裝將金屬鍵合線用銅夾、銅排替代，采用銀燒結(jié)、激光焊等工藝方式，功率模塊在其工作效率和散熱性能方面有了一定的提升，但是在散熱性能、功率模塊的集成度、能量損耗、減小雜散電感等方面仍然存在欠缺。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于提供一種功率模塊及制造方法，提高了功率模塊的集成度和散熱性能，降低了功率模塊的能量損耗，減小了雜散電感。
2、為達此目的，本專利技術(shù)采用以下技術(shù)方案：
3、第一方面，提供一種功率模塊，包括：
4、第一基板，設有兩個，每個所述第一基板的第一側(cè)面分別設有第一凹槽，每個所述第一基板上分別設有電路圖形，兩個所述第一基板的第二側(cè)面相向設置且絕緣連接；
5、芯片底座，設置于所述第一凹槽內(nèi)，所述芯片底座上設有芯片，所述第一基板上設有多個第一導通孔，所述芯片底座和所述芯片分別通過所述第一導通孔與所述電路圖形導電連接；
6、散熱件，設置
7、作為上述的功率模塊的一種可選技術(shù)方案，每個所述第一基板的第一側(cè)面分別設有第一絕緣層，所述第一絕緣層上設有通槽，所述通槽與所述芯片底座對應設置，所述通槽內(nèi)設有絕緣導熱層，所述散熱件與所述絕緣導熱層連接。
8、作為上述的功率模塊的一種可選技術(shù)方案，每個所述第一基板的第一側(cè)面分別壓合有第二基板，所述第二基板的表面設有第一絕緣層，所述第一絕緣層上設有通槽，所述通槽與所述芯片底座對應設置，所述散熱件穿設所述通槽與所述第二基板連接。
9、作為上述的功率模塊的一種可選技術(shù)方案，其中一個所述第一基板的第一側(cè)面設有第二凹槽，所述第二凹槽內(nèi)設有金屬塊，所述第一基板上設有用于導電連接所述金屬塊和所述電路圖形的第二導通孔；
10、另一個所述第一基板上設有第三導通孔，所述第三導通孔與所述電路圖形導電連接。
11、作為上述的功率模塊的一種可選技術(shù)方案，兩個所述第一基板上貫穿設有第四導通孔，所述第四導通孔導電連接兩個所述第一基板上的所述電路圖形。
12、作為上述的功率模塊的一種可選技術(shù)方案，兩個所述第一基板之間設有絕緣介質(zhì)層。
13、第二方面，提供一種功率模塊的制造方法，用于制造如上任一項所述的功率模塊，所述制造方法包括：
14、提供芯片底座和芯片，且將所述芯片安裝于所述芯片底座上；
15、提供兩個設有第一凹槽和電路圖形的第一基板；
16、將所述芯片底座安裝于所述第一凹槽內(nèi)；
17、在所述第一基板上加工導電連接所述芯片和所述電路圖形的第一導通孔；
18、壓合兩個所述第一基板；
19、提供散熱件，將所述散熱件設置于所述第一基板的第一側(cè)面，使所述散熱件與所述芯片底座絕緣且導熱連接。
20、作為上述的功率模塊的制造方法的一種可選技術(shù)方案，在所述第一基板的第一側(cè)面涂覆第一絕緣層，在所述第一絕緣層上開設通槽，在所述通槽內(nèi)涂覆絕緣導熱層，使所述散熱件與所述絕緣導熱層連接。
21、作為上述的功率模塊的制造方法的一種可選技術(shù)方案，提供兩個第二基板，兩個所述第二基板置于所述第一基板的第一側(cè)，壓合所述第二基板于所述第一基板上，在所述第二基板的表面涂覆第一絕緣層，在所述第一絕緣層上開設通槽，使所述散熱件穿設所述通槽與所述第二基板連接。
22、作為上述的功率模塊的制造方法的一種可選技術(shù)方案，提供金屬塊，在其中一個所述第一基板的第一側(cè)面開設第二凹槽，安裝所述金屬塊于所述第二凹槽內(nèi)，在所述第一基板上加工導電連接所述金屬塊和所述電路圖形的第二導通孔；
23、在另一個所述第一基板上加工第三導通孔，使所述第三導通孔與所述電路圖形導電連接。
24、本專利技術(shù)的有益效果：
25、本專利技術(shù)提供的功率模塊及制造方法，兩個第一基板之間絕緣連接，電流通過第一基板上的電路圖形流向芯片，與芯片連接的芯片底座可以作為芯片電極的一部分結(jié)構(gòu)，提高了功率模塊的集成度，且芯片底座設置于第一凹槽內(nèi)，芯片通過第一導通孔與電路圖形導電連接，代替了現(xiàn)有技術(shù)中的金屬鍵合線、銅夾或銅排等連接工藝，不僅提高了功率模塊的散熱性能，還縮短了電流流經(jīng)的路徑，減小了雜散電感，降低了功率模塊的能量損耗；此外，兩個第一基板的第二側(cè)面相向設置，第一基板內(nèi)的每個芯片底座分別連接一個散熱件，實現(xiàn)了功率模塊的雙面散熱，縮短了散熱路徑，改善了散熱的效果。
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1.一種功率模塊，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，每個所述第一基板(1)的第一側(cè)面分別設有第一絕緣層(5)，所述第一絕緣層(5)上設有通槽(51)，所述通槽(51)與所述芯片底座(2)對應設置，所述通槽(51)內(nèi)設有絕緣導熱層(6)，所述散熱件(4)與所述絕緣導熱層(6)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，每個所述第一基板(1)的第一側(cè)面分別壓合有第二基板(7)，所述第二基板(7)的表面設有第一絕緣層(5)，所述第一絕緣層(5)上設有通槽(51)，所述通槽(51)與所述芯片底座(2)對應設置，所述散熱件(4)穿設所述通槽(51)與所述第二基板(7)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，其中一個所述第一基板(1)的第一側(cè)面設有第二凹槽(12)，所述第二凹槽(12)內(nèi)設有金屬塊(8)，所述第一基板(1)上設有用于導電連接所述金屬塊(8)和所述電路圖形的第二導通孔(14)；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，兩個所述第一基板(1)上貫穿設有第四導通孔(16)，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，兩個所述第一基板(1)之間設有絕緣介質(zhì)層(200)。
7.一種功率模塊的制造方法，用于制造如權(quán)利要求1-6中任一項所述的功率模塊，其特征在于，所述制造方法包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，在所述第一基板(1)的第一側(cè)面涂覆第一絕緣層(5)，在所述第一絕緣層(5)上開設通槽(51)，在所述通槽(51)內(nèi)涂覆絕緣導熱層(6)，使所述散熱件(4)與所述絕緣導熱層(6)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，提供兩個第二基板(7)，兩個所述第二基板(7)置于所述第一基板(1)的第一側(cè)，壓合所述第二基板(7)于所述第一基板(1)上，在所述第二基板(7)的表面涂覆第一絕緣層(5)，在所述第一絕緣層(5)上開設通槽(51)，使所述散熱件(4)穿設所述通槽(51)與所述第二基板(7)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的功率模塊的制造方法，其特征在于，提供金屬塊(8)，在其中一個所述第一基板(1)的第一側(cè)面開設第二凹槽(12)，安裝所述金屬塊(8)于所述第二凹槽(12)內(nèi)，在所述第一基板(1)上加工導電連接所述金屬塊(8)和所述電路圖形的第二導通孔(14)；
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種功率模塊，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，每個所述第一基板(1)的第一側(cè)面分別設有第一絕緣層(5)，所述第一絕緣層(5)上設有通槽(51)，所述通槽(51)與所述芯片底座(2)對應設置，所述通槽(51)內(nèi)設有絕緣導熱層(6)，所述散熱件(4)與所述絕緣導熱層(6)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，每個所述第一基板(1)的第一側(cè)面分別壓合有第二基板(7)，所述第二基板(7)的表面設有第一絕緣層(5)，所述第一絕緣層(5)上設有通槽(51)，所述通槽(51)與所述芯片底座(2)對應設置，所述散熱件(4)穿設所述通槽(51)與所述第二基板(7)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，其中一個所述第一基板(1)的第一側(cè)面設有第二凹槽(12)，所述第二凹槽(12)內(nèi)設有金屬塊(8)，所述第一基板(1)上設有用于導電連接所述金屬塊(8)和所述電路圖形的第二導通孔(14)；
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊，其特征在于，兩個所述第一基板(1)上貫穿設有第四導通孔(16)，所述第四導通孔(16)導電連接兩個所述第一基板(1)上的所述電路圖形。
6.根據(jù)權(quán)利...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：梁天宇，王杰，李藹怡，
申請(專利權(quán))人：勝偉策電子江蘇有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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