【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種影像傳感器集成方法。
技術介紹
1、現有技術影像傳感器器件晶圓完成制造后，會進行cob封裝，或csp封裝。影像傳感器整體封裝體積較大。目前，傳統影像傳感器集成工藝，普遍由晶圓廠完成晶圓制造由封測廠封裝，之后終測，整個生產周期較長；以及產品在設備中的體積占比的日益小型化需求，現有技術的封測工藝已經越來越不能滿足影像傳感器高集成度的需求。
2、請參閱圖1，cob(板上芯片)，封裝后成品加裝外殼和透鏡。cob封裝形式采用單顆封裝形式，生產效率低，需要加蓋較厚的玻璃用于保護影像傳感器，避免其受微小顆粒影響呈像質量，之后通過在框架上形成一定厚度黏附層與玻璃鍵合；
3、該玻璃通常該厚度為400um，加上封裝外殼，厚度為幾個毫米級，且成像效果會受玻璃厚度影響；該方法生產效率低，上芯貼片過程容易引入顆粒沾污傳感器表面的微透鏡，且無法滿足目前影像傳感器日益小型化高集成度的需求。
4、為解決上述問題，需要提出一種新型的影像傳感器集成方法。
技術實現思路
1、鑒于以上所述現有技術的缺點，本專利技術的目的在于提供一種影像傳感器集成方法，用于解決現有技術中封測工藝已經越來越不能滿足影像傳感器高集成度的需求的問題。
2、為實現上述目的及其他相關目的，本專利技術提供一種影像傳感器集成方法，包括：
3、步驟一、提供影像傳感器晶圓，在所述影像傳感器晶圓的正面上形成有形成永久鍵合膠，之后在所述永久鍵合膠上固定透光晶圓，在所
4、步驟二、利用taiko研磨減薄所述影像傳感器晶圓的背面，所述影像傳感器晶圓的邊緣形成為上凸的taiko環；
5、步驟三、在所述影像傳感器晶圓的背面形成背面電極引出結構以及去除所述taiko環；
6、步驟四、去除所述保護層，切割所述影像傳感器晶圓形成單顆影像傳感器。
7、優選地，步驟一中的所述影像傳感器晶圓的正面形成有影像傳感器器件以及微透鏡。
8、優選地，步驟一中以500～5000轉/分鐘的速度涂覆永久鍵合膠。
9、優選地，步驟一中的的所述永久鍵合膠的厚度為5～30微米。
10、優選地，步驟一中在形成所述永久鍵合膠后，還包括在70℃～150℃的熱板上預烘烤5～10分鐘的步驟。
11、優選地，步驟一中利用對準機將所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓進行對齊。
12、優選地，步驟一中將對齊后的所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓轉移到結合機中，在1～10pa的真空下，以50～100℃的結合溫度和50～100公斤力的壓力下進行10～30分鐘的結合。
13、優選地，步驟一中在所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓結合后，還包括在氮氣氣氛中以100℃～200℃的溫度烘烤30～90分鐘。
14、優選地，步驟一中的所述透光晶圓的厚度為50～200um。
15、優選地，步驟二中減薄所述影像傳感器晶圓的背面5～10um。
16、優選地，步驟二中在減薄所述影像傳感器晶圓后，還包括利用刻蝕去除taiko研磨表面微細紋的步驟。
17、優選地，步驟二中利用刻蝕去除taiko研磨表面0.5～5um的厚度。
18、優選地，步驟二中減薄后的所述影像傳感器晶圓厚度為50～150um。
19、優選地，步驟二、三之間還包括進行鍵合質量檢查的步驟。
20、優選地，步驟三中的所述在所述影像傳感器晶圓的背面形成背面電極引出結構以及去除所述影像傳感器晶圓邊緣的上凸部分的方法包括：先形成所述背面電極引出結構；之后去除所述taiko環。
21、優選地，步驟三中的所述在所述影像傳感器晶圓的背面形成背面電極引出結構以及去除所述影像傳感器晶圓邊緣的上凸部分的方法包括：先去除所述taiko環；之后形成所述背面電極引出結構。
22、優選地，步驟三中形成所述背面電極引出結構的方法包括：在所述影像傳感器晶圓背面形成光刻膠層，光刻打開所述光刻膠層形成特定圖形，利用刻蝕形成通孔，刻蝕終止點為所述影像傳感器晶圓上的焊墊背部金屬層，在所述通孔側壁形成絕緣膜層，之后對所述通孔進行金屬填充，之后將芯片輸入輸出焊墊引出到芯片背部形成新的線路分布，之后形成外部焊接點。
23、優選地，步驟三中利用噴涂涂膠工藝形成所述光刻膠層。
24、優選地，步驟三中的所述光刻膠層的厚度為5～15um。
25、優選地，步驟三中的所述通孔的深寬比大于等于2:1。
26、優選地，步驟三中的所述線路與所述影像傳感器晶圓的接觸面之間形成有5～10k埃厚的第一絕緣膜層。
27、優選地，步驟三中的所述線路與所述影像傳感器晶圓的接觸面之間形成有3～10um厚的鈍化層用于絕緣。
28、優選地，步驟三中的所述線路的表層覆蓋有第二絕緣膜層。
29、如上所述，本專利技術的影像傳感器集成方法，具有以下有益效果：
30、本專利技術通過taiko研磨技術，使得影像傳感器晶圓得到較強的機械強度，使用高透光永久鍵合膠，與50～200um厚高透玻璃鍵合，大大減少了透光晶圓厚度，提高了透光率，從而提升成像效果；同時可以使影像傳感器晶圓研磨厚度更薄。使得最終產品體積更小，更輕薄，整體集成度更高。
本文檔來自技高網...【技術保護點】
1.一種影像傳感器集成方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中的所述影像傳感器晶圓的正面形成有影像傳感器器件以及微透鏡。
3.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中以500～5000轉/分鐘的速度涂覆永久鍵合膠。
4.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中的的所述永久鍵合膠的厚度為5～30微米。
5.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中在形成所述永久鍵合膠后，還包括在70℃～150℃的熱板上預烘烤5～10分鐘的步驟。
6.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中利用對準機將所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓進行對齊。
7.根據權利要求6所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中將對齊后的所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓轉移到結合機中，在1～10Pa的真空下，以50～100℃的結合溫度和50～100公斤力的壓力下進行10～30分鐘的結合。
8.根據權利要求7
9.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中的所述透光晶圓的厚度為50～200um。
10.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中減薄所述影像傳感器晶圓的背面5～10um。
11.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中在減薄所述影像傳感器晶圓后，還包括利用刻蝕去除TAIKO研磨表面微細紋的步驟。
12.根據權利要求9所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中利用刻蝕去除TAIKO研磨表面0.5～5um的厚度。
13.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中減薄后的所述影像傳感器晶圓厚度為50～150um。
14.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二、三之間還包括進行鍵合質量檢查的步驟。
15.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述在所述影像傳感器晶圓的背面形成背面電極引出結構以及去除所述影像傳感器晶圓邊緣的上凸部分的方法包括：先形成所述背面電極引出結構；之后去除所述TAIKO環。
16.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述在所述影像傳感器晶圓的背面形成背面電極引出結構以及去除所述影像傳感器晶圓邊緣的上凸部分的方法包括：先去除所述TAIKO環；之后形成所述背面電極引出結構。
17.根據權利要求15或16所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中形成所述背面電極引出結構的方法包括：在所述影像傳感器晶圓背面形成光刻膠層，光刻打開所述光刻膠層形成特定圖形，利用刻蝕形成通孔，刻蝕終止點為所述影像傳感器晶圓上的焊墊背部金屬層，在所述通孔側壁形成絕緣膜層，之后對所述通孔進行金屬填充，之后將芯片輸入輸出焊墊引出到芯片背部形成新的線路分布，之后形成外部焊接點。
18.根據權利要求17所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中利用噴涂涂膠工藝形成所述光刻膠層。
19.根據權利要求18所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述光刻膠層的厚度為5～15um。
20.根據權利要求17所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述通孔的深寬比大于等于2:1。
21.根據權利要求17所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述線路與所述影像傳感器晶圓的接觸面之間形成有5～10K埃厚的第一絕緣膜層。
22.根據權利要求17所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述線路與所述影像傳感器晶圓的接觸面之間形成有3～10um厚的鈍化層用于絕緣。
23.根據權利要求17所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟三中的所述線路的表層覆蓋有第二絕緣膜層。
...【技術特征摘要】
1.一種影像傳感器集成方法，其特征在于，至少包括：
2.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中的所述影像傳感器晶圓的正面形成有影像傳感器器件以及微透鏡。
3.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中以500～5000轉/分鐘的速度涂覆永久鍵合膠。
4.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中的的所述永久鍵合膠的厚度為5～30微米。
5.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中在形成所述永久鍵合膠后，還包括在70℃～150℃的熱板上預烘烤5～10分鐘的步驟。
6.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中利用對準機將所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓進行對齊。
7.根據權利要求6所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中將對齊后的所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓轉移到結合機中，在1～10pa的真空下，以50～100℃的結合溫度和50～100公斤力的壓力下進行10～30分鐘的結合。
8.根據權利要求7所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中在所述影像傳感器晶圓和所述透光晶圓結合后，還包括在氮氣氣氛中以100℃～200℃的溫度烘烤30～90分鐘。
9.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟一中的所述透光晶圓的厚度為50～200um。
10.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中減薄所述影像傳感器晶圓的背面5～10um。
11.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中在減薄所述影像傳感器晶圓后，還包括利用刻蝕去除taiko研磨表面微細紋的步驟。
12.根據權利要求9所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中利用刻蝕去除taiko研磨表面0.5～5um的厚度。
13.根據權利要求1所述的影像傳感器集成方法，其特征在于：步驟二中減薄后的所述影像傳感器晶圓厚度為50...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐嘉良，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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