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    一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)及其制備方法技術(shù)

    技術(shù)編號:44420570 閱讀:3 留言:0更新日期:2025-02-28 18:36
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及TOPCon太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)及其制備方法,方法包括:采用納米印壓在隧穿氧化層上制備局部圖案化掩膜;使用高選擇性刻蝕劑刻蝕與鈍化層沉積,在多晶硅基底上形成局部鈍化結(jié)構(gòu),去除掩膜材料后,沉積多晶硅發(fā)射極層并制備電極,形成TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)。本發(fā)明專利技術(shù)利用納米印壓技術(shù)在隧穿氧化層上制備局部圖案化掩膜,并結(jié)合高選擇性刻蝕溶液形成局部圖案化結(jié)構(gòu),最后在刻蝕后的區(qū)域沉積鈍化層材料,形成局部圖案化鈍化層,從而優(yōu)化接觸界面,減少前電極與硅基底之間的復(fù)合電流,降低載流子的復(fù)合速率,從而提高電池的開路電壓和填充因子,提升光電轉(zhuǎn)換效率。

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

    本專利技術(shù)涉及topcon太陽能電池,具體涉及一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)及其制備方法。


    技術(shù)介紹

    1、topcon(隧穿氧化硅鈍化接觸)太陽電池是目前較為先進(jìn)的n型硅基太陽能電池技術(shù),其結(jié)構(gòu)設(shè)計旨在通過優(yōu)化接觸界面和提高鈍化效果來提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率,其結(jié)構(gòu)通常包括硅基底、隧穿氧化層、摻雜多晶硅層、金屬化層等。topcon光伏電池利用隧穿氧化層和多晶硅層的組合,提供極佳的鈍化效果,有效降低硅表面的復(fù)合速率;同時,重?fù)诫s的多晶硅層與隧穿氧化層形成的鈍化接觸結(jié)構(gòu)降低接觸復(fù)合,提高電池的開路電壓和填充因子。

    2、現(xiàn)有技術(shù)中,由于前電極與硅基底之間的接觸界面未能達(dá)到理想的鈍化效果,topcon電池的前電極接觸區(qū)域往往存在較大的復(fù)合電流,不僅增加載流子的復(fù)合速率,還限制電池的開路電壓和填充因子的提升,從而制約topcon電池效率的突破;此外,現(xiàn)有技術(shù)中制備正面全鈍化接觸結(jié)構(gòu)的方法往往復(fù)雜且成本高昂,如整面沉積多晶硅層再進(jìn)行選擇性刻蝕的方法,不僅會造成多晶硅材料的浪費,還可能因刻蝕工藝的不完善而引入新的缺陷源,進(jìn)一步加劇復(fù)合電流的問題。因此,本專利技術(shù)提供一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)及其制備方法,來解決以上問題。


    技術(shù)實現(xiàn)思路

    1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本專利技術(shù)的目的在于提供一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)及其制備方法。

    2、一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,包括以下步驟:

    3、(1)隧穿氧化層沉積:在預(yù)處理后的多晶硅基底上沉積隧穿氧化層;

    4、(2)局部圖案化掩膜制備:采用納米印壓技術(shù)制備局部圖案化掩膜,該掩膜覆蓋于隧穿氧化層之上,使用納米壓印模具在多晶硅表面壓印出局部圖案化掩膜,并通過熱處理固化進(jìn)行加固處理;

    5、(3)高選擇性刻蝕:使用高選擇性刻蝕劑,去除未被掩膜覆蓋的隧穿氧化層及部分多晶硅基底,形成局部圖案化結(jié)構(gòu);

    6、(4)鈍化層沉積:在刻蝕后的區(qū)域沉積鈍化層材料,形成局部圖案化鈍化層,該鈍化層包括al2o3或sinx;

    7、(5)掩膜去除:去除掩膜材料,露出完整的圖案化鈍化層結(jié)構(gòu);

    8、(6)多晶硅發(fā)射極層制備:在未被圖案化鈍化層覆蓋的隧穿氧化層上沉積多晶硅發(fā)射極層;

    9、(7)電極制備及封裝:制備正負(fù)極金屬電極,分別連接至多晶硅發(fā)射極層和多晶硅基底,形成局部圖案化鈍化接觸結(jié)構(gòu),即topcon光伏電池結(jié)構(gòu),并進(jìn)行后續(xù)封裝處理。

    10、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述局部圖案化掩膜制備過程中,選擇石英或鎳基納米壓印模具,設(shè)定壓印壓力為5-10mpa,在室溫下進(jìn)行壓印,設(shè)定壓印時間為1-5min。

    11、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述局部圖案化掩膜制備過程中,熱處理固化溫度設(shè)定為150-200℃,確保掩膜材料充分固化,加熱時間為30min至1h,在氮氣或惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行熱處理,最后使用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗,有機(jī)溶劑為丙酮或異丙醇。

    12、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述高選擇性刻蝕步驟中,高選擇性刻蝕劑為醋酸和氫氟酸的混合物,混合體積比為1-3:1,刻蝕時間在30s-2min之間。

    13、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述高選擇性刻蝕步驟中,還包括等離子體輔助刻蝕,選擇電感耦合等離子體源,等離子體功率范圍為200-500w,刻蝕氣體cf4和o2的流量體積比10-20:1,總流量在50-100sccm,刻蝕腔室壓在10-100pa之間。

    14、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述鈍化層沉積過程中,利用pecvd技術(shù),沉積速率范圍為0.5-1.5nm/s。

    15、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述鈍化層沉積步驟中,局部圖案化鈍化層的圖案形狀包括圓形、方形或蜂窩狀中的一種或多種組合,圓形圖案直徑范圍為1-3μm,方形圖案的邊長范圍為1-2μm,圖案之間的間距在0.5-1μm之間。

    16、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述隧穿氧化層沉積步驟中,隧穿氧化層采用pecvd技術(shù)沉積。

    17、作為本專利技術(shù)的優(yōu)選,所述隧穿氧化層沉積中,預(yù)處理包括采用標(biāo)準(zhǔn)的rca清洗流程清洗多晶硅基底表面,并通過濕法或干法刻蝕技術(shù)在基底表面形成微納結(jié)構(gòu)。

    18、一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu),由上述topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法制得。

    19、本專利技術(shù)達(dá)到的有益效果為:1、本專利技術(shù)通過局部掩膜結(jié)合選擇性刻蝕的方法制備正面局部多晶硅鈍化接觸結(jié)構(gòu),利用納米印壓技術(shù)在隧穿氧化層上制備局部圖案化掩膜,并選用高選擇性刻蝕溶液去除未被掩膜覆蓋的隧穿氧化層及部分多晶硅基底,形成局部圖案化結(jié)構(gòu),最后在刻蝕后的區(qū)域沉積鈍化層材料,形成局部圖案化鈍化層,從而優(yōu)化接觸界面,減少前電極與硅基底之間的復(fù)合電流,降低載流子的復(fù)合速率,從而提高電池的開路電壓和填充因子,提升光電轉(zhuǎn)換效率。

    20、2、本專利技術(shù)通過局部圖案化鈍化層提供優(yōu)異的鈍化效果,還通過減少接觸面積降低接觸復(fù)合,進(jìn)一步增強電池的性能,使得隧穿氧化層和多晶硅層的組合能夠充分發(fā)揮其鈍化優(yōu)勢。

    21、3、本專利技術(shù)相比傳統(tǒng)整面沉積多晶硅層再進(jìn)行選擇性刻蝕的方法更為簡潔高效,局部圖案化掩膜的制備和去除過程簡化工藝流程,減少多晶硅材料的浪費,并降低因刻蝕工藝不完善而引入新缺陷的風(fēng)險,從而降低生產(chǎn)成本。

    22、4、本專利技術(shù)采用納米印壓技術(shù)制備局部圖案化掩膜,結(jié)合高精度、高硬度的納米壓印模具,使得圖案化過程具有高度的可控性和重復(fù)性,這有助于確保每片電池都具有一致的性能,提高產(chǎn)品的成品率和可靠性。

    23、5、本專利技術(shù)通過精細(xì)的制備工藝和優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計,使制得的topcon光伏電池在光照、溫度等環(huán)境因素變化下表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性,局部圖案化鈍化層能夠有效抵御外界侵蝕,延長電池的使用壽命,為光伏系統(tǒng)的長期穩(wěn)定運行提供有力保障。

    本文檔來自技高網(wǎng)
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    【技術(shù)保護(hù)點】

    1.一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述局部圖案化掩膜制備過程中,選擇石英或鎳基納米壓印模具,設(shè)定壓印壓力為5-10MPa,在室溫下進(jìn)行壓印,設(shè)定壓印時間為1-5min。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述局部圖案化掩膜制備過程中,熱處理固化溫度設(shè)定為150-200℃,加熱時間為30min至1h,在氮氣或惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行熱處理,最后使用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗,有機(jī)溶劑為丙酮或異丙醇。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述高選擇性刻蝕步驟中,高選擇性刻蝕劑為醋酸和氫氟酸的混合物,混合體積比為1-3:1,刻蝕時間在30s-2min之間。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述高選擇性刻蝕步驟中,還包括等離子體輔助刻蝕,選擇電感耦合等離子體源,等離子體功率范圍為200-500W,刻蝕氣體CF4和O2的流量體積比10-20:1,總流量在50-100sccm,刻蝕腔室壓在10-100Pa之間。

    6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述鈍化層沉積過程中,利用PECVD技術(shù),沉積速率范圍為0.5-1.5nm/s。

    7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述鈍化層沉積步驟中,局部圖案化鈍化層的圖案形狀包括圓形、方形或蜂窩狀中的一種或多種組合,圓形圖案直徑范圍為1-3μm,方形圖案的邊長范圍為1-2μm,圖案之間的間距在0.5-1μm之間。

    8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述隧穿氧化層沉積步驟中,隧穿氧化層采用PECVD技術(shù)沉積。

    9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述隧穿氧化層沉積中,預(yù)處理包括采用標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗流程清洗多晶硅基底表面,并通過濕法或干法刻蝕技術(shù)在基底表面形成微納結(jié)構(gòu)。

    10.一種TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu),其特征在于,由權(quán)利要求1-9任一所述TOPCon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法制得。

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    【技術(shù)特征摘要】

    1.一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

    2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述局部圖案化掩膜制備過程中,選擇石英或鎳基納米壓印模具,設(shè)定壓印壓力為5-10mpa,在室溫下進(jìn)行壓印,設(shè)定壓印時間為1-5min。

    3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述局部圖案化掩膜制備過程中,熱處理固化溫度設(shè)定為150-200℃,加熱時間為30min至1h,在氮氣或惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行熱處理,最后使用有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗,有機(jī)溶劑為丙酮或異丙醇。

    4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述高選擇性刻蝕步驟中,高選擇性刻蝕劑為醋酸和氫氟酸的混合物,混合體積比為1-3:1,刻蝕時間在30s-2min之間。

    5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種topcon光伏電池結(jié)構(gòu)的制備方法,其特征在于,所述高選擇性刻蝕步驟中,還包括等離子體輔助刻蝕,選擇電感耦合等離子體源,等離子體功率范圍為200-500w,刻蝕氣體cf4和o2的流量體積比10-2...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:楊柳,謝小兩,李冬,龐健,劉杰,
    申請(專利權(quán))人:寧波歐達(dá)光電有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:

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