【技術實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術涉及一種用于干式空心電抗器的降q裝置及干式空心電抗器，屬于電抗器。
技術介紹
1、在交流電力系統(tǒng)中，例如干式空心電抗器(以下稱“電抗器”)，通常采用濾波器進行濾波以避免諧波進入系統(tǒng)，該濾波器通常為電容，并聯(lián)接入系統(tǒng)中，還可以提供無功補償活作為靜態(tài)無功系統(tǒng)(svc，staticvarcompensator)的一部分。所采用的并聯(lián)濾波器的種類包括單調(diào)諧(高q)、帶通(低q)和高阻尼濾波器，其中q表示品質(zhì)因數(shù)。對于品質(zhì)因數(shù)的高低需要，是根據(jù)系統(tǒng)的實際需求進行調(diào)整。
2、現(xiàn)有電抗器所采用的降低q值的方法主要通過加裝電阻或者直接采用低q值電抗器的方法來實現(xiàn)，但上述實現(xiàn)方法都存在一定程度的局限：采用加裝電阻的方式對于電阻的性能依賴過高，一旦出現(xiàn)損壞將影響干式空心電抗器的使用；采用低q值電抗器將限制該電抗器的使用場景，因此需要一種能夠穩(wěn)定進行q值調(diào)整的降q裝置。
技術實現(xiàn)思路
1、因此，本專利技術的目的在于提供一種用于干式空心電抗器的降q裝置及干式空心電抗器，用以對電抗器的q值進行穩(wěn)定控制。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本專利技術一方面提供了一種用于干式空心電抗器的降q裝置，包括：
3、架體，包括至少兩片相互連接的降q板材；
4、連接片，與所述降q板材一一對應，頂部端面與所述降q板材固定連接，底部端面與干式空心電抗器所屬星型架頂部固定連接。
5、進一步地，所述架體包括四片所述降q板材以及中心連接軸；
6、所述中心連接軸設
7、進一步地，所述架體為四片所述降q板材拼接形成的四邊形框。
8、進一步地，所述降q板材與所述連接片為一體結構，所述連接片通過通孔與所述星型架利用螺栓固定連接。
9、進一步地，所述星型架頂部設有匹配于所述架體的凹槽。
10、第二方面，本專利技術還提供了一種干式空心電抗器，應用第一方面提供的降q裝置，包括：
11、電抗器本體；
12、星型架，固定于所述電抗器本體的頂部，所述星型架頂部固定降q裝置；
13、至少三只支撐柱絕緣子，所述支撐柱絕緣子與所述電抗器本體固定連接。
14、進一步地，所述支撐柱絕緣子包括絕緣支撐柱，絕緣連接件以及底部固定件；
15、所述絕緣支撐柱與所述電抗器本體固定連接；
16、所述支撐柱絕緣子底部與所述底部固定件固定連接。
17、采用上述技術方案，本專利技術實施例所提供的一種用于干式空心電抗器的降q裝置及干式空心電抗器，采用多個降q板材相互連接，連接的方式可以根據(jù)干式電抗器的星型架的結構進行數(shù)量以及結構上的調(diào)整，以便固定于星型架頂部，進而在使用過程中增加干式空心電抗器的諧波雜散損耗，從而達到降q過程的穩(wěn)定控制。
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1.一種用于干式空心電抗器的降Q裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降Q裝置，其特征在于：所述架體(1)包括四片所述降Q板材(2)以及中心連接軸(5)；
3.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降Q裝置，其特征在于：所述架體(1)為四片所述降Q板材(2)拼接形成的四邊形框。
4.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降Q裝置，其特征在于：所述降Q板材(2)與所述連接片(3)為一體結構，所述連接片(3)通過通孔與所述星型架(4)利用螺栓固定連接。
5.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降Q裝置，其特征在于：所述星型架(4)頂部設有匹配于所述架體(1)的凹槽。
6.一種干式空心電抗器，應用權利要求1-5任一所述的降Q裝置，其特征在于，包括：
7.如權利要求6所述的干式空心電抗器，其特征在于，所述支撐柱絕緣子(7)包括絕緣支撐柱(8)，絕緣連接件(9)以及底部固定件(10)；
【技術特征摘要】
1.一種用于干式空心電抗器的降q裝置，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降q裝置，其特征在于：所述架體(1)包括四片所述降q板材(2)以及中心連接軸(5)；
3.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降q裝置，其特征在于：所述架體(1)為四片所述降q板材(2)拼接形成的四邊形框。
4.如權利要求1所述的用于干式空心電抗器的降q裝置，其特征在于：所述降q板材(2)與所述連接片(3)...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：方建躍，鄭恩躍，劉欣妍，駱福權，
申請(專利權)人：天津經(jīng)緯正能電氣設備有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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