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    半導體裝置制造方法及圖紙

    技術編號:44422801 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-28 18:38
    本發明專利技術涉及一種半導體裝置。半導體裝置包括存儲器單元陣列和外圍電路。存儲器單元陣列聯接到多條字線和多條位線。外圍電路通過向目標存儲器單元施加低于第一負參考電壓的第二負參考電壓來執行深度擦除驗證操作以確定目標存儲器單元是否具有低于第一負參考電壓的閾值電壓。

    【技術實現步驟摘要】

    多種實施例總體上涉及一種半導體裝置。


    技術介紹

    1、電子裝置包括許多電子組件,并且計算機系統可以包括許多包括半導體的電子組件。在構成計算機系統的半導體裝置之中,諸如處理器或存儲器控制器的主機裝置可以與存儲器裝置進行數據通信。存儲器裝置可以包括通過字線和位線來存儲數據的多個存儲器單元。

    2、存儲器單元在擦除狀態下可以具有低于0v的閾值電壓。然而,具有太低閾值電壓的存儲器單元(即,深度擦除單元)可能導致可靠性問題。因此,可能需要一種識別深度擦除單元的有效方法。


    技術實現思路

    1、在實施例中,一種半導體裝置可以包括存儲器單元陣列和外圍電路。存儲器單元陣列可以被配置為聯接到多條字線和多條位線。外圍電路可以被配置為通過向目標存儲器單元施加低于第一負參考電壓的第二負參考電壓來執行深度擦除驗證操作以確定目標存儲器單元是否具有低于第一負參考電壓的閾值電壓。

    2、在實施例中,一種半導體裝置可以包括存儲器單元陣列、控制電路、解碼器和緩沖器電路。存儲器單元陣列可以被配置為聯接到多條字線和多條位線。控制電路可以被配置為控制深度擦除驗證操作,深度擦除驗證操作用于確定聯接到目標字線的目標存儲器單元是否具有低于第一負參考電壓的閾值電壓的深度擦除單元。解碼器可以被配置為在控制電路的控制下,在深度擦除驗證操作中將第二負參考電壓施加到目標字線。緩沖器電路可以被配置為在控制電路的控制下,在深度擦除驗證操作中確定聯接到目標存儲器單元的位線的狀態。

    3、在實施例中,一種半導體裝置可以包括存儲器單元和外圍電路。存儲器單元可以被配置為聯接到多條字線。外圍電路可以被配置為通過向目標字線施加負參考電壓,將負參考電壓施加到目標字線的后續字線,并將通過電壓施加到剩余字線,對聯接到目標字線的目標存儲器單元執行深度擦除驗證操作。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種半導體裝置,包括:

    2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,

    3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中,

    4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,

    5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,

    6.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,

    7.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,

    8.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,

    9.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,

    10.根據權利要求9所述的半導體裝置,其中,

    11.一種半導體裝置,包括:

    12.根據權利要求11所述的半導體裝置,其中,

    13.根據權利要求11所述的半導體裝置,其中,

    14.根據權利要求11所述的半導體裝置,其中,

    15.根據權利要求11所述的半導體裝置,其中,

    16.一種半導體裝置,包括:

    17.根據權利要求16所述的半導體裝置,其中,

    18.根據權利要求17所述的半導體裝置,其中,

    【技術特征摘要】

    1.一種半導體裝置,包括:

    2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,

    3.根據權利要求2所述的半導體裝置,其中,

    4.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,

    5.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,

    6.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,

    7.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,

    8.根據權利要求4所述的半導體裝置,其中,

    9.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,

    ...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:黃盛炫鄭載燁,
    申請(專利權)人:愛思開海力士有限公司,
    類型:發明
    國別省市:

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