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    一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法技術

    技術編號:44423458 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-02-28 18:38
    本發明專利技術公開了一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,屬于靜電卡盤技術領域,包括:S1:取第一陶瓷塊,在第一陶瓷塊上加工出三個定位孔、導電柱插入孔、凹槽;S2:另取第二陶瓷塊,加工出與凹槽的同等大小的陶瓷壓塊;S3:取需要真空釬焊的靜電卡盤陶瓷盤,在靜電卡盤陶瓷盤上加工出三個陶瓷盤Lift?Pin孔;S4:在靜電卡盤陶瓷盤DC孔暴露出的吸附電極區域鍍上Ni鍍層;S5:在靜電卡盤陶瓷盤DC孔中放入焊料;S6:將定位Pin分別插入到第一陶瓷塊的定位孔中,然后對應的插入到陶瓷盤Lift?Pin孔中;S7:再插入導電柱,蓋上陶瓷壓塊;S8:陶瓷壓塊蓋上后,將靜電卡盤陶瓷盤與第一陶瓷塊放入真空釬焊爐中,完成真空釬焊。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及靜電卡盤,特別涉及一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法。


    技術介紹

    1、現有技術中,靜電卡盤按照吸附電極類型主要分為雙極型和單極型,只有通過外部電源對吸附電極施加一定電壓后才能產生吸附力;在外部電源與吸附電極連接的過程中,通常是通過金屬導電柱進行連接,導電柱一端接于吸附電極,另一端接于外部電源的輸出端;因為使用場景的不同,導電柱與吸附電極的連接主要有伸縮頂針接觸式連接和真空釬焊焊接的方式連接。

    2、現有技術采用真空釬焊主要缺陷在于,真空釬焊的方式連接導電柱的靜電卡盤,在靜電卡盤的制作和導電柱連接時,需要將金屬導電柱先焊接于陶瓷盤電極孔中的吸附電極,焊接完成后將焊接好導電柱的陶瓷盤與金屬基座進行貼合,在貼合的過程中需要將焊接好的導電柱插入金屬基座的對應位置中,由于陶瓷盤的電極孔是在陶瓷盤燒結之前進行加工制作,陶瓷盤燒結成瓷的過程中,由于燒結收縮的影響,電極孔的位置相對于圖紙的位置會出現0.1~1mm的偏差,因為陶瓷盤電極孔位置的偏差,導致導電柱焊接后的位置相對于金屬基座用于插入導電柱的位置出現偏差,最終導致導電柱無法正常插入金屬基座中,陶瓷盤和金屬基座無法貼合。


    技術實現思路

    1、本專利技術要解決的技術問題是提供一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,以解決
    技術介紹
    中提出的問題。

    2、為了解決上述技術問題,本專利技術的技術方案為:

    3、一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,所述方法包括:

    4、s1:取一塊與靜電卡盤陶瓷盤同等材質的第一陶瓷塊,在第一陶瓷塊上加工出三個定位孔,三個定位孔的孔徑大小及位置與靜電卡盤金屬基座上的三個lift?pin孔的孔徑大小及位置對應相同,三個定位孔加工完成后,然后在第一陶瓷塊上加工出導電柱插入孔,導電柱插入孔的數量、大小和位置與靜電卡盤金屬基座上的相同,導電柱插入孔加工完成后,在第一陶瓷塊上表面加工出凹槽,需要真空釬焊的靜電卡盤陶瓷盤在第一陶瓷塊下方后需要通過定位孔的定位支撐與第一陶瓷塊的下表面形成間隙,以便于在釬焊時焊料中膠體排出;

    5、s2:另取一塊與靜電卡盤陶瓷盤同等材質的第二陶瓷塊,將第二陶瓷塊按照凹槽的大小加工出同等大小的陶瓷壓塊,陶瓷壓塊與凹槽配合,用于在真空釬焊過程中壓緊導電柱;

    6、s3:取需要真空釬焊的靜電卡盤陶瓷盤,靜電卡盤陶瓷盤內置了吸附電極,且在靜電卡盤陶瓷盤上加工出三個陶瓷盤lift?pin孔,三個陶瓷盤lift?pin孔的孔徑大小、位置與靜電卡盤金屬基座上的lift?pin孔的大小、位置對應相同;

    7、s4:在靜電卡盤陶瓷盤dc孔暴露出的吸附電極區域通過化學鍍或者電鍍的方式鍍上ni鍍層,用于真空焊接過程中提供熱保護和可焊接性;

    8、s5:靜電卡盤陶瓷盤dc孔位置吸附電極ni鍍層制作完成后,在靜電卡盤陶瓷盤dc孔中放入適合于真空釬焊的焊料;

    9、s6:焊料放入靜電卡盤陶瓷盤dc孔中后,將定位pin分別插入到第一陶瓷塊的定位孔中,然后將靜電卡盤陶瓷盤放置于第一陶瓷塊的下方,定位pin同樣對應的插入到陶瓷盤lift?pin孔中;

    10、s7:靜電卡盤陶瓷盤與第一陶瓷塊定位完成后,再插入導電柱,蓋上陶瓷壓塊;

    11、s8:陶瓷壓塊蓋上后,將靜電卡盤陶瓷盤與第一陶瓷塊放入真空釬焊爐中,真空釬焊條件設定溫度600~1000℃,保溫10~60min,真空度<10-3pa,按照工藝條件設備運行結束后,真空釬焊焊接完成。

    12、優選的,所述靜電卡盤陶瓷盤為氧化鋁陶瓷或者氮化鋁陶瓷或者碳化硅陶瓷或者氮化硅陶瓷。

    13、優選的,所述吸附電極為w、mo、mn、ag、au、pt、pd中任意一種材料制造。

    14、優選的,所述ni鍍層的厚度為3~10um。

    15、優選的,所述焊料的形態為金屬焊膏或者金屬箔片,所述焊料為ag-cu或者ag-cu-ti。

    16、采用上述技術方案,具有以下有益效果:

    17、1.本申請解決了因為陶瓷盤制作過程中因為陶瓷的收縮問題導致的dc孔位置與金屬基座對應位置存在偏差,從而造成的導電柱焊接于陶瓷盤dc孔內吸附電極后無法正常插入金屬基座對應位置的問題;

    18、2.本申請通過真空釬焊的方式將導電柱與陶瓷盤吸附電極充分焊接,可以有效避免一些特定應用環境中,通電過程中因為大電流造成導電柱與電極接觸面尖端放電造成的電極打火異常。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述方法包括:

    2.根據權利要求1所述的一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述靜電卡盤陶瓷盤為氧化鋁陶瓷或者氮化鋁陶瓷或者碳化硅陶瓷或者氮化硅陶瓷。

    3.根據權利要求1所述的一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述吸附電極為W、Mo、Mn、Ag、Au、Pt、Pd中任意一種材料制造。

    4.根據權利要求3所述的一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述Ni鍍層的厚度為3~10um。

    5.根據權利要求1所述的一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述焊料的形態為金屬焊膏或者金屬箔片,所述焊料為Ag-Cu或者Ag-Cu-Ti。

    【技術特征摘要】

    1.一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述方法包括:

    2.根據權利要求1所述的一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述靜電卡盤陶瓷盤為氧化鋁陶瓷或者氮化鋁陶瓷或者碳化硅陶瓷或者氮化硅陶瓷。

    3.根據權利要求1所述的一種用于靜電卡盤的真空釬焊方法,其特征在于,所述吸附電極為w、mo、m...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:石鍺元,李海南,李君,陳振寧肖偉,裘祝恒胡淑梅,
    申請(專利權)人:君原電子科技海寧有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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