【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體，特別是涉及一種場效應晶體管的制造方法及場效應晶體管。
技術介紹
1、在集成電路的應用過程中，各類器件的性能會受到各層材料之間的所形成的先后關系影響，尤其是場效應晶體管，因為各層材料之間的形成時間不同，影響了器件的電學性能。
2、當前的場效應晶體管中，尤其是針對短溝道器件，通常是在工藝早期就進行ldd(lightly?doped?drain)離子注入形成輕摻雜區，然而會受到本身的退火的影響，并且還會受到后續的其他工藝中的熱處理的影響，進而影響了器件的性能。
技術實現思路
1、本專利技術主要解決的技術問題是：提供一種場效應晶體管的制造方法及場效應晶體管，能有效減少其他工藝對ldd離子注入的影響，進而提升器件的性能。
2、為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種場效應晶體管的制造方法，包括：提供半導體基體，所述半導體基體包括襯底、設置在所述襯底上的介質層，其中，所述襯底中設置有阱區，且所述介質層中形成有偽柵極結構，所述偽柵極結構對應所述阱區；移除所述偽柵極結構，在所述阱區中形成輕摻雜區，并在所述阱區之上形成柵極結構。
3、在本申請一實施例中，所述阱區包括第一阱區和第二阱區，所述輕摻雜區包括第一輕摻雜區和第二輕摻雜區，所述偽柵極結構包括第一偽柵極結構和第二偽柵極結構，所述柵極結構包括第一柵極結構和第二柵極結構；所述移除所述偽柵極結構，在所述阱區中形成輕摻雜區，并在所述阱區之上形成柵極結構，包括：移除第一阱區所對應的第
4、在本申請一實施例中，所述第一輕摻雜區包括第一子輕摻雜區和第二子輕摻雜區；所述移除第一阱區所對應的第一偽柵極結構，在所述第一阱區中形成第一輕摻雜區，并在第一阱區之上形成第一柵極結構，包括：移除所述第一阱區所對應的所述介質層的部分，并移除所述第一偽柵極結構，形成第一凹槽；在裸露的所述第一阱區中以預設角度進行離子注入，以在第一凹槽底部兩側的第一阱區中分別形成第一子輕摻雜區和第二子輕摻雜區；在所述第一凹槽中形成所述第一柵極結構。
5、在本申請一實施例中，所述第一柵極結構包括：第一金屬柵極填充層、第一金屬覆蓋層和第一功函數調整層；所述在所述第一凹槽中形成第一柵極結構，包括：在所述第一凹槽中形成所述第一金屬覆蓋層，以及在所述第一金屬覆蓋層上形成所述第一功函數調整層；在所述第一功函數調整層之上形成所述第一金屬柵極填充層。
6、在本申請一實施例中，第二輕摻雜區包括第三子輕摻雜區和第四子輕摻雜區；所述移除第二阱區所對應的第二偽柵極結構，在所述第二阱區中形成第二輕摻雜區，并在第二阱區之上形成第二柵極結構，包括：移除所述第二阱區所對應的所述介質層的部分，并移除所述第二偽柵極結構，形成第二凹槽；在裸露的所述第二阱區中以預設角度進行離子注入，以在第二凹槽底部兩側的第二阱區中分別形成第三子輕摻雜區和第四子輕摻雜區；在所述第二凹槽中形成所述第二柵極結構。
7、在本申請一實施例中，所述第二柵極結構包括：第二金屬柵極填充層、第二金屬覆蓋層和第二功函數調整層；所述在所述第二凹槽中形成所述第二柵極結構，包括：在所述第二凹槽中形成所述第二金屬覆蓋層，以及在所述第二金屬覆蓋層上形成所述第二功函數調整層；在所述第二功函數調整層上形成所述第二金屬柵極填充層。
8、在本申請一實施例中，所述阱區中還設置有源區和漏區；所述源區與所述源區對應的輕摻雜區接觸，所述漏區與所述漏區所對應的輕摻雜區接觸。
9、在本申請一實施例中，還包括：形成層間介質層，并在所述層間介質層中形成連接柱，所述連接柱包括第一柵極連接柱和第二柵極連接柱；其中，所述第一柵極連接柱對應連接所述第一柵極結構，所述第二柵極結構對應連接所述第二柵極結構。
10、在本申請一實施例中，所述提供半導體基體，包括：提供襯底，并在所述襯底上形成第一介質層；在所述第一阱區所對應的第一介質層中形成所述第一偽柵極結構，以及在所述第二阱區所對應的第一介質層中形成所述第二偽柵極結構；形成第二介質層，以覆蓋所述第一偽柵極結構和所述第二偽柵極結構，其中，所述第一介質層和所述第二介質層組成所述介質層。
11、在本申請一實施例中，在形成所述第一偽柵極結構和第二偽柵極結構之前，還包括：在所述襯底中進行離子注入，以形成所述第一阱區和所述第二阱區，其中，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區的摻雜類型相反。
12、在本申請一實施例中，還包括：在所述襯底中形成隔離結構，其中，所述第一阱區藉由所述隔離結構與所述第二阱區劃分。
13、為解決上述技術問題，本申請采用的另一技術方案是：提供一種場效應晶體管，包括：半導體基體，所述半導體基體包括襯底、設置在所述襯底上的介質層，其中，所述襯底中設置有阱區；柵極結構，設置在所述襯底上，且位于所述介質層中；輕摻雜區，設置在阱區中，且至少部分所述輕摻雜區位于所述柵極結構的隔離側墻下。
14、在本申請一實施例中，所述阱區包括第一阱區和第二阱區，所述柵極結構包括第一柵極結構和第二柵極結構，所述輕摻雜區包括第一輕摻雜區和第二輕摻雜區；所述第一柵極結構位于所述第一阱區之上，所述第一輕摻雜區形成在所述第一阱區中；所述第二柵極結構位于所述第二阱區之上，所述第二輕摻雜區形成在所述第二阱區中；其中，所述第二柵極結構的功函數不同于所述第一柵極結構的功函數。
15、在本申請一實施例中，所述第一輕摻雜區包括第一子輕摻雜區和第二子輕摻雜區；所述第一阱區中還形成有源區和漏區，所述源區位于所述第一柵極結構一側的所述第一阱區中，所述漏區位于所述第一柵極結構另一側的所述第一阱區中；所述第一子輕摻雜區與所述源區接觸，且所述第一子輕摻雜區的至少部分位于第一柵極結構的隔離側墻下；所述第二子輕摻雜區與所述漏區接觸，且所述第二子輕摻雜區的至少部分位于所述第一柵極結構的隔離側墻下。
16、在本申請一實施例中，所述第一柵極結構，包括：第一金屬覆蓋層，形成在所述第一阱區中；第一功函數調整層，形成在所述第一金屬覆蓋層上；第一金屬柵極填充層，形成在所述第一功函數調整層上。
17、在本申請一實施例中，所述第二輕摻雜區包括第三子輕摻雜區和第四子輕摻雜區；所述第二阱區中還形成有源區和漏區，所述源區位于所述第二柵極結構一側的所述第二阱區中，所述漏區位于所述第二柵極結構另一側的所述第二阱區中；所述第三子輕摻雜區與所述源區接觸，且所述第三子輕摻雜區的至少部分位于第二柵極結構的隔離側墻下；所述第四子輕摻雜區與所述漏區接觸，且所述第四子輕摻雜區的至少部分位于所述第二柵極結構的隔離側墻下。
18、在本申請一實施例中，所述第二柵極結構，包括：第二金屬覆蓋層，形成在所述第二阱區中；第二功函數調整層，形成在所述第二金屬覆蓋層上；第二金屬柵極填充層，形成在所本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，
11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，還包括：
12.一種場效應晶體管，其特征在于，包括：
13.根據權利要求12所述的場效應晶體管，其特征在于，
14.根據權利要求13所述的場效應晶體管，其特征在于，
15.根據權利要求14所述的場效應晶體管，其特征在于，
16.根據權利要求13所述的場效應晶體管，其特征在于，
17.根據權利要求16
18.根據權利要求13所述的場效應晶體管，其特征在于，
19.根據權利要求13所述的場效應晶體管，其特征在于，還包括：
...【技術特征摘要】
1.一種場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
8.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括：
9.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，
11.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：蔡建祥，王亢，李少劍，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。