【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及半導體設備中的噴淋盤機構(gòu)，尤其涉及一種可調(diào)電磁場機構(gòu)及其hdpcvd設備。
技術(shù)介紹
1、hdpcvd，即高密度等離子體化學氣相沉積(h?i?gh?dens?i?ty?p?l?asma?chem?ica?l?vapor?depos?i?t?i?on)，是半導體制造過程中用于沉積薄膜的一種先進技術(shù)。它結(jié)合了較高的氣體密度、等離子體活性以及精確的溫度、壓力控制，用于在硅片或其它基板上沉積高質(zhì)量的薄膜材料。
2、在hdpcvd設備沉積過程中，電磁場用于產(chǎn)生和維持等離子體。如果電磁場分布不均勻，會導致等離子體在反應室內(nèi)的分布不均勻。這種不均勻的等離子體分布會直接影響薄膜的沉積速率和膜厚均一性。但是現(xiàn)有的用于調(diào)整等離子體均勻性的電磁結(jié)構(gòu)的磁場一般是固定的，無法根據(jù)實際磁場分布進行靈活調(diào)節(jié)。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可調(diào)電磁場機構(gòu)及其hdpcvd設備，以解決現(xiàn)有磁場機構(gòu)磁場無法調(diào)節(jié)的技術(shù)問題。
2、為實現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)采用以下技術(shù)方案：
3、第一方面，本專利技術(shù)的實施例提供了一種可調(diào)電磁場機構(gòu)，其包括：電磁線圈和若干電磁屏蔽組件，若干所述電磁屏蔽組件以所述電磁線圈所在平面的中心旋轉(zhuǎn)對稱設置，所述電磁屏蔽組件具有屏蔽面，且所述電磁屏蔽組件可相對所述電磁線圈調(diào)節(jié)屏蔽面的角度，從而調(diào)節(jié)電磁線圈的耦合輸出磁場。
4、其中，所述電磁屏蔽組件包括金屬屏蔽板，所述金屬屏蔽板的一端接地，所述金屬屏蔽板
5、其中，所述金屬屏蔽板設置于所述電磁線圈的正上方，且所述金屬屏蔽板的正向投影至少部分與所述電磁線圈重合。
6、其中，所述電磁屏蔽組件還包括驅(qū)動件以及連接于所述驅(qū)動件的驅(qū)動端的轉(zhuǎn)軸，所述金屬屏蔽板連接于所述轉(zhuǎn)軸。
7、其中，所述電磁線圈為圓形電磁線圈，所述電磁屏蔽組件設有偶數(shù)組。
8、其中，若干所述電磁屏蔽組件以圓形電磁線圈的圓心為中心呈等圓心角分布設置。
9、其中，所述金屬屏蔽板與所述電磁線圈的相對間距不小于20mm。
10、其中，所述電磁屏蔽組件的組數(shù)為6-20。
11、其中，若干組所述電磁屏蔽組件各自以不同轉(zhuǎn)動角度或相同轉(zhuǎn)動角度分布于所述電磁線圈的正上方。
12、第二方面，本專利技術(shù)實施例還提供了一種hdpcvd設備，該hdpcvd設備包括如上任意一項所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)。
13、本專利技術(shù)的可調(diào)電磁場機構(gòu)及其hdpcvd設備，其通過在電磁線圈的正上方設置若干組均勻分布的電磁屏蔽組件，利用電磁屏蔽組件改變磁場的高頻磁場，并由接地金屬屏蔽板的轉(zhuǎn)動角度，調(diào)節(jié)hdpcvd設備的磁場均勻性，從而調(diào)節(jié)等離子體的均勻性，最終提高薄膜沉積質(zhì)量。
14、上述說明僅是本專利技術(shù)技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本專利技術(shù)技術(shù)手段，可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本專利技術(shù)的上述和其它目的、特征及優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，詳細說明如下。
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1.一種可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，包括：電磁線圈和若干電磁屏蔽組件，若干所述電磁屏蔽組件以所述電磁線圈所在平面的中心旋轉(zhuǎn)對稱設置，所述電磁屏蔽組件具有屏蔽面，且所述電磁屏蔽組件可相對所述電磁線圈調(diào)節(jié)屏蔽面的角度，從而調(diào)節(jié)電磁線圈的耦合輸出磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽組件包括金屬屏蔽板，所述金屬屏蔽板的一端接地，所述金屬屏蔽板可相對所述電磁線圈所在平面轉(zhuǎn)動以調(diào)節(jié)相對角度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述金屬屏蔽板設置于所述電磁線圈的正上方，且所述金屬屏蔽板的正向投影至少部分與所述電磁線圈重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽組件還包括驅(qū)動件以及連接于所述驅(qū)動件的驅(qū)動端的轉(zhuǎn)軸，所述金屬屏蔽板連接于所述轉(zhuǎn)軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任意一項所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述電磁線圈為圓形電磁線圈，所述電磁屏蔽組件設有偶數(shù)組。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，若干所述電磁屏蔽組件以圓形電磁線圈的圓心為
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述金屬屏蔽板與所述電磁線圈的相對間距不小于20mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽組件的組數(shù)為6-20。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，若干組所述電磁屏蔽組件各自以不同轉(zhuǎn)動角度或相同轉(zhuǎn)動角度分布于所述電磁線圈的正上方。
10.一種HDPCVD設備，其特征在于，所述HDPCVD設備包括如權(quán)利要求1至9任意一項所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，包括：電磁線圈和若干電磁屏蔽組件，若干所述電磁屏蔽組件以所述電磁線圈所在平面的中心旋轉(zhuǎn)對稱設置，所述電磁屏蔽組件具有屏蔽面，且所述電磁屏蔽組件可相對所述電磁線圈調(diào)節(jié)屏蔽面的角度，從而調(diào)節(jié)電磁線圈的耦合輸出磁場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽組件包括金屬屏蔽板，所述金屬屏蔽板的一端接地，所述金屬屏蔽板可相對所述電磁線圈所在平面轉(zhuǎn)動以調(diào)節(jié)相對角度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述金屬屏蔽板設置于所述電磁線圈的正上方，且所述金屬屏蔽板的正向投影至少部分與所述電磁線圈重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)電磁場機構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽組件還包括驅(qū)動件以及連接于所述驅(qū)動件的驅(qū)動端的轉(zhuǎn)軸，所述金屬屏蔽板連接于所述轉(zhuǎn)軸。
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孫宏博，張賽謙，
申請(專利權(quán))人：拓荊創(chuàng)益沈陽半導體設備有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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