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    濕敏電容及濕度測量裝置制造方法及圖紙

    技術編號:44425552 閱讀:4 留言:0更新日期:2025-02-28 18:39
    本申請涉及一種濕敏電容及濕度測量裝置,包括:基板,以及位于基板上且沿垂直基板頂面的方向依次分布的加熱層、絕緣層、第一電極層、濕敏介質層及第二電極層;基板的底面包括凹槽,加熱層在基板頂面的正投影位于凹槽在基板頂面的正投影以內;絕緣層至少覆蓋加熱層。本申請通過于基板頂面形成加熱層,對第一電極層、濕敏介質層、第二電極層加熱,加快濕敏介質層中水分的蒸發速度,且使基板的底面包括凹槽,加熱層在基板頂面的正投影位于凹槽在基板頂面的正投影以內,從而減薄與加熱層接觸的區域的基板的厚度,增強了與加熱層接觸的膜層的散熱能力,進在提高濕敏介質層中水分的蒸發速度的同時,減緩濕敏電容的其余膜層的升溫速度,避免損壞器件。

    【技術實現步驟摘要】

    本申請涉及集成電路,特別是涉及一種濕敏電容及濕度測量裝置


    技術介紹

    1、空氣中水分的含量不僅影響人的感官舒適度,還直接影響到人體健康、產品質量控制、醫療保健等。高分子濕敏電容型傳感器一般是用高分子薄膜電容制成,當環境濕度發生改變時,濕敏電容型傳感器的介電常數發生變化,導致其電容量發生變化,通過電容變化量與濕度之間存在的對應關系可測量空氣的濕度。

    2、但是,在環境濕度較高的情況下,目前市場上的濕敏電容脫濕比較慢,且存在器件失效風險,因此,難以在結露或結冰場合使用濕敏電容傳感器。


    技術實現思路

    1、基于此,有必要針對現有技術中的濕敏電容脫濕較慢的問題提供一種濕敏電容及濕度測量裝置。

    2、為了實現上述目的,一方面,本申請提供了一種濕敏電容,包括基板,以及位于所述基板上且沿垂直所述基板頂面的方向依次分布的加熱層、絕緣層、第一電極層、濕敏介質層及第二電極層;

    3、其中,所述基板的底面包括凹槽,所述加熱層在所述基板頂面的正投影位于所述凹槽在所述基板頂面的正投影以內;所述絕緣層至少覆蓋所述加熱層。

    4、在其中一個實施例中,所述第一電極層包括:第一條狀結構和多個第二條狀結構;其中,所述多個第二條狀結構沿第一方向延伸并沿第二方向間隔排列;所述第一條狀結構位于所述多個第二條狀結構于所述第一方向上的一側,所述第一條狀結構與所述多個第二條狀結構連接;其中,所述第一方向與所述第二方向相交;

    5、所述第二電極層包括:第三條狀結構和多個第四條狀結構;所述多個第四條狀結構沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向間隔排列;所述第三條狀結構位于所述多個第四條狀結構于所述第一方向上的另一側,所述第三條狀結構與所述多個第四條狀結構連接;

    6、其中,所述多個第二條狀結構與所述多個第四條狀結構沿所述第二方向交替間隔設置;所述第二條狀結構與所述第三條狀結構之間具有間隔,所述第四條狀結構與所述第一條狀結構之間具有間隔。

    7、在其中一個實施例中,所述濕敏介質層至少填充所述第一條狀結構、所述第二條狀結構、所述第三條狀結構、所述第四條狀結構之間的間隔。

    8、在其中一個實施例中,所述第一條狀結構、所述第二條狀結構、所述第三條狀結構、所述第四條狀結構的寬度均為1微米-5微米。

    9、在其中一個實施例中,各所述第二條狀結構與相鄰的所述第四條狀結構之間的間隔為1微米-5微米。

    10、在其中一個實施例中,所述第一電極層與所述第二電極層沿垂直所述基板頂面的方向依次層疊;所述濕敏介質層位于所述第一電極層與所述第二電極層之間;所述第二電極層在所述基板頂面的正投影位于所述濕敏介質層在所述基板頂面的正投影以內,所述濕敏介質層在所述基板頂面的正投影位于所述第一電極層在所述基板頂面的正投影以內。

    11、在其中一個實施例中,所述第二電極層上包括多個間隔陣列排布的孔狀結構;所述孔狀結構貫穿所述第二電極層。

    12、在其中一個實施例中,所述濕敏電容還包括:

    13、隔離層,位于所述基板與所述加熱層之間。

    14、在其中一個實施例中,所述濕敏電容包括如下特征中至少一個:

    15、所述加熱層于垂直所述基板頂面的方向的厚度為0.1微米-1微米;

    16、所述絕緣層于垂直所述基板頂面的方向的厚度為0.1微米-3微米;

    17、所述第一電極層于垂直所述基板頂面的方向的厚度為0.1微米-2微米;

    18、所述第二電極層于垂直所述基板頂面的方向的厚度為0.1微米-2微米;

    19、所述濕敏介質層于垂直所述基板頂面的方向的厚度為0.2微米-15微米。

    20、第二方面,本申請還提供了一種濕度測量裝置,包括:控制芯片和本申請實施例中任一項所述的濕敏電容;其中,所述控制芯片與所述濕敏電容連接。

    21、本申請的濕敏電容及濕度測量裝置具有如下有益效果:

    22、本申請的濕敏電容,包括:基板,以及位于基板上且沿垂直基板頂面的方向依次分布的加熱層、絕緣層、第一電極層、濕敏介質層及第二電極層;其中,基板的底面包括凹槽,加熱層在基板頂面的正投影位于凹槽在基板頂面的正投影以內;絕緣層至少覆蓋加熱層。本申請通過于基板頂面形成加熱層,從而對第一電極層、濕敏介質層、第二電極層加熱,加快濕敏介質層中水分的蒸發速度,并且使基板的底面包括凹槽,加熱層在基板頂面的正投影位于凹槽在基板頂面的正投影以內,從而減薄與加熱層接觸的區域的基板的厚度,增強了與加熱層接觸的膜層的散熱能力,進而在提高濕敏介質層中水分的蒸發速度的同時,減緩濕敏電容的其余膜層的升溫速度,避免損壞器件,延長了濕敏電容的使用壽命。

    23、本申請的濕度測量裝置,包括控制芯片和本申請實施例中任一項所述的濕敏電容;其中,控制芯片與濕敏電容連接。本申請通過將控制芯片和濕敏電容連接,可以使濕敏電容在接收到控制芯片的控制信號的情況下執行濕度測量、加熱去濕等功能,提高了濕度測量裝置的智能性。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.一種濕敏電容,其特征在于,包括基板,以及位于所述基板上且沿垂直所述基板頂面的方向依次分布的加熱層、絕緣層、第一電極層、濕敏介質層及第二電極層;

    2.根據權利要求1所述的濕敏電容,其特征在于,所述第一電極層包括:第一條狀結構和多個第二條狀結構;其中,所述多個第二條狀結構沿第一方向延伸并沿第二方向間隔排列;所述第一條狀結構位于所述多個第二條狀結構于所述第一方向上的一側,所述第一條狀結構與所述多個第二條狀結構連接;其中,所述第一方向與所述第二方向相交;

    3.根據權利要求2所述的濕敏電容,其特征在于,所述濕敏介質層至少填充所述第一條狀結構、所述第二條狀結構、所述第三條狀結構、所述第四條狀結構之間的間隔。

    4.根據權利要求2所述的濕敏電容,其特征在于,所述第一條狀結構、所述第二條狀結構、所述第三條狀結構、所述第四條狀結構的寬度均為1微米-5微米。

    5.根據權利要求2所述的濕敏電容,其特征在于,各所述第二條狀結構與相鄰的所述第四條狀結構之間的間隔為1微米-5微米。

    6.根據權利要求1所述的濕敏電容,其特征在于,所述第一電極層與所述第二電極層沿垂直所述基板頂面的方向依次層疊;所述濕敏介質層位于所述第一電極層與所述第二電極層之間;所述第二電極層在所述基板頂面的正投影位于所述濕敏介質層在所述基板頂面的正投影以內,所述濕敏介質層在所述基板頂面的正投影位于所述第一電極層在所述基板頂面的正投影以內。

    7.根據權利要求6所述的濕敏電容,其特征在于,所述第二電極層上包括多個間隔陣列排布的孔狀結構;所述孔狀結構貫穿所述第二電極層。

    8.根據權利要求1-7中任一項所述的濕敏電容,其特征在于,所述濕敏電容還包括:

    9.根據權利要求1-7中任一項所述的濕敏電容,其特征在于,所述濕敏電容包括如下特征中至少一個:

    10.一種濕度測量裝置,其特征在于,包括:控制芯片和權利要求1-9中任一項所述的濕敏電容;其中,所述控制芯片與所述濕敏電容連接。

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    【技術特征摘要】

    1.一種濕敏電容,其特征在于,包括基板,以及位于所述基板上且沿垂直所述基板頂面的方向依次分布的加熱層、絕緣層、第一電極層、濕敏介質層及第二電極層;

    2.根據權利要求1所述的濕敏電容,其特征在于,所述第一電極層包括:第一條狀結構和多個第二條狀結構;其中,所述多個第二條狀結構沿第一方向延伸并沿第二方向間隔排列;所述第一條狀結構位于所述多個第二條狀結構于所述第一方向上的一側,所述第一條狀結構與所述多個第二條狀結構連接;其中,所述第一方向與所述第二方向相交;

    3.根據權利要求2所述的濕敏電容,其特征在于,所述濕敏介質層至少填充所述第一條狀結構、所述第二條狀結構、所述第三條狀結構、所述第四條狀結構之間的間隔。

    4.根據權利要求2所述的濕敏電容,其特征在于,所述第一條狀結構、所述第二條狀結構、所述第三條狀結構、所述第四條狀結構的寬度均為1微米-5微米。

    5.根據權利要求2所述的濕敏電容,其特征在于,各所述第二條狀結構與相鄰...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:丁伊央高安平陳永奇吳家祥
    申請(專利權)人:深圳市匯投智控科技有限公司
    類型:新型
    國別省市:

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