【技術實現步驟摘要】
本公開涉及光學鍍膜領域，更具體地涉及一種硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法。
技術介紹
1、硒化鋅(znse)是一種非常好的紅外材料，透光范圍寬，對紅外波長具有低吸收性，并可透射可見光，是制作紅外透鏡、窗口、輸出耦合鏡和擴束鏡的優質材料，從0.5μm一直透到19μm，具有良好的成像特性和熱沖擊特性，由于硒化鋅鏡片用來做窗口片，需具備在惡劣環境下長時間正常的能力，如大氣高速飛行、抗擊異物摩擦、在陰雨潮濕天氣抵抗雨水的浸泡及腐蝕等等。類金剛石(dlc)膜很好地解決了這些問題，但硒化鋅基底直接鍍制dlc膜層附著力較差。
技術實現思路
1、鑒于
技術介紹
中存在的問題，本公開的一目的在于提供一種硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其制備的硒化鋅基底的陪鍍片連同對應面上的含dlc膜層的膜系在8-12μm波段的單面透過率平均大于77.5％。
2、本公開的另一目的在于提供一種硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其制備的硒化鋅基底的連同對應面上的含dlc膜層的膜系能夠滿足作為窗口片在各種惡劣環境下的使用、滿足應用端的要求。
3、由此，一種硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法包括步驟：s1，鍍前針對作為鏡片的硒化鋅基底的陪鍍片和產品的需要鍍制dlc膜層的面進行清潔；s2，將清潔處理好的鏡片放入工裝夾具，放好鏡片的工裝夾具掛入真空鍍膜機的腔體內，腔體的溫度設定為130℃；s3，真空鍍膜機啟動，抽真空并腔體加熱，真空度達到1.5×10-3pa且腔體的溫度達到設定溫度時，打開真空鍍膜機的
4、本公開的有益效果如下：在根據本公開的硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法中，通過步驟s1至步驟s10、通過251nmge/211nmzns/667.6nmge構成的介質層打底來進行硒化鋅基底的1200nmdlc膜層鍍制，如測試過程所驗證地，硒化鋅基底的陪鍍片連同對應面上的含dlc膜層的膜系(即介質層加dlc膜層)不僅能夠實現在8-12μm波段的單面透過率平均大于77.5％(具體為77.81％)，而且通過水泡試驗、鹽霧試驗、粘接力試驗、冷熱沖擊試驗、恒溫恒濕試驗、恒溫恒濕試驗、耐摩擦試驗(中度摩擦試驗)、低溫試驗和高溫試驗，從而能夠滿足作為窗口片在各種惡劣環境下的使用，滿足應用端的要求。
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1.一種硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，包括步驟：
2.據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
6.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
7.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，在步驟S4中，
8.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
9.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
10.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制DLC膜層的制備方法，其特征在于，
【技術特征摘要】
1.一種硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其特征在于，包括步驟：
2.據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其特征在于，
3.根據權利要求2所述的硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其特征在于，
4.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其特征在于，
5.根據權利要求1所述的硒化鋅基底鍍制dlc膜層的制備方法，其特征在于，
6.根...
【專利技術屬性】
技術研發人員：梁獻波，劉夢佳，劉克武，
申請(專利權)人：安徽光智科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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