【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及化學溶劑瓶，特別是涉及一種化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法。
技術介紹
1、目前，化學領域中，化學溶劑的運輸和儲存過程中，很容易形成氧化反應，而有些溶劑的性質比較粘稠，會粘在承載容器的內表面，也給清洗工作帶來一定困難。專利申請cn1351676a公開了一種dlc膜、涂有dlc膜的塑料容器、其生產設備及方法，其鍍膜的方法主要是抗氧化，然而并沒有解決溶劑粘稠、不易清洗和傾倒的問題。
技術實現思路
1、本專利技術實施例針對現有技術中的不足，提供一種化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，包括：
2、采用磁控濺射離子鍍在化學溶劑瓶的內表面上沉積cr結合層；
3、采用磁控濺射離子鍍在所述cr結合層上沉積crc過渡層；
4、采用磁控濺射離子鍍在所述crc過渡層沉積上復合物層；其中，所述復合物層包括cr、ti和dlc，所述復合物層的厚度為10-15μm；
5、采用磁控濺射離子鍍在所述復合物層上形成氟層。
6、作為優選方案，所述采用磁控濺射離子鍍在所述復合物層上形成氟層，具體包括：
7、采用磁控濺射離子鍍，以cf4作為摻雜氣體，在所述復合物層上摻雜氟層，其中，cf4流量為150sccm，采用零偏壓，離子能量為300ev,離子束密度為100ua/cm2，在真空度為3.0×10-4的真空環境下，摻雜時間為25min，氟的沉積速率為0.5-0.70/s。
8、作為優選方案，所述氟層的厚度為50。
9、作為優選方案
10、采用磁控濺射離子鍍，抽真空到1.0×10-3pa以上真空度，而后通入氬氣，氣壓控制在1.0-1.5pa，cr靶電流為1.5a，負偏壓為100v，偏壓頻率為250khz；其中，所述cr結合層的厚度為4-6μm。
11、作為優選方案，所述cr結合層的厚度為5μm。
12、作為優選方案，所述采用磁控濺射離子鍍在所述cr結合層上沉積crc過渡層，具體包括：
13、采用磁控濺射離子鍍，控制cr靶繼續工作，并打開平面c靶的控制電源，將平面c靶的電源功率調至5kw，在cr結合層上制備crc過渡層，所述crc過渡層的厚度為7-9μm。
14、作為優選方案，所述crc過渡層的厚度為8μm。
15、作為優選方案，所述采用磁控濺射離子鍍在所述crc過渡層沉積上復合物層，具體包括：
16、采用磁控濺射離子鍍，抽真空到1.2×10-3pa以上真空度，而后通入氮氣，氣壓控制在1.0pa，采用三靶共同濺射，其中，cr靶電流為1.0a，ti靶電流為1.5a，c靶電流為2.0a，負偏壓為100v，偏壓頻率為120khz。
17、作為優選方案，在所述采用磁控濺射離子鍍在化學溶劑瓶的內表面上沉積cr結合層之前，還包括：
18、對化學溶劑瓶的內底面進行粗糙度處理。
19、作為優選方案，在所述對化學溶劑瓶的內底面進行表面粗糙度處理之后，所述化學溶劑瓶的內底面的粗糙度ra為1-2μm。
20、相比于現有技術，本專利技術實施例的有益效果在于：本專利技術實施例提供了一種化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，首先，采用磁控濺射離子鍍在化學溶劑瓶的內表面上沉積cr結合層，然后，采用磁控濺射離子鍍在所述cr結合層上沉積crc過渡層，接著，采用磁控濺射離子鍍在所述crc過渡層沉積上復合物層，所述復合物層包括cr、ti和dlc，所述復合物層的厚度為10-15μm，最后，采用磁控濺射離子鍍在所述復合物層上形成氟層，以使得化學溶劑瓶內表面光滑致密、不親油，從而使得化學溶劑無法在其表面附著，進而易于清洗化學溶劑瓶和傾倒溶劑。
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1.一種化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在所述復合物層上形成氟層，具體包括：
3.如權利要求2所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述氟層的厚度為50。
4.如權利要求1所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在化學溶劑瓶的內表面上沉積Cr結合層，具體包括：
5.如權利要求4所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述Cr結合層的厚度為5μm。
6.如權利要求4所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在所述Cr結合層上沉積CrC過渡層，具體包括：
7.如權利要求6所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述CrC過渡層的厚度為8μm。
8.如權利要求1所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在所述CrC過渡層沉積上復合物層，具體包括：
9.如權利要求1-8任一項所述的化學溶劑瓶內表面
10.如權利要求9所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，在所述對化學溶劑瓶的內底面進行表面粗糙度處理之后，所述化學溶劑瓶的內底面的粗糙度Ra為1-2μm。
...【技術特征摘要】
1.一種化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在所述復合物層上形成氟層，具體包括：
3.如權利要求2所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述氟層的厚度為50。
4.如權利要求1所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子鍍在化學溶劑瓶的內表面上沉積cr結合層，具體包括：
5.如權利要求4所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述cr結合層的厚度為5μm。
6.如權利要求4所述的化學溶劑瓶內表面的鍍膜方法，其特征在于，所述采用磁控濺射離子...
【專利技術屬性】
技術研發人員：何小麟，
申請(專利權)人：東莞新科技術研究開發有限公司，
類型：發明
國別省市：
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