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    使用廢二氧化硅源制備高二氧化硅Y-沸石的方法技術

    技術編號:44427412 閱讀:2 留言:0更新日期:2025-02-28 18:40
    本發明專利技術公開了通過利用廢二氧化硅源制備高二氧化硅Y?沸石的方法。所述步驟包括制備稀成核劑,通過混合硅酸鈉、鋁酸鈉、去離子水和氫氧化鈉制備稠成核劑。此外,通過混合稀成核劑與硅酸鈉、硫酸鋁、去離子水和稠成核劑制備鋁硅酸鹽凝膠,然后將鋁硅酸鹽凝膠結晶、過濾和洗滌以獲得Y?沸石濾餅。將Y?沸石銨交換、干燥和煅燒以獲得高二氧化硅Y?沸石。

    【技術實現步驟摘要】

    本公開大體上涉及高硅質y-沸石及其制備方法。具體地,本公開涉及利用廢二氧化硅源制備高二氧化硅y-沸石的方法。


    技術介紹

    1、合成y-沸石在過去的超過50年已被作為流化催化裂化催化劑的關鍵活性組分使用。在y-沸石/13x沸石的合成方法中,使用了二氧化硅、氧化鋁和氫氧化鈉源。在合成步驟中,氧化鋁幾乎被完全消耗,然而大部分的二氧化硅仍未使用。這種未消耗的二氧化硅進入母液。這種富二氧化硅母液可被用作合成高硅y-沸石的二氧化硅源。這將有助于解決環境污染問題,以及減少y-沸石的合成成本。

    2、us3898319a公開了制備沸石y的方法,其中所述方法利用衍生自先前沸石合成反應的廢液的固體反應性二氧化硅。所述合成是通過使用硅酸鈉補充廢液和在特別條件下用二氧化碳化學沉淀二氧化硅完成的。

    3、us4164551a公開了制備y-沸石的方法,其中將含有過量硅酸鹽的沸石結晶母液與酸式鋁鹽結合以獲得沉淀的二氧化硅-氧化鋁水凝膠。

    4、us20040053773a1公開了從分子篩分離后獲得的母液中消除不希望的過量二氧化硅和鈉鹽的方法,并為所述母液的完全回收鋪平了道路。使用稀礦物酸中和氫氧化鈉,直到酸母液的最終ph值在5至25℃范圍內的低溫下在9至12.5的范圍內。這導致了二氧化硅的富集和母液中不希望的鈉鹽和鈉鹽的量的減少。

    5、存在于廢母液中二氧化硅和鈉鹽的量很高,其需要在處理前被中和。如果它不經處理就被丟棄,它可能導致環境污染。因此,有必要回收和再利用廢沸石母液中未轉化的二氧化硅和鈉鹽。因此,本專利技術通過利用廢沸石母液作為合成高硅質y-沸石的二氧化硅源提供該問題的解決方案。


    技術實現思路

    1、本公開涉及高硅質y-沸石。本專利技術特別涉及通過利用廢沸石母液制備高二氧化硅y-沸石的方法,其中沸石母液可以是來自y沸石合成的母液或來自13x沸石合成的母液或來自沸石4a合成的母液。所述方法包括通過在40-50℃范圍內的溫度下老化沸石母液24-36小時制備稀成核劑的步驟。然后通過混合硅酸鈉、鋁酸鈉、氫氧化鈉和去離子水并在35-45℃范圍內的溫度下老化20-24小時制備稠(dense)成核劑。

    2、然后通過混合稀成核劑與硅酸鈉、硫酸鋁、去離子水、稠成核劑制備鋁硅酸鹽凝膠,并在100-110℃范圍內的溫度下將鋁硅酸鹽凝膠結晶20-24小時,過濾和洗滌以獲得y-沸石濾餅。隨后,在100-110℃下干燥y-沸石濾餅5小時,然后進行銨離子交換,然后在500-550℃下煅燒3小時以獲得高二氧化硅y-沸石。

    本文檔來自技高網...

    【技術保護點】

    1.利用廢二氧化硅源制備高二氧化硅Y-沸石的方法,其中所述方法包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的方法,其中所述廢二氧化硅源在42-48℃下老化25-35小時。

    3.根據權利要求1-2所述的方法,其中所述廢二氧化硅源選自Y-沸石母液、13X沸石母液和沸石4A母液。

    4.根據權利要求3所述的方法,其中所述廢二氧化硅源選自Y-沸石母液和13X沸石母液。

    5.根據權利要求1-3所述的方法,其中所述廢二氧化硅源由1-10的SiO2/SO4摩爾比組成。

    6.根據權利要求5所述的方法,其中所述廢二氧化硅源由3-6的SiO2/SO4摩爾比組成。

    7.根據權利要求1-3所述的方法,其中所述廢二氧化硅源由1-5的SiO2/Na2O摩爾比組成。

    8.根據權利要求7所述的方法,其中所述廢二氧化硅源的SiO2/Na2O是1-3。

    9.根據權利要求1所述的方法,其中鋁硅酸鹽凝膠的摩爾組成是7-20:2-10:1:0-5:200-400比例的SiO2:Na2O:Al2O3:SO4:H2O。

    10.根據權利要求9所述的方法,其中所述鋁硅酸鹽凝膠的摩爾組成是10-15:5-10:1:0-2:200-300比例的SiO2:Na2O:Al2O3:SO4:H2O。

    11.根據權利要求1所述的方法,其中所述高二氧化硅Y-沸石具有900-950m2/g的表面積。

    12.根據權利要求1所述的方法,其中所述高二氧化硅Y-沸石具有24.55-24.65埃的晶胞尺寸。

    13.根據權利要求1所述的方法,其中所述高二氧化硅Y-沸石具有5-7的SiO2/Al2O3骨架。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.利用廢二氧化硅源制備高二氧化硅y-沸石的方法,其中所述方法包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的方法,其中所述廢二氧化硅源在42-48℃下老化25-35小時。

    3.根據權利要求1-2所述的方法,其中所述廢二氧化硅源選自y-沸石母液、13x沸石母液和沸石4a母液。

    4.根據權利要求3所述的方法,其中所述廢二氧化硅源選自y-沸石母液和13x沸石母液。

    5.根據權利要求1-3所述的方法,其中所述廢二氧化硅源由1-10的sio2/so4摩爾比組成。

    6.根據權利要求5所述的方法,其中所述廢二氧化硅源由3-6的sio2/so4摩爾比組成。

    7.根據權利要求1-3所述的方法,其中所述廢二氧化硅源由1-5的sio2/na2o摩爾比組成。

    8.根據權利要求7所...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:H·米斯拉S·庫瑪莉P·帕特爾S·艾斯
    申請(專利權)人:印度斯坦石油有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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