【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專(zhuān)利技術(shù)涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種發(fā)光器件及發(fā)光裝置。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光二極管(light?emitting?diode，簡(jiǎn)稱(chēng)?led)為半導(dǎo)體發(fā)光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp?等半導(dǎo)體制程，其核心是具有發(fā)光特性的?pn?結(jié)。led具有發(fā)光強(qiáng)度大、效率高、體積小、使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是當(dāng)前最具有潛力的光源之一。led已經(jīng)廣泛應(yīng)用于照明、監(jiān)控指揮、高清演播、高端影院、辦公顯示、會(huì)議交互、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域。
2、目前，在個(gè)別特殊需求的應(yīng)用場(chǎng)景中，光源射程的遠(yuǎn)近是一項(xiàng)重要的衡量指標(biāo)，常規(guī)的發(fā)光器件通過(guò)在led結(jié)構(gòu)中設(shè)置橫向傳導(dǎo)層，對(duì)注入的電流進(jìn)行橫向傳導(dǎo)，提高電流注入均勻性以提高亮度和光效，但依然無(wú)法達(dá)到相關(guān)的射程要求。
3、需要說(shuō)明的是，公開(kāi)于該
技術(shù)介紹
部分的信息僅僅旨在增加對(duì)本專(zhuān)利技術(shù)的總體背景的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決上述常規(guī)發(fā)光器件光源的射程不足的技術(shù)問(wèn)題，本專(zhuān)利技術(shù)提供一種發(fā)光器件及發(fā)光裝置。
2、第一方面，本專(zhuān)利技術(shù)提供一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括基板、第一傳導(dǎo)層、第二傳導(dǎo)層和半導(dǎo)體疊層；所述基板具有相對(duì)的上表面和下表面，所述第一傳導(dǎo)層設(shè)置在所述基板上表面一側(cè)，所述第一傳導(dǎo)層和所述基板之間設(shè)有第一絕緣層，所述半導(dǎo)體疊層設(shè)置在所述第一傳導(dǎo)層上，所述第一傳導(dǎo)層和所述半導(dǎo)體疊層之間設(shè)有第二絕緣層，所述第二傳導(dǎo)層位于所述半導(dǎo)
3、其中，所述第二絕緣層的中心區(qū)域具有第一開(kāi)口以暴露所述第一傳導(dǎo)層的部分表面與所述第二傳導(dǎo)層電接觸，以提高發(fā)光器件的中心光強(qiáng)密度，降低光束角度，進(jìn)而提高發(fā)光器件光源射程。
4、第二方面，本專(zhuān)利技術(shù)提供一種發(fā)光裝置，采用上述實(shí)施例所述的發(fā)光器件。
5、基于上述，本專(zhuān)利技術(shù)提供的一種發(fā)光器件及發(fā)光裝置，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，通過(guò)在基板和半導(dǎo)體疊層之間增設(shè)第一傳導(dǎo)層、第二傳導(dǎo)層和第二絕緣層，第二絕緣層的中心區(qū)域具有第一開(kāi)口以暴露第一傳導(dǎo)層的部分表面與第二傳導(dǎo)層電接觸，能夠提高發(fā)光器件的中心光強(qiáng)密度，降低光束角度，達(dá)到提高發(fā)光器件光源射程的效果。
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1.一種發(fā)光器件，其特征在于：包括
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：在俯視視角上，所述第一開(kāi)口沿水平方向的最左端至最右端兩點(diǎn)之間的距離W與所述發(fā)光器件的最小邊長(zhǎng)L的比值為0.5～0.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第一開(kāi)口的俯視投影面積為所述半導(dǎo)體疊層俯視投影面積的30%～70%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第一開(kāi)口的形狀為方形或圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第一開(kāi)口包含至少一個(gè)圖形化開(kāi)口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第二傳導(dǎo)層的厚度為3000-15000埃米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述發(fā)光器件具有若干通孔，所述半導(dǎo)體疊層從下至上依次包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，若干所述通孔由所述基板貫穿至所述第二半導(dǎo)體層，以露出所述基板與所述第二半導(dǎo)體層電接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于：至少一個(gè)所述通孔位于所述第二絕緣層的中心區(qū)域內(nèi)。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于：包括
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：在俯視視角上，所述第一開(kāi)口沿水平方向的最左端至最右端兩點(diǎn)之間的距離w與所述發(fā)光器件的最小邊長(zhǎng)l的比值為0.5～0.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第一開(kāi)口的俯視投影面積為所述半導(dǎo)體疊層俯視投影面積的30%～70%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第一開(kāi)口的形狀為方形或圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第一開(kāi)口包含至少一個(gè)圖形化開(kāi)口。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述第二傳導(dǎo)層的厚度為3000-15000埃米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于：所述發(fā)光器件具有若干通孔，所述半導(dǎo)體疊層從下至上依次包括第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：史福星，陳世鑫，曾曉強(qiáng)，楊劍鋒，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：朗明納斯光電廈門(mén)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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