【技術實現步驟摘要】
本申請涉及集成電路的，尤其涉及一種光電耦合器及多通道光電耦合器。
技術介紹
1、光電耦合器(opticalcoupler?equipment)，亦稱光電隔離器或光耦合器，簡稱光耦，其是以光為媒介來傳輸電信號的器件。光耦包括密封于同一殼體中的發光源和受光器，在光耦信號轉化的過程中，發光源將電信號轉化為光信號，受光器接收光信號并將光信號轉化為電信號輸出，以實現電-光-電的轉換。
2、現有技術中，光耦的封裝結構包括管殼、內瓷片和蓋板，發光源位于內瓷片上，受光器位于在管殼中。在光耦封裝過程中，通過兩次貼片和鍵合將發光源和受光器分別貼片在內瓷片和管殼上，再將內瓷片和管殼對位裝配，最后將蓋板裝配在管殼的殼口位置，完成封裝。
3、然而，現有的光耦存在裝配效率低的問題。
技術實現思路
1、本申請提供一種光電耦合器及多通道光電耦合器，提高了光電耦合器的裝配效率。
2、第一方面，本申請實施例提供一種光電耦合器。光電耦合器包括管殼、發光芯片、光敏芯片和蓋板。管殼的殼壁上設置有開口。開口用于與管殼的腔體連通。發光芯片和光敏芯片均位于腔體中。蓋板蓋合于開口處，蓋板用于密封腔體。
3、發光芯片的出光面和光敏芯片的入光面均背離管殼的底部，光敏芯片的入光面不高于發光芯片。
4、在上述的光電耦合器中，可選地是，還包括第一臺階。第一臺階位于腔體中。第一臺階的臺階面高于管殼的內底壁，且低于管殼的開口。發光芯片設置于第一臺階上。
5、光敏芯片設置于管
6、在上述的光電耦合器中，可選地是，還包括至少兩個引腳、至少兩個導電層和至少兩個導電件。引腳連接于管殼的外壁。導電層設置于腔體中。至少兩個導電層與至少兩個導電件一一對應電連接，且通過對應的導電件一一對應地與至少兩個引腳電導通。
7、光敏芯片和發光芯片分別與不同的導電層電連接。
8、在上述的光電耦合器中，可選地是，光電耦合器具有第一導電通孔。第一導電通孔穿設管殼的殼壁和第一臺階。第一導電通孔的數量為兩個。
9、導電件包括第一導電件。第一導電件的數量為兩個。兩個第一導電件一一對應地位于兩個第一導電通孔中。
10、導電層包括第一導電層。第一導電層的數量為兩個。兩個第一導電層均與發光芯片電連接。
11、引腳包括第一引腳；第一引腳的數量為兩個。
12、兩個第一導電層一一對應地與兩個第一導電件電連接，且兩個第一導電件一一對應地與兩個第一引腳電連接。
13、在上述的光電耦合器中，可選地是，第一導電層設置于第一臺階的臺階面上。第一導電層在第一臺階的臺階面上的正投影與發光芯片在第一臺階的臺階面上的正投影至少部分重合。
14、在上述的光電耦合器中，可選地是，還包括金屬層和輔助金屬層，金屬層設置于管殼靠近開口一側，輔助金屬層設置于蓋板靠近開口一側，蓋板通過輔助金屬層和金屬層蓋合于開口處。
15、在上述的光電耦合器中，可選地是，發光芯片包括第一發光電極和第二發光電極。發光芯片上設置有第一鍵合導線。第一發光電極通過第一鍵合導線和一個第一導電層電連接。第二發光電極通過導電膠與另一個第一導電層電連接。
16、在上述的光電耦合器中，可選地是，導電層包括第二導電層。第二導電層的數量為兩個。兩個第二導電層均設置于腔體的內底壁上。
17、光敏芯片包括第一光敏電極和第二光敏電極，第一光敏電極和第二光敏電極一一對應地與兩個第二導電層電連接。
18、在上述的光電耦合器中，可選地是，光敏芯片上設置有第二鍵合導線。第一光敏電極和一個第二導電層通過第二鍵合導線電連接，第二光敏電極通過導電膠與另一個第二導電層連接。
19、光電耦合器還包括第二導電通孔。第二導電通孔的數量為兩個；第二導電通孔穿設管殼的殼壁。
20、導電件包括第二導電件，第二導電件的數量為兩個；兩個第二導電件一一對應地位于第二導電通孔中。
21、引腳包括第二引腳，第二引腳的數量為兩個；兩個第二導電層一一對應地與兩個第二導電件電連接，且兩個第二導電件一一對應地與兩個第二引腳電連接。
22、在上述的光電耦合器中，可選地是，管殼具有多個腔體，多個腔體呈陣列排布，多個腔體均與開口連通。
23、蓋板的數量為多個，多個蓋板與多個腔體一一對應地設置，蓋板用于密封腔體。
24、發光芯片和光敏芯片均有多個，多個發光芯片一一對應地位于多個腔體中，多個光敏芯片一一對應地位于多個腔體中。
25、在上述的光電耦合器中，可選地是，還包括反射層，反射層設置于蓋板靠近管殼的一側；反射層和蓋板連接，或，反射層和蓋板抵接。
26、沿光電耦合器的高度方向，反射層在蓋板上的正投影，覆蓋蓋板的至少部分。
27、第二方面，本申請實施例提供一種多通道光電耦合器，包括至少一個光電耦合器。
28、在上述的多通道光電耦合器中，可選地是，光電耦合器的數量為多個。多個光電耦合器呈陣列排列，相鄰兩個光電耦合器之間具有間隙。
29、本申請提供的一種光電耦合器及多通道光電耦合器，該光電耦合器包括管殼、發光芯片、光敏芯片和蓋板，其中，管殼的殼壁上設置有開口，開口與管殼的腔體連通；發光芯片和光敏芯片均位于腔體中，蓋板蓋合于開口處；蓋板用于密封腔體。發光芯片的出光面和光敏芯片的入光面均背離管殼的底部。相比于現有技術，現有技術中，光電耦合器的發光芯片位于蓋板上，光敏芯片位于管殼腔體中，在發光芯片和光敏芯片裝配過程中，需要分別對光敏芯片和發光芯片進行貼片及鍵合，而本申請實施例提供的光電耦合器中發光芯片和光敏芯片均位于管殼中，可以同時對光敏芯片和發光芯片進行貼片、鍵合，本申請實施例提供的光電耦合器具有封裝更加簡潔、方便的優點，提高了光電耦合器的封裝效率。通過將光敏芯片的入光面設置為低于發光芯片，保證了光電耦合器在使用過程中光線的傳輸，實現了光電耦合器的電-光-電信號轉換。
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1.一種光電耦合器，其特征在于，包括管殼、發光芯片、光敏芯片和蓋板，所述管殼的殼壁上設置有開口，所述開口用于與所述管殼的腔體連通；所述發光芯片和所述光敏芯片均位于所述腔體中，所述蓋板蓋合于所述開口處，所述蓋板用于密封所述腔體；
2.根據權利要求1所述的光電耦合器，其特征在于，還包括第一臺階，所述第一臺階位于所述腔體中；所述第一臺階的臺階面高于所述管殼的內底壁，且低于所述管殼的開口；所述發光芯片設置于所述第一臺階上；
3.根據權利要求2所述的光電耦合器，其特征在于，還包括至少兩個引腳、至少兩個導電層和至少兩個導電件；所述引腳連接于所述管殼的外壁，所述導電層設置于所述腔體中；
4.根據權利要求3所述的光電耦合器，其特征在于，所述光電耦合器具有第一導電通孔，所述第一導電通孔穿設所述管殼的殼壁和所述第一臺階；所述第一導電通孔的數量為兩個；
5.根據權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于，所述第一導電層設置于所述第一臺階的臺階面上，所述第一導電層在所述第一臺階的臺階面上的正投影與所述發光芯片在所述第一臺階的臺階面上的正投影至少部分重合。>
6.根據權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于，還包括金屬層和輔助金屬層，所述金屬層設置于所述管殼靠近所述開口一側，所述輔助金屬層設置于所述蓋板靠近所述開口一側，所述蓋板通過所述輔助金屬層和所述金屬層蓋合于所述開口處。
7.根據權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于，所述發光芯片包括第一發光電極和第二發光電極，所述發光芯片上設置有第一鍵合導線，所述第一發光電極通過所述第一鍵合導線和一個所述第一導電層電連接，所述第二發光電極通過導電膠與另一個所述第一導電層電連接。
8.根據權利要求3-7中任一項所述的光電耦合器，其特征在于，所述導電層包括第二導電層；所述第二導電層的數量為兩個；兩個所述第二導電層均設置于所述腔體的內底壁上；
9.根據權利要求8所述的光電耦合器，其特征在于，所述光敏芯片上設置有第二鍵合導線，所述第一光敏電極和一個所述第二導電層通過所述第二鍵合導線電連接，所述第二光敏電極通過導電膠與另一個所述第二導電層連接；
10.根據權利要求8所述的光電耦合器，其特征在于，所述管殼具有多個腔體，多個所述腔體呈陣列排布，多個所述腔體均與所述開口連通；
11.根據權利要求8所述的光電耦合器，其特征在于，還包括反射層，所述反射層設置于所述蓋板靠近所述管殼的一側；所述反射層和所述蓋板連接，或，所述反射層和所述蓋板抵接；
12.一種多通道光電耦合器，其特征在于，包括至少一個如權利要求1-11中任一項所述的光電耦合器。
13.根據權利要求12所述的多通道光電耦合器，其特征在于，所述光電耦合器的數量為多個，多個所述光電耦合器呈陣列排列，相鄰兩個所述光電耦合器之間具有間隙。
...【技術特征摘要】
1.一種光電耦合器，其特征在于，包括管殼、發光芯片、光敏芯片和蓋板，所述管殼的殼壁上設置有開口，所述開口用于與所述管殼的腔體連通；所述發光芯片和所述光敏芯片均位于所述腔體中，所述蓋板蓋合于所述開口處，所述蓋板用于密封所述腔體；
2.根據權利要求1所述的光電耦合器，其特征在于，還包括第一臺階，所述第一臺階位于所述腔體中；所述第一臺階的臺階面高于所述管殼的內底壁，且低于所述管殼的開口；所述發光芯片設置于所述第一臺階上；
3.根據權利要求2所述的光電耦合器，其特征在于，還包括至少兩個引腳、至少兩個導電層和至少兩個導電件；所述引腳連接于所述管殼的外壁，所述導電層設置于所述腔體中；
4.根據權利要求3所述的光電耦合器，其特征在于，所述光電耦合器具有第一導電通孔，所述第一導電通孔穿設所述管殼的殼壁和所述第一臺階；所述第一導電通孔的數量為兩個；
5.根據權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于，所述第一導電層設置于所述第一臺階的臺階面上，所述第一導電層在所述第一臺階的臺階面上的正投影與所述發光芯片在所述第一臺階的臺階面上的正投影至少部分重合。
6.根據權利要求4所述的光電耦合器，其特征在于，還包括金屬層和輔助金屬層，所述金屬層設置于所述管殼靠近所述開口一側，所述輔助金屬層設置于所述蓋板靠近所述開口一側，所述蓋板通過所述輔助金屬層和所述金屬層蓋合于所述開口處。
【專利技術屬性】
技術研發人員：羅輯，
申請(專利權)人：成都市漢桐集成技術股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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