本發(fā)明專利技術(shù)涉及LCD模組檢測技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其包括以下步驟：圖像采集：在流水線上的傳送帶對氧化物L(fēng)CD模組逐行掃描，通過對移動(dòng)的氧化物L(fēng)CD模組將其每一行的像素點(diǎn)逐一捕捉，并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)；獲取氧化物L(fēng)CD模組的Mark點(diǎn)；得到物體在圖像中的尺寸；建立距離參考坐標(biāo)系；利用該坐標(biāo)系進(jìn)行銀獎(jiǎng)規(guī)格的測量和分析；通過測量目標(biāo)物體上的各個(gè)點(diǎn)與坐標(biāo)系原點(diǎn)的距離和方向，確定這些點(diǎn)的位置以及尺寸；區(qū)分銀漿涂布區(qū)域；涂布規(guī)格判定。本發(fā)明專利技術(shù)可快速對銀漿涂布后的氧化物L(fēng)CD模組的銀漿規(guī)格進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測，有助于提高模組生產(chǎn)線的生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化模組產(chǎn)業(yè)。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及l(fā)cd模組檢測，尤其是指一種氧化物lcd模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法。
技術(shù)介紹
1、目前，lcd顯示模組日新月異，新技術(shù)和新工藝不斷更新迭代，應(yīng)用也越來越廣泛。由于氧化物lcd具備出色性能以及穩(wěn)定性，開始大規(guī)模應(yīng)用于tcp、車載等領(lǐng)域。因此，對其的制程檢測要求也更高。銀漿涂布是氧化物lcd模組必不可少的一道重要制程，對氧化物lcd模組的顯示性能起著可要作用。目前，氧化物lcd模組的主要工序都實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化，然而，現(xiàn)有的銀漿檢測普遍使用人工鏡檢的方式，存在效率低下、規(guī)格尺寸漏檢錯(cuò)檢等問題，影響了智能智造模組工廠的發(fā)展，嚴(yán)重限制了氧化物lcd模組的應(yīng)用和技術(shù)進(jìn)步。氧化物lcd模組的銀漿檢測存在以下缺陷：
2、1.檢測速度慢：傳統(tǒng)的檢測方法需要人工操作，耗時(shí)耗力，檢測速度較慢，無法滿足生產(chǎn)線的需求。
3、2.可靠性差：由于人為因素和設(shè)備限制，現(xiàn)有的檢測技術(shù)在可靠性方面存在一定的缺陷，容易出現(xiàn)漏檢或誤檢的情況。
4、3.成本高昂：傳統(tǒng)的檢測方法需要專門的設(shè)備和人力投入，并且一個(gè)人需要配備一臺(tái)專用的鏡檢設(shè)備，成本高昂，不利于企業(yè)的成本控制。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本專利技術(shù)針對現(xiàn)有技術(shù)的問題提供一種氧化物lcd模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，設(shè)計(jì)巧妙，可快速對銀漿涂布后的氧化物lcd模組的銀漿規(guī)格進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測，有助于提高模組生產(chǎn)線的生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化模組產(chǎn)業(yè)。
2、為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用如下技術(shù)方案：
3、本專利技術(shù)提供了一種氧化物lcd模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其包括以下步驟：
4、步驟s10、圖像采集：在流水線上的傳送帶對氧化物lcd模組逐行掃描，通過對移動(dòng)的氧化物lcd模組將其每一行的像素點(diǎn)逐一捕捉，并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)；
5、步驟s20、基于sift的mark點(diǎn)識(shí)別，獲取氧化物lcd模組的mark點(diǎn)；
6、步驟s30、像素尺寸表征：得到物體在圖像中的尺寸；
7、步驟s40、建立距離參考坐標(biāo)系：確定了mark點(diǎn)的中心像素點(diǎn)，將其作為原點(diǎn)，建立x軸和y軸，并確定坐標(biāo)軸的方向；建立二維直角坐標(biāo)系后，利用該坐標(biāo)系進(jìn)行銀獎(jiǎng)規(guī)格的測量和分析；通過測量目標(biāo)物體上的各個(gè)點(diǎn)與坐標(biāo)系原點(diǎn)的距離和方向，來確定這些點(diǎn)的具體位置以及尺寸；
8、步驟s50、圖像處理：區(qū)分銀漿涂布區(qū)域；
9、步驟s60、銀漿涂布規(guī)格判定。
10、其中，所述步驟s10中的圖像采集的方法為：
11、步驟s11、設(shè)備選型及參數(shù)調(diào)整：在進(jìn)行圖像采集之前，需要設(shè)置線陣相機(jī)的參數(shù)，線陣相機(jī)的參數(shù)包括曝光時(shí)間、增益、同步信號(hào)；調(diào)整相機(jī)的位置、角度以及傳送帶速度，使其正對物體進(jìn)行勻速掃描；
12、步驟s12、圖像輸出：在設(shè)置好參數(shù)并完成對焦和定位后，啟動(dòng)線陣相機(jī)和傳送帶，線陣相機(jī)進(jìn)行實(shí)時(shí)掃描和圖像采集，并將采集到的數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)。
13、其中，所述步驟s20中的基于sift的mark點(diǎn)識(shí)別的方法為：
14、步驟s21、mark點(diǎn)的特征提取：在mark點(diǎn)識(shí)別中，首先在目標(biāo)物體的圖像和參考圖像中提取關(guān)鍵點(diǎn)和描述子，然后通過匹配描述子來確定目標(biāo)物體在圖像中的位置；
15、步驟s22、關(guān)鍵點(diǎn)匹配：關(guān)鍵點(diǎn)匹配的過程使用最近鄰匹配算法，即對于每個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，在參考圖像中找到與之最接近的關(guān)鍵點(diǎn)，通過比較它們的描述子之間的距離來評(píng)估匹配程度；匹配方法是基于最近鄰匹配的比率測試，即對于每個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，找到其最近鄰和次近鄰，若最近鄰與次近鄰之間的距離比小于一個(gè)閾值，則認(rèn)為匹配成功，否則認(rèn)為匹配失??；距離比計(jì)算方法如下：
16、
17、其中，d1是最近鄰描述子與當(dāng)前關(guān)鍵點(diǎn)描述子的距離，d2是次近鄰描述子與當(dāng)前關(guān)鍵點(diǎn)描述子的距離，如果距離比小于一個(gè)設(shè)定的閾值，則認(rèn)為匹配成功。
18、其中，所述步驟s30中的像素尺寸表征的方法為：通過計(jì)算圖像中的像素?cái)?shù)量，可以得到物體在圖像中的尺寸，計(jì)算方法如下：
19、s＝l×n；
20、其中，s為物體的尺寸，l為每個(gè)像素表征的實(shí)際尺寸，n為物體所占像素的數(shù)量。
21、其中，所述步驟s50中的圖像處理的方法為：
22、步驟s51、圖像roi區(qū)域預(yù)設(shè)的方法為：根據(jù)氧化物lcd模組的mark點(diǎn)的位置和銀漿涂布的位置，分別人為的預(yù)設(shè)圖像上、下、左、右的保留閾值y上、y下、x左、x右，其中，x，y為像素點(diǎn)在步驟s40中建立的坐標(biāo)系的像素坐標(biāo)；
23、根據(jù)上述所設(shè)閾值，只保留符合公式：的像素點(diǎn)；
24、步驟s52、圖像roi區(qū)域二值化分割：將roi圖像轉(zhuǎn)化成灰度圖像，再利用大津法將其分割為銀漿區(qū)域和其他區(qū)域；通過尋找一個(gè)閾值，使得前景和背景之間的類間方差最大化，從而實(shí)現(xiàn)圖像的二值化分割；具體步驟如下：
25、首先，計(jì)算圖像的灰度直方圖，并歸一化；
26、然后，從灰度級(jí)別0到255中選擇一個(gè)閾值t，將圖像分為兩個(gè)部分：小于等于t的像素為一類，大于t的像素為另一類；
27、計(jì)算兩個(gè)類的像素點(diǎn)數(shù)、平均灰度值和類間方差；
28、根據(jù)類間方差的計(jì)算公式σ2＝ω1(μ1-μt)2+ω2(μ2-μt)2，找到使類間方差最大的閾值t；
29、其中，分別ω1和ω2為兩個(gè)類的像素占比，μ1和μ2分別為兩個(gè)類的平均灰度值，μt為整幅圖像的平均灰度值；
30、通過計(jì)算不同閾值下的類間方差，選擇使類間方差最大的閾值作為最終的二值化閾值。
31、其中，所述步驟s60中銀漿涂布規(guī)格判定的方法為：
32、s61、計(jì)算銀漿涂布區(qū)域數(shù)：
33、通過開運(yùn)算和閉運(yùn)算過濾掉圖像中細(xì)碎的噪點(diǎn)，然后，通過opencv中的輪廓查找算法計(jì)算銀漿的區(qū)域數(shù)n，最后，對比銀漿區(qū)域數(shù)n和設(shè)定的涂布區(qū)域數(shù)nset進(jìn)行比較，若n≠nset，則此氧化物lcd模組在銀漿涂布時(shí)出現(xiàn)斷點(diǎn)或者漏涂，所以直接判定不符合規(guī)格；反之，則通過此步驟的判定，進(jìn)入步驟s62；
34、s62：計(jì)算銀漿涂布的寬和高：
35、首先，通過遍歷算法和排序算法逐一求取每個(gè)銀漿涂布區(qū)域x軸和y軸的極值xmin，xmax，ymin，ymax；計(jì)算方法如下：
36、
37、其中，max和min分別為求極大值和極小值的函數(shù)；
38、然后，通過兩個(gè)坐標(biāo)軸的極值求得銀漿涂布區(qū)域的高和寬的像素個(gè)數(shù)，最后通過每個(gè)像素表征的距離尺寸spixel計(jì)算出銀漿的高h(yuǎn)和寬w，計(jì)算方法如下：
39、
40、最后，將銀漿的高h(yuǎn)和寬w與銀漿涂布高和寬的設(shè)定閾值進(jìn)行比較，若h和w符合公式：的條件，即銀漿涂布的規(guī)格的高和寬均在閾值區(qū)間內(nèi)，則可以判定銀漿涂布的規(guī)格符合要求，反之，則不符合要求。
41、本專利技術(shù)的有益效果：
42、本專利技術(shù)設(shè)計(jì)巧妙，利用氧化物lcd的mark點(diǎn)本文檔來自技高網(wǎng)
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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟S10中的圖像采集的方法為：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟S20中的基于SIFT的Mark點(diǎn)識(shí)別的方法為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟S30中的像素尺寸表征的方法為：通過計(jì)算圖像中的像素?cái)?shù)量，可以得到物體在圖像中的尺寸，計(jì)算方法如下：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟S50中的圖像處理的方法為：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物L(fēng)CD模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟S60中銀漿涂布規(guī)格判定的方法為：
【技術(shù)特征摘要】
1.一種氧化物lcd模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物lcd模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟s10中的圖像采集的方法為：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物lcd模組的銀漿涂布規(guī)格檢測方法，其特征在于，所述步驟s20中的基于sift的mark點(diǎn)識(shí)別的方法為：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物lcd模組...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：仇澤軍，梁健城，周芳青，董海飛，唐國華，
申請(專利權(quán))人：東莞市德普特電子有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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