【技術實現步驟摘要】
本揭露是關于一種半導體裝置。
技術介紹
1、半導體裝置用于多種電子應用，諸如舉例而言，個人計算機、手機、數字相機、及其他電子設備。半導體裝置通常是通過在半導體基板上方依序沉積絕緣或介電層、導電層、及半導體材料層，并使用微影技術對各種材料層進行圖案化以在其上形成電路組件及元件來制造的。
2、半導體行業通過不斷減小最小特征尺寸來不斷提高各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，從而允許更多的組件整合至給定面積中。然而，隨著最小特征尺寸的減小，出現了待解決的額外問題。
技術實現思路
1、本揭露的一個實施例是一種半導體裝置，包括設置于鰭片上方的晶體管的第一通道區，鰭片可包括在第一方向上延伸的半導體材料。柵極結構襯墊第一通道區并在垂直于第一方向的第二方向上在隔離區上方延伸，柵極結構的第一部分向下延伸至隔離區的上表面中一凹痕中。半導體裝置亦包括嵌入鰭片中第一通道區的任一側上的磊晶結構，磊晶結構由第一層間介電質側向圍繞。
2、本揭露的另一實施例是一種半導體裝置，包括在第一方向上延伸的半導體鰭片。柵極結構襯墊半導體鰭片的通道區并在垂直于第一方向的第二方向上在隔離區上方延伸，柵極結構的第一部分向下延伸至隔離區的上表面中一凹痕中。半導體裝置亦包括嵌入半導體鰭片中且在通道區的一側上的磊晶結構，磊晶結構由層間介電質側向圍繞。半導體裝置還包含將磊晶結構與柵極結構分離開的間隔物。
3、本揭露的另一實施例是一種半導體裝置，包括設置于鰭片上方的晶體管的通
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1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中一第一距離是在該柵極結構的一底表面向上5nm的一位置處該柵極結構的側壁至側壁距離；其中一第二距離是在該柵極結構的該底表面向上20nm的一位置處該柵極結構的側壁至側壁距離；且其中該第二距離減去該第一距離在0.5nm與10nm之間。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該柵極結構自該第一通道區延伸至一相鄰晶體管的一第二通道區，其中該柵極結構下方的該隔離區的一平均損耗在0nm與20nm之間。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該柵極結構下方的該隔離區的一粗糙度在0nm與5nm之間。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中一第一射線在該隔離區與該鰭片之間的一上界面處具有一端點，且在該鰭片的一頂部邊緣處具有一第二點；且其中該第一射線與一水平基準之間的一角度在50°與80°之間。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該鰭片的一側壁自該隔離區暴露0nm與10nm之間的一距離。
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8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，其中該隔離區為一淺溝槽隔離區。
9.一種半導體裝置，其特征在于，包含：
10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，其中該通道區包含多個納米結構。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體裝置，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中一第一距離是在該柵極結構的一底表面向上5nm的一位置處該柵極結構的側壁至側壁距離；其中一第二距離是在該柵極結構的該底表面向上20nm的一位置處該柵極結構的側壁至側壁距離；且其中該第二距離減去該第一距離在0.5nm與10nm之間。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該柵極結構自該第一通道區延伸至一相鄰晶體管的一第二通道區，其中該柵極結構下方的該隔離區的一平均損耗在0nm與20nm之間。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，其中該柵極結構下方的該隔離區的一粗糙度在0nm與5nm之...
【專利技術屬性】
技術研發人員：徐紹華，林佳儀，曹修豪，簡塏旻，黃偵晃，魏安祺，陳嘉仁，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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