【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體集成電路制造領域半導體材料的生長及相關處理技術，具體涉及一種mim上極板的返工方法。
技術介紹
1、電容是常用的無源器件之一，作為集成電路中的重要組成部分，被廣泛應用于各種芯片中。集成電路芯片中的電容結構包括mim(metal?insulator?metal，金屬-絕緣層-金屬)電容、pip(poly?insulator?poly，多晶硅-絕緣層-多晶硅)電容和mom(metal?oxidemetal，金屬-氧化物-金屬)電容。
2、mim電容包括下極板、上極板、位于上級板和下極板之間的介質層，可在beol(backend?of?line，后端工藝)處理過程中制作。其中，在制作上級板的過程中，由于濺射tin的靶材過消耗，生長的膜質變化，使得rs均一性不穩定，并會導致mim_et時epd(end?pointdetection，終點檢測)發出警報。
技術實現思路
1、有鑒于此，本專利技術提出了一種mim上極板的返工方法，用以解決mim上極板異常的問題。
2、本專利技術提供一種mim上極板的返工方法，包括以下步驟：
3、步驟一、提供上極板需返工的mim結構，所述上極板為tin層，在所述上極板下方形成有介質層；
4、步驟二、利用apm濕法刻蝕去除所述tin層；
5、步驟三、對所述介質層先進行干法刻蝕，然后進行兩次濕法清洗處理；
6、步驟四、再次對所述介質層先進行干法刻蝕，然后進行兩次濕法清洗處理；<...
【技術保護點】
1.一種MIM上極板的返工方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，步驟一中所述介質層為SiN層。
3.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，所述APM濕法刻蝕所用的溶液為NH4OH、H2O2和H2O的混合液，溫度為55℃，刻蝕速率為大于30A。
4.根據權利要求3所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，所述溶液的組成比例為NH4OH:H2O2:H2O＝1:1:5。
5.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，步驟二之后步驟三之前包括：測量所述介質層的膜厚。
6.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，步驟三和步驟四中所述干法刻蝕的條件為：采用CH2F2/Ar/O2作為刻蝕氣體，其中CH2F2的氣體流量為5～100sccm，Ar的氣體流量為10～500sccm，O2的氣體流量為5～100sccm，溫度為20～100℃，RF功率為100～1000W。
7.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于
8.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，步驟六中所述膜厚檢測通過指的是膜厚為零，所述缺陷檢測通過指的是不存在凹坑和聚合物。
9.根據權利要求1所述的MIM上極板的返工方法，其特征在于，所述方法還包括：響應于所述WAT測試通過，返工成功。
...【技術特征摘要】
1.一種mim上極板的返工方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的mim上極板的返工方法，其特征在于，步驟一中所述介質層為sin層。
3.根據權利要求1所述的mim上極板的返工方法，其特征在于，所述apm濕法刻蝕所用的溶液為nh4oh、h2o2和h2o的混合液，溫度為55℃，刻蝕速率為大于30a。
4.根據權利要求3所述的mim上極板的返工方法，其特征在于，所述溶液的組成比例為nh4oh:h2o2:h2o＝1:1:5。
5.根據權利要求1所述的mim上極板的返工方法，其特征在于，步驟二之后步驟三之前包括：測量所述介質層的膜厚。
6.根據權利要求1所述的mim上極板的返工方法，其特征...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄒世鳳，黃夢盼，劉駿，劉佳亮，徐云，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：
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