【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
本申請涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種晶圓及晶圓的翹曲度調(diào)整方法。
技術(shù)介紹
1、在半導(dǎo)體制程工藝中，晶圓發(fā)生翹曲(warpage)的程度具有重要的影響。翹曲，也稱彎曲，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中是指晶圓發(fā)生形變而不平整的現(xiàn)象。在半導(dǎo)體制程工藝中，翹曲會影響晶圓的品質(zhì)及半導(dǎo)體制程工藝的進(jìn)行，例如，在光刻過程中，若晶圓發(fā)生翹曲，其光照表面不平整，會導(dǎo)致掩膜結(jié)構(gòu)不能形成清晰的圖像，從而影響刻蝕的精準(zhǔn)性。由于器件結(jié)構(gòu)精密度較高，因此，需要將晶圓的翹曲度控制在可接受的范圍內(nèi)，但晶圓在制程中經(jīng)過沉積、研磨等工藝后會產(chǎn)生較大的應(yīng)力導(dǎo)致晶圓的翹曲度加重而失控，晶圓發(fā)生翹曲時，將在整體上呈現(xiàn)出一種碗狀翹曲的狀態(tài)，即晶圓的邊緣高于或者低于其中心的形態(tài)，形成碗狀，使得晶圓的邊緣與水平面之間產(chǎn)生了間隙，進(jìn)而導(dǎo)致諸多問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請的目的在于提供一種晶圓及調(diào)整晶圓的翹曲度的方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓發(fā)生翹曲的技術(shù)問題。
2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N調(diào)整晶圓的翹曲度的方法，該方法包括：
3、提供晶圓，所述晶圓包括相對的第一面和第二面；
4、在所述晶圓的第二面形成可逆相變層，所述可逆相變層能夠發(fā)生可逆相變；以及根據(jù)所述晶圓的翹曲度，控制所述可逆相變層的至少部分區(qū)域發(fā)生相變。
5、在一些實施例中，所述可逆相變層包括ge-sb-te材料。
6、在一些實施例中，所述至少部分區(qū)域包括一個或多個可逆相變區(qū)，所述可逆相變區(qū)能夠發(fā)生可逆相變，所述控制所述可逆相變層的至
7、在一些實施例中，所述對所述可逆相變區(qū)進(jìn)行熱處理進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，調(diào)整所述至少一個可逆相變區(qū)的所述熱處理的處理配置。
8、在一些實施例中，所述處理配置包括：第一配置，所述第一配置包括對所述至少一個可逆相變區(qū)的熱處理溫度低于650攝氏度，熱處理時間大于5分鐘，所述至少一個可逆相變區(qū)在所述第一配置下由非晶相轉(zhuǎn)變?yōu)榫啵换蛘?/p>
9、第二配置，所述第二配置包括對所述至少一個可逆相變區(qū)的熱處理溫度高于650攝氏度，熱處理時間小于2分鐘，所述至少一個可逆相變區(qū)在所述第二配置下由晶相轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷唷?/p>
10、在一些實施例中，所述熱處理包括激光退火、等離子束退火或電子束退火中的任意一種。
11、在一些實施例中，所述對所述可逆相變層的至少部分區(qū)域進(jìn)行處理進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，對所述至少一個可逆相變區(qū)施加電流。
12、在一些實施例中，所述對至少一個所述可逆相變區(qū)施加電流進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，調(diào)整所述至少一個可逆相變區(qū)施加電流的大小和/或通電時間。
13、在一些實施例中，所述對所述至少一個所述可逆相變區(qū)施加電流進(jìn)一步包括：對所述至少一個可逆相變區(qū)施加電脈沖信號，且所述至少一個可逆相變區(qū)由晶相轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷鄷r施加的電脈沖信號的脈寬和幅值大所述至少一個可逆相變區(qū)由非晶相轉(zhuǎn)變?yōu)榫鄷r施加的電脈沖信號。
14、在一些實施例中，相鄰兩個所述可逆相變區(qū)之間通過絕緣區(qū)隔絕。
15、第二方面，本申請還提供了一種晶圓，所述晶圓包括第一面和與所述第一面相對的第二面，所述第二面形成有可逆相變層，所述可逆相變層能夠發(fā)生可逆相變。
本文檔來自技高網(wǎng)...【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種調(diào)整晶圓的翹曲度的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述可逆相變層的材料包括Ge-Sb-Te相變材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少部分區(qū)域包括一個或多個可逆相變區(qū)，所述可逆相變區(qū)能夠發(fā)生可逆相變，所述控制所述可逆相變層的至少部分區(qū)域發(fā)生相變進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，對所述可逆相變層上的至少一個可逆相變區(qū)進(jìn)行熱處理，以使所述至少一個可逆相變區(qū)發(fā)生相變。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述可逆相變區(qū)進(jìn)行熱處理進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，確定所述至少一個可逆相變區(qū)的所述熱處理的處理配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述處理配置包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述熱處理包括激光退火、離子束退火或電子束退火中的任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述控制所述可逆相變層的至少部分區(qū)域發(fā)生相變進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，對所述至少一個可逆相變區(qū)施加電流。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種調(diào)整晶圓的翹曲度的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述可逆相變層的材料包括ge-sb-te相變材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少部分區(qū)域包括一個或多個可逆相變區(qū)，所述可逆相變區(qū)能夠發(fā)生可逆相變，所述控制所述可逆相變層的至少部分區(qū)域發(fā)生相變進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，對所述可逆相變層上的至少一個可逆相變區(qū)進(jìn)行熱處理，以使所述至少一個可逆相變區(qū)發(fā)生相變。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述可逆相變區(qū)進(jìn)行熱處理進(jìn)一步包括：根據(jù)所述晶圓的翹曲度，確定所述至少一個可逆相變區(qū)的所述熱處理的處理配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述處理配置包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述熱處理包括激光退火、離子束退火或電子束退火中的任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：謝煒，
申請(專利權(quán))人：上海光通信有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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