【技術實現步驟摘要】
本揭露關于一種電漿處理裝置。
技術介紹
1、半導體裝置用于多種電子應用，比如個人計算機、手機、數字相機、與其他電子設備。半導體裝置的制作方法通常為依序沉積絕緣或介電層、導電層、與半導體層的材料于半導體基板上，并采用微影與蝕刻工藝圖案化多種材料層，以形成電路構件與單元于其上。
2、半導體產業持續減少最小結構尺寸，可持續改良多種電子構件(如晶體管、二極管、電阻、電容、或類似物)的集成密度，以將更多構件整合至給定面積中。然而隨著最小結構尺寸縮小，所用的每一工藝將出現額外問題，且需解決這些額外問題。
技術實現思路
1、根據本揭露的一些實施例，一種電漿處理裝置包含腔室、導電聚焦環以及絕緣蓋環。腔室配置用以接收用于蝕刻工藝的晶圓。導電聚焦環設置于該腔室內并且用以聚焦電場以控制蝕刻工藝的蝕刻方向。絕緣蓋環設置于腔室內。絕緣蓋環配置用以改變電場。絕緣蓋環具有內環絕緣部分和外環絕緣部分，且在內環絕緣部分與外環絕緣部分之間定義出一間隙。
2、根據本揭露的一些實施例，一種電漿處理裝置包含腔室、靜電吸盤、聚焦環、內屏蔽以及外屏蔽。靜電吸盤設置于腔室內，且靜電吸盤用以在對晶圓執行電漿處理工藝期間支撐晶圓。聚焦環設置于腔室內并環繞靜電吸盤的一部分。聚焦環具有鄰接聚焦環內邊緣的內部部分以及鄰接聚焦環外邊緣的外部部分。內屏蔽位于聚焦環的內部部分上方。外屏蔽位于聚焦環的外部部分上方。
3、根據本揭露的一些實施例，一種電漿處理裝置包含靜電吸盤、聚焦環以及蓋環。靜電吸盤設置于腔室內，
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1.一種電漿處理裝置，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
3.如權利要求2所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中該外環絕緣部分徑向延伸超出該外邊緣。
4.如權利要求1至3中任一項所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
5.如權利要求1至3中任一項所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
6.一種電漿處理裝置，其特征在于，包含：
7.如權利要求6所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中各屏蔽具有一下表面和一上表面，其中該靜電吸盤具有定義為一平面的一上表面，以及其中該平面位于各該屏蔽的該下表面與該上表面之間。
8.如權利要求6或7所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中該外屏蔽徑向延伸超出該外邊緣。
9.如權利要求6或7所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
10.一種電漿處理裝置，其特征在于，包含：
【技術特征摘要】
1.一種電漿處理裝置，其特征在于，包含：
2.如權利要求1所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
3.如權利要求2所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中該外環絕緣部分徑向延伸超出該外邊緣。
4.如權利要求1至3中任一項所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
5.如權利要求1至3中任一項所述的電漿處理裝置，其特征在于，其中：
6.一種電漿處理裝置，其特征在于，包含...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳志壕，黃崇銓，謝佾蒼，林育奇，趙家忻，蔡哲恩，
申請(專利權)人：臺灣積體電路制造股份有限公司，
類型：新型
國別省市：
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